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[发明专利]一种基于中等介电常数车削膜制备复合介质板的工艺-CN201911061682.6在审
发明人：庞子博;高枢健;张伟;李强;王丽婧 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B32B15/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于中等介电常数车削膜制备复合介质板的工艺。该工艺为：将幅面尺寸相同的、体积分数为64.5‑80.0%的中等介电常数含陶瓷粉的聚四氟乙烯树脂车削膜与体积分数为20.0‑35.5%的含聚四氟乙烯的玻纤布浸渍片按上下对称结构层叠排布成多层介质层；在多层介质层上下表面各覆盖一张铜箔；采用温度为370‑390℃、压强6‑16MPa、热压时间2‑4h的热压烧结过程，使聚四氟乙烯树脂发生熔融粘接并最终定形，制备出介电常数为2.75‑3.65的复合介质板。该板具有介电常数适中、介质损耗小、热膨胀系数较低等特点，可耐受酸碱腐蚀和冷热冲击等极端环境条件，可广泛应用于通信等相关领域。
介电常数聚四氟乙烯树脂多层介质层复合介质板体积分数车削定形浸渍压强极端环境条件上下对称结构聚四氟乙烯热膨胀系数幅面层叠排布介质损耗冷热冲击热压烧结熔融粘接上下表面酸碱腐蚀玻纤布膜制备陶瓷粉耐受热压铜箔制备覆盖通信应用

[发明专利]一种基于低介电常数车削膜制备复合介质板的工艺-CN201911061683.0在审
发明人：庞子博;张伟;高枢健;纪秀峰;魏西 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： B29D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低介电常数车削膜制备复合介质板的工艺。该工艺为：将幅面相同的、体积分数为20.0‑65.0%的低介电常数含有二氧化硅陶瓷粉的全氟树脂车削膜与体积分数为9.0‑70.0%的含聚四氟乙烯的玻纤布浸渍片、体积分数为10.0‑56.5%全氟树脂车削膜按上下对称层叠成介质层；在介质层上下表面覆盖铜箔；采用温度为360‑390℃、压强3‑13MPa、热压时间2‑5h的烧结过程，使全氟树脂车削膜发生熔融粘接并最终定形，制备出介电常数为2.14‑2.74的复合介质板。该板具有介电常数低、介质损耗小、热膨胀系数较低的特点，可耐受酸碱腐蚀、冷热冲击等极端环境条件，广泛应用于通信等相关领域。
车削全氟树脂体积分数低介电常数复合介质板介电常数介质层定形浸渍压强二氧化硅陶瓷极端环境条件聚四氟乙烯热膨胀系数幅面介质损耗冷热冲击熔融粘接上下表面上下对称烧结过程酸碱腐蚀玻纤布膜制备耐受热压铜箔制备覆盖通信应用

[发明专利]多种电介质印刷电路板-CN202111392436.6在审
发明人： A·司;R·拉奥;G·克里希纳穆尔蒂桑德什 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种印刷电路板(PCB)包括第一层，第一层基本上仅包括第一电介质材料。该PCB还包括第二层，第二层包括位于第一区域内的第一电介质材料和位于与第一区域相邻的第二区域内的第二电介质材料。第一电介质材料具有第一介电常数、第一热膨胀系数(CTE)和第一玻璃化转变温度(Tg)。第二电介质材料具有第二介电常数、第二CTE和第二Tg。第一介电常数大于第二介电常数。
多种电介质印刷电路板

[发明专利]低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN200710051797.8无效
发明人：朱建华;雷文;吕文中;梁飞;汪小红 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： C04B35/04 文献下载
摘要：低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷材料，目的是具有低介电常数、低损耗与良好温度稳定性，介电常数连续可调，同时具有良好机械加工性能。本发明为主材料表达式为uMgO－vSiO₂－wCaO－xTiO₂的固溶体介质陶瓷，各组分的含量分别是：47.6mol.％≤u≤65.4mol.％，0mol.本发明的材料，介电常数在6～20之间连续可调，具有低微波介电损耗、较小的谐振频率温度系数和优良的机械加工性能，可用于通讯系统中介质天线、介质基板等微波元器件，模具简单，加工方便，有利于大批量生产。
介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高介电常数低损耗微波介质陶瓷-CN200410061329.5无效
发明人：郑兴华 -专利权人：福州大学
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷。本发明解决了现在国内微波介质陶瓷的高介电常数、低损耗以及环保方面的矛盾，提供一种环保型的高介电常数低损耗微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷的成分表达式为xCaO－y(mNd₂O₃－nLa₂O₃－pSm₂O介质陶瓷，其介电常数很高，达到100～175，同时具有低损耗(～10^－4－10^－5)和从负到正的可调谐振频率温度系数。
介电常数损耗微波介质陶瓷

