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[发明专利]一种基于SIW的单层双极化双边带高选择性的频率选择表面-CN202210562235.4有效
发明人：田径;邹吉飞;彭昊昱;钟宏涛;叶莉;唐璞;陈波;胡皓全;雷世文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种基于SIW的单层双极化双边带高选择性的频率选择表面，属于人工电磁材料技术领域。本频率选择表面仅使用一层介质基板，介质基板的两侧表面均设置金属层，在金属层和介质基板上设置通孔，将金属层分设成四个小单元，每个小单元中心开设相同形状的缝隙，从而使得频率选择表面的矩形系数(‑10dB/‑3dB)为1.15，具有双边陡降特性；并且在两个极化下角度稳定性达到40°。
一种基于 siw 单层极化双边选择性频率选择表面

[发明专利]一种具有四种工作模式的有源多功能超材料-CN202310535700.X在审
发明人：田径;梁恒;周洲;石小洲;叶莉;陈波;雷世文;杨伟;孙凯;何子远;包永芳;胡皓全 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明属于多功能超材料技术领域，提供一种具有四种工作模式的有源多功能超材料，包括：阻抗层、第一频选层与第二频选层，两个频选层结构与尺寸相同；阻抗层中加载二极管P1，频选层中加载二极管P2与P3，二极管作为开关器件实现有源多功能超材料的工作模式切换；具体而言，反射型线‑线极化转换器(RLTL‑PC)：P1打开、P2关闭、P3打开，且入射波为x极化或者y极化；吸收体：P1关闭、P2与P3打开，且入射波为u极化、v极化或者x极化、y极化；频率选择表面(FSS)：P1打开、P2与P3关闭，且入射波为x极化或者y极化；透射型线‑圆极化转换器(TLTC‑PC)：P1打开、P2与P3关闭，且入射波为u极化或者v极化。
一种具有工作模式有源多功能材料

[发明专利]一种多功能方向图和极化独立可重构天线-CN202211370419.7在审
发明人：陈波;陈梦龙;胡皓全;武琰杰;孙凯;雷世文;田径;杨伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种多功能方向图和极化独立可重构天线，属于可重构天线技术领域。该天线通过设计可重构单元，并设计相配套的可重构馈电网络，使得本发明可重构天线可以同时在方位面和俯仰面对方向图360°范围内重构，实现三维全空间覆盖；且通过直流馈电控制PIN二极管的导通/关断，进而控制天线的方向图和极化独立可重构，实现手段简单；且本发明可重构天线可以实现三种模式方向图和五种极化独立可重构，共计十二种辐射状态，且十二种辐射状态的工作频段为2.3GHz‑2.75GHz，回波损耗小于‑10dB，阻抗带宽超过17.8％，可以应用于多种工作场景。
一种多功能方向极化独立可重构天线

[发明专利]通过可重构天线单元优化选择的阵列副瓣电平抑制方法-CN202310350394.2在审
发明人： 雷世文;宋强健;陈梦龙;田径;杨伟;孙凯;陈波;何子远;胡皓全 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H04B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过可重构天线单元优化选择的阵列副瓣电平抑制方法，属于宽阵列波束扫描技术领域。本发明通过有效切割扫描波束中不必要的可重构模式元素REP组合，进一步缩小搜索空间，根据波束方向变化自适应地获得较优的REP组合，以较低计算复杂度实现基于可重构天线单元优化选择的阵列副瓣电平抑制。本发明针对具有不同扫描角度的应用需求，自适应匹配与之对应的方向图模式，能够进一步有效降低阵列天线的副瓣，从而实现更宽的扫描角度，增加阵列系统的有效覆盖范围，从而有效提高阵列系统的威力覆盖范围。
通过可重构天线单元优化选择阵列电平抑制方法

[发明专利]一种基于SISL结构的频率及带宽可重构双工器-CN202310270788.7在审
发明人：陈波;李钰;孙凯;雷世文;田径;杨伟;何子远;胡皓全 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明属于微波器件技术领域，具体提供一种基于SISL结构的频率及带宽可重构双工器，用以填补现有技术的研究空白。本发明采用SISL技术实现整体结构的小型化和自封装，在可重构三双工器谐振电路的每个通道中采用加载由可变电容的两阶阶梯阻抗混合耦合谐振器，通过加载于近邻短路端的频率调节可变电容实现谐振频率调节，通过加载于两阶谐振器之间的带宽调节可变电容实现带宽调节；由此，本发明提出的基于SISL的频率及带宽可重构双工器以简单的结构和高效的方法实现两者的同时可调，且因其具有带宽可调特性，进而具有更宽的中心频率可调范围，同时对于其余低损耗、自屏蔽双工器以及多工器的研究具有一定的指导意义。
一种基于 sisl 结构频率带宽可重构双工器