[发明专利]基于SOI衬底的La基高介电常数栅介质结构及其制作方法-CN201610898309.6在审
发明人：刘红侠;冯兴尧;汪星;刘贺蕾;赵璐;费晨曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅介质，主要解决现有栅介质材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差等问题。该栅介质材料自下而上包含SOI衬底(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，阻挡层(2)采用厚度为0.5‑4nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1‑10nm整个栅介质采用原子层淀积方法制备，其工艺与现有CMOS工艺相兼容。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于金属氧化物半导体场效应晶体管的制造。
基于 soi 衬底 la 介电常数介质结构及其制作方法

[发明专利]基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法-CN201310280178.1有效
发明人：刘红侠;费晨曦;范小娇;马飞;樊继斌;许韩晨玺 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采用厚度为0.5-3nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(2)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3本发明的栅介质材料具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。
基于衬底介电常数介质材料及其制备方法

[发明专利]用于从液体中去除颗粒物质的装置-CN201710044769.7有效
发明人：白鹰;谭惠;陈旭;陈骜 -专利权人：拉贝尔
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： B01D57/02 文献下载
摘要：本发明公开一种介电泳分离器，所述介电泳分离器具有分离器容器，所述分离器容器具有在第一侧处的流体入口和在第二侧处的流体出口、电极，所述电极连接到电源并且沿着所述中心轴放置在所述容器内、多个高介电常数介质杆，所述高介电常数介质杆放置于容器内平行于所述电极周围，其中，所述电极具有第一极性，并且所述容器具有第二极性，使得在所述电极和所述容器之间产生电磁场。执行分离循环的方法具有以下步骤：i)容器内的电极通电，使得所述电极和容器具有相反的极性，其中，多个高介电常数介电杆容纳在所述容器内，ii)所述流体通过所述高介电常数介质杆之间的通道，iii)所述流体内的所述固体颗粒通过电场被所述高介电常数介质杆吸附
用于液体去除颗粒物质装置

[发明专利]糊剂组合物、电介质组合物、电容器及糊剂组合物的制造方法-CN200680032525.7有效
发明人：野中敏央;原义豪;吉冈正裕 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质组合物，所述电介质组合物在平板显示器、挠性显示器、便携信息终端的显示器、触摸式面板等信息显示部件中，在需要透明性的区域中形成透明的高介电常数层，通过作为层间绝缘膜与透明电极等组合，可以形成透明的电容器一种糊剂组合物，所述糊剂组合物含有(a)树脂、(b)具有钙钛矿类结晶结构的高介电常数无机粒子、及(c)有机溶剂，(b)高介电常数无机粒子的平均粒径为0.002μm以上0.06μm以下，总有机溶剂量为糊剂组合物总量的一种电介质组合物，所述电介质组合物含有(a)树脂、(b)具有钙钛矿类结晶结构的高介电常数无机粒子，(b)高介电常数无机粒子的平均粒径为0.002μm以上0.06μm以下。
组合电介质电容器制造方法

[发明专利]圆极化微带贴片天线-CN201910539952.3在审
发明人：施静;李庚禄;华娟;刘兆;吴艳杰;李铎;张慧龙 -专利权人：江苏三和欣创通信科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：一种圆极化微带贴片天线，包括：导电接地平面、设于导电接地平面上的介质基片、设于介质基片顶部的辐射片以及设于介质基片四周侧壁的若干馈电探针；介质基片包括下层的高介质常数介质基片和上层的低介电常数介质基片；本发明采用了渐变折叠型侧边耦合馈电方式，馈电探针渐变折弯，加工简单，容易形成较宽的带宽，天线圆极化性能提高，并且相位中心稳定，可以同时实现右旋和左旋两种圆极化，尤其适合于精确测量和制导位系统终端设备；采用两种不同介电常数的介质基片
介质基片圆极化导电接地平面微带贴片天线馈电探针辐射片渐变低介电常数介质系统终端设备圆极化性能侧边耦合结构对称介电常数介质常数馈电方式四周侧壁相位中心圆形金属增益带宽导体薄片状齿轮状折叠型重量轻右旋折弯左旋下层制导加工带宽天线开口测量上层辐射

[实用新型]圆极化微带贴片天线-CN201920937481.7有效
发明人：施静;李庚禄;华娟;刘兆;吴艳杰;李铎;张慧龙 -专利权人：江苏三和欣创通信科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：一种圆极化微带贴片天线，包括：导电接地平面、设于导电接地平面上的介质基片、设于介质基片顶部的辐射片以及设于介质基片四周侧壁的若干馈电探针；介质基片包括下层的高介质常数介质基片和上层的低介电常数介质基片；本实用新型采用了渐变折叠型侧边耦合馈电方式，馈电探针渐变折弯，加工简单，容易形成较宽的带宽，天线圆极化性能提高，并且相位中心稳定，可以同时实现右旋和左旋两种圆极化，尤其适合于精确测量和制导位系统终端设备；采用两种不同介电常数的介质基片
介质基片导电接地平面馈电探针辐射片圆极化渐变低介电常数介质微带贴片天线系统终端设备本实用新型圆极化性能侧边耦合结构对称介电常数介质常数馈电方式四周侧壁相位中心圆形金属增益带宽导体薄片状齿轮状折叠型重量轻右旋折弯左旋下层制导加工带宽天线开口测量上层辐射

[发明专利]具有包括蚀刻停止/场控制层的多层栅极电介质层的功率半导体装置及形成此装置的方法-CN202180048427.7在审
发明人： D·J·里克腾沃纳 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：包含碳化硅的半导体层结构；在半导体层结构上的栅极电介质层，该栅极电介质层包括在半导体层结构上的基部栅极电介质层和与半导体层结构相对地在基部栅极电介质层上的盖帽栅极电介质层；以及与半导体层结构相对地在栅极电介质层上的栅极电极盖帽栅极电介质层的介电常数高于基部栅极电介质层的介电常数。
具有包括蚀刻停止控制多层栅极电介质功率半导体装置形成方法

[发明专利]宽频带毫米波介质谐振器天线单元及由其组成的阵列结构-CN202310680909.5在审
发明人：郭磊;刘颖;杨汶汶 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：一种宽频带毫米波介质谐振器天线单元及由其组成的阵列结构，天线单元层叠结构由上到下依次为顶层高介电常数的矩形介质块、顶层低介电常数的介质基板及底层低介电常数的介质基板。介质块四周引入多个空气孔使天线的四个模式分布在工作频段21‑43.65GHz的毫米波频率范围内，在自由空间内实现更好的阻抗匹配。顶层介质基板下表面设置有金属地板，金属地板上刻蚀有馈电缝隙；金属地板与底层低介电常数通过粘合层粘接，底层介质基板下表面设置有微带线。由多个结构相同的宽带介质谐振器天线单元组成1×N天线阵列。本发明介质谐振器天线阵列可以在24‑40GHz的频率范围内工作，相对带宽为50％；同时天线阵列可实现14.75dBi的峰值增益；此外，该介质谐振器天线阵列具有宽角扫描特性，最大扫描角度为±56°。
宽频毫米波介质谐振器天线单元组成阵列结构

[发明专利]一种高Q值小型化介质波导滤波器-CN202010174421.1在审
发明人：黄振新;叶辰健;薛文斌;唐春宝 -专利权人：苏州威洁通讯科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高Q值小型化介质波导滤波器，包括：由具有第一介电常数的材料制成的屏蔽盒，所述屏蔽盒内形成有屏蔽腔；以及，设置在所述屏蔽盒内、由具有第二介电常数的材料制成的降频组件，所述第二介电常数大于所述第一介电常数由于第二介电常数大于第一介电常数，在工作时可以有效的降低频率，在缩小屏蔽盒尺寸的基础上，有效了提高了介质波导滤波器单腔的Q值，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
一种小型化介质波导滤波器

[实用新型]一种高Q值小型化介质波导滤波器-CN202020310075.0有效
发明人：黄振新;叶辰健;薛文斌;唐春宝 -专利权人：苏州威洁通讯科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高Q值小型化介质波导滤波器，包括：由具有第一介电常数的材料制成的屏蔽盒，所述屏蔽盒内形成有屏蔽腔；以及，设置在所述屏蔽盒内、由具有第二介电常数的材料制成的降频组件，所述第二介电常数大于所述第一介电常数由于第二介电常数大于第一介电常数，在工作时可以有效的降低频率，在缩小屏蔽盒尺寸的基础上，有效了提高了介质波导滤波器单腔的Q值，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
一种小型化介质波导滤波器