[发明专利]一种具有极化选择性和高滚降特性的可切换吸透一体材料-CN202310352632.3在审
发明人：田径;石小洲;叶莉;梁恒;周洲;陈波;雷世文;杨伟;孙凯;何子远;包永芳;胡皓全 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明属于吸透一体材料技术领域，具体提供一种具有极化选择性和高滚降特性的可切换吸透一体材料，用以实现在吸透一体、极化选择和吸波模式之间切换。本发明由两个阻抗层和频率选择表面组成；并且在有源阻抗层和FSS上加载的PIN二极管可以通过偏置信号在正交极化中独立控制，以实现极化选择性，FSS设计中引入了传输零点，以改善其传输频带的滚降特性；同时，FSS单元为对称结构，可选通任意线极化入射的电磁波，具有较强的实用性。综上，本发明具有吸透一体、极化选择和吸波模式三种工作模式，通过二极管实现工作模式的切换，具有性能优异、结构简单、制备成本低等优点。
一种具有极化选择性高滚降特性切换一体材料

[发明专利]一种基于共模和差模理论的方向图可重构天线-CN202310255332.3在审
发明人：陈波;陈梦龙;胡皓全;徐元朝;孙凯;雷世文;田径;杨伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明属于可重构天线技术领域，具体提供一种基于共模和差模理论的方向图可重构天线，用以解决现有方向图可重构天线存在的尺寸过大、成本较高、结构复杂及重构状态少等问题，进而满足天线小型化、低成本、多状态方向的发展需求。本发明基于共模/差模原理，多组态方向图共用同一辐射单元，采用双馈电结构，对其一单独馈电时、天线产生正向辐射方向图或锥形方向图，对两个耦合馈电结构等幅同相或反相馈电时、天线产生左倾斜方向图或右倾斜方向图。综上，本发明能够实现正向辐射方向图、锥形方向图和左右两种倾斜方向图之间的重构，重构方式简单且具有普适性；同时，天线具有结构简单、尺寸小与成本低等优点。
一种基于理论方向图可重构天线

[发明专利]一种阵列激励动态范围可控的宽波束增益增强方法-CN202210320116.8有效
发明人： 雷世文;杨伟;章奥;胡皓全;赵志钦;包永芳;陈波;田径;唐璞;何子远 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F18/213 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列激励动态范围可控的宽波束增益增强方法，属于天线技术领域。本发明对阵列宽波束增益进行直接优化，通过对阵列激励的有效控制，实现给定期望低副瓣条件下的宽波束增益增强。相较于传统子基于方向图优化的波束赋形方法，在相同条件下，可以获得更高的宽波束增益。
一种阵列激励动态范围可控波束增益增强方法

[发明专利]一种用于曲面载体的圆极化共形天线-CN202310292684.6在审
发明人： 雷世文;徐元朝;陈梦龙;胡皓全;陈波;田径;杨伟;孙凯;孙晓童 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于曲面载体的圆极化共形天线。天线包括全金属地板、环形贴片、馈电贴片和四个寄生贴片。环形贴片谐振在TM11模，弧形条带提供的顺序90°相位差可以实现圆极化辐射。引入了环绕环形贴片的四个寄生贴片来激发另一个圆极化谐振模式，从而拓宽了带宽，提高了增益。为了验证该天线的共形性能，对不同弯曲半径下的性能进行了比较和讨论。最后，本发明天线的最终剖面为0.054λ0，λ0为天线在中心频率处的自由空间波长，具有低剖面、宽带、高增益的特点。
一种用于曲面载体极化天线

[发明专利]一种具有高角度稳定性的ATA型吸透一体结构单元及材料-CN202310023593.2在审
发明人：王新中;梁军;岳德武;钟宏涛;田径;雷世文;陈波;杨伟;张波 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：一种具有高角度稳定性的ATA型吸透一体结构单元，包括从上到下排布的第一阻抗层、第二阻抗层和频率选择表面层；所述第一阻抗层由4个上下开口的相同立方体结构组成田字形，所述立方体侧面为第一介质层，同一立方体的两个相邻侧面外表面上附着有第一金属层；所述第二阻抗层包括矩形的第二介质层、位于第二介质层上表面的正方形环状的第二金属层，所述频率选择表面层包括第三介质层和位于第三介质层上表面的第四金属层；所述第四金属层上开有和所述X形缝隙形状位置完全相同的金属缝隙。本发明所述ATA型吸透一体材料具有对称特征，使得整体材料具有双极化特性，吸波和透波效果均衡。
一种具有角度稳定性 ata 型吸透一体结构单元材料

[发明专利]一种抑制波束斜视影响的混合预编码方法-CN202310036950.9在审
发明人： 雷世文;蒋碧瀟;高银;李天阳;田径;杨伟;陈波;胡皓全;唐璞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04B7/0456 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制波束斜视影响的混合预编码方法，属于雷达天线技术领域。本发明首先获取通信系统的参数信息及初始化迭代次数和辅助变量；根据辅助变量计算期望方向图，从而对优化目标函数进行求解，以得到各模拟预编码权向量的当前迭代值以及辅助变量ε；根据阵列因子和当前的权向量更新辅助变量后，若满足预置的迭代停止条件，则将当前权重作为最优权向量；否则继续迭代；基于最优权向量进行获取模拟预编码和数字编码。本发明从拓宽基站阵列天线主瓣宽度的角度出发，减轻波束斜视对系统性能的影响。将具有恒模约束的非凸问题松弛为凸问题，通过迭代的方法优化模拟预编码矩阵，本发明方法的天线在目标方向上具有更高的增益。
一种抑制波束斜视影响混合预编方法

[发明专利]一种基于非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形方法-CN202111305992.5有效
发明人：陈波;林志鹏;雷世文;胡皓全;包永芳;田径;徐元朝;孙晓瞳;高银 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04B7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形方法，包括：确定子阵类型以及相关参数；建立并求解非凸优化问题的非均匀间距子阵优化模型得到最佳阵列激励与阵元位置；根据得到最佳阵列激励、最佳阵元位置以及确定的子阵类型完成波束赋形。本发明通过联合优化阵元位置、子阵结构和子阵激励值，从而得到满足阵元间距约束的子阵级波束赋形阵列，实现非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形。相较于传统子阵级波束赋形方法，本发明在相同子阵个数约束的条件下，能够获得更低的主瓣纹波和副瓣电平，适用于任何波束形式。
一种基于均匀结构低副瓣波束赋形方法

[发明专利]一种阵列天线照射下的目标近场电磁散射计算方法-CN202310007313.9在审
发明人：王新中;梁军;岳德武;杨伟;雷世文;田径;陈波;王卓 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于目标电磁散射计算领域，尤其是涉及一种阵列天线照射下的目标近场电磁散射计算方法。本发明针对雷达阵列天线照射目标散射电磁仿真问题，本发明通过求解不同位置、不同单元天线照射目标的散射场，最后遍历整个阵列天线，从而得到阵列天线所有单元天线照射下舰船目标的散射结果。该方法避免了传统天线方向图不能准确描述阵列天线辐射特性，无法求解目标电磁散射的问题；针对阵列天线的二维单元布局结构遍历，通过建立不同位置下单个单元天线的目标电磁散射仿真，得到所有单元天线下的目标电磁散射总贡献，最终实现模拟出近场条件下该阵列天线对目标的电磁散射特性。
一种阵列天线照射目标近场电磁散射计算方法

[发明专利]一种基于SIW的可调谐频率选择表面-CN202210598945.2有效
发明人：田径;叶莉;彭昊昱;唐璞;胡皓全;陈波;雷世文;包永芳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种基于SIW的可调谐频率选择表面，属于人工电磁材料技术领域。该频率选择表面结合SIW技术，同时基于变容二极管的电可调特性和液晶的电磁可调特性，引入二阶谐振点，并设计了相匹配的馈电网络结构，通过改变直流馈电值，进而同时改变变容二极管的容值和液晶的相对介电常数，从而实现该材料透波窗口的可调谐。当变容二极管的容值在0.025pF‑0.19pF范围内调节，同时液晶的相对介电常数在2.15‑3.24内范围调节时，该材料的透波窗口的调谐范围为4.6GHz‑5.6GHz，可调范围广，其相对可调带宽为19.6％。
一种基于 siw 调谐频率选择表面

[发明专利]一种基于SIW的单层三通带频率选择表面-CN202210562233.5有效
发明人：胡皓全;邹吉飞;钟宏涛;叶莉;彭昊昱;陈波;唐璞;田径;雷世文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种基于SIW的单层三通带频率选择表面，属于人工电磁材料技术领域。该频率选择表面仅设置一层介质基板，通过SIW技术与传统方环型FSS相结合，实现三个通带，且该频率选择表面具有对称特征，使得整体具有双极化特性，且在不同极化下可以保持高达40°的高角度稳定性。
一种基于 siw 单层三通频率选择表面

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