“互连材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2316343个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种低温电子互连材料及其制备方法和低温电子互连方法-CN201810468126.X有效
发明人：刘磊;冯斌;邹贵生;邓钟炀 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温电子互连材料及其制备方法和低温电子互连方法。该低温电子互连材料是由致密颗粒层和疏松颗粒层复合而成的二元结构膜层材料。本发明还提供了上述低温电子互连材料的制备方法。本发明还提供了一种低温电子互连方法，其包括以下步骤：在待连接件的表面沉积制备低温电子互连材料；将待连接件的待连接表面相互贴合，采用适当的能量输入手段使所述低温电子互连材料充分致密化，并与待连接件产生冶金结合，实现待连接件的低温电子互连。本发明的低温电子互连材料在实践中具有优异的低温互连特性。
一种低温电子互连材料及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、芯片-CN202310588580.X有效
发明人：徐玉婷;吴双双;王春阳;章慧;陈小龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：该半导体结构，包括：第一互连层，包括第一金属互连结构；第二互连层，堆叠于第一互连层上，包括：沿第一方向排布的至少一个第一接触结构、第二金属互连结构，第一方向为第一互连层和第二互连层的堆叠方向垂直；第三互连层，堆叠于第二互连层上，包括至少一个键合垫；其中，第一金属互连结构与第一接触结构以及第二金属互连结构均连接，键合垫与第一接触结构连接且与第二金属互连结构不连接；第一金属互连结构的材料与第一接触结构的材料相同且均包括第一导电材料，第二金属互连结构的材料包括第二导电材料，第二导电材料的电阻率大于第一导电材料的电阻率。
半导体结构及其形成方法芯片

[发明专利]一种液相辅助空气中烧结高性能互连接头的方法-CN202210539860.7在审
发明人：张昱;陈乾;刘强;崔成强;杨冠南 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种液相辅助空气中烧结高性能互连接头的方法，涉及材料工程技术领域。本发明液相辅助空气中烧结高性能互连接头的方法，包括以下步骤：将互连材料涂覆在基板上，将芯片盖在互连材料的表面；将包覆材料涂覆在芯片和基板的连接处的四周，包覆材料为有机溶液或底部填充胶，得到互连结构样品；将互连结构样品在空气中进行烧结，烧结的温度小于包覆材料中有机物分解的温度，得到高性能互连接头。本发明通过将包覆材料涂覆在芯片和基板的连接处的四周，将互连材料与外界空气实现物理分隔，能够有效避免互连材料在烧结过程中发生氧化，本发明的烧结条件和步骤简单，烧结过程高效，生产成本低。
一种辅助空气烧结性能互连接头方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110070504.0在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有介电层，介电层内形成有贯穿介电层的互连结构，包括相隔离的第一互连开口和第二互连开口，其中第一互连开口的开口尺寸小于第二互连开口的开口尺寸；在第一互连开口中形成第一互连结构，在第二互连开口中形成第二互连结构；其中，第二互连结构材料的电阻率小于第一互连结构材料的电阻率，第一互连结构材料的间隙填充能力大于第二互连结构材料的间隙填充能力。本发明通过第一互连结构和第二互连结构的形成，既提高了互连结构材料的间隙填充性能，同时保障了互连结构的导电性能，进而提高了器件的电学性能和可靠性，例如：后段电学性能、电迁移(electro migration
半导体结构及其形成方法

[发明专利]互连线制作方法及互连线结构-CN200810203810.1无效
发明人：高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;冯喆韻;杨广立;滕丽华;程勇;刘丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连线制作方法及互连线结构。所述互连线制作方法包括：在待形成互连线的基底表面形成沟槽；以第一导电材料填充所述沟槽并覆盖基底表面；蚀刻所述第一导电材料形成与互连线图案对应的第一导电材料连线。所述互连线制作方法及互连线结构节约工艺成本。
互连制作方法结构

[发明专利]高散热芯片封装互连材料-CN202110041060.8在审
发明人：崔成强;杨斌;叶怀宇;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种高散热芯片封装互连材料，包括：中间散热介电层以及纳米金属膏体层，所述中间散热介电层上设有孔结构和/或RDL线槽，所述纳米金属膏体层为由纳米金属膏体注入填充所述中间散热介电层的表面以及所述表面上的所述孔结构和本发明的高散热芯片封装互连材料，可实现高散热、厚度均匀、很好的控制互连层的平整度，在不影响半导体封装互连模块电气性能前提下，实现低温条件下互连，且可满足小间距、大功率、高温高压等条件下的使用，采用RDL
散热芯片封装互连材料

[发明专利]异质材料之间的连续互连-CN202080039373.3在审
发明人：马克·威廉·罗奈;小乔吉·E·卡博;特雷弗·安东尼奥·里维拉;查尔斯·J·金泽尔;迈克尔·阿德文彻·霍普金斯;赛·斯里尼瓦斯·德萨巴蒂娜 -专利权人：液态电线公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种结构，可以包括第一材料、在第一材料和第二材料之间的接合部处连接到第一材料的第二材料、以及延伸跨越接合部以形成在第一材料和第二材料之间的连续互连的一个或更多个介质，其中第一材料和第二材料是异质的。该结构可以进一步包括在第一材料和第二材料之间的接合部处的过渡部。一个或更多个介质可以包括导电的功能材料。该结构还可以包括在第二材料和第三材料之间的第二接合部处连接到第二材料的第三材料，介质可以延伸跨越第二接合部以在第一材料、第二材料和第三材料之间形成连续互连，并且第二材料和第三材料可以是异质的。
材料之间连续互连

[发明专利]平坦化蚀刻硬掩模以增加图案密度与纵横比-CN201180025026.6无效
发明人： M·J·西蒙斯;K·D·李;C·陈;P·赖利;S·拉蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法包括下列步骤：在衬底上沉积第一基底材料，第一基底材料具有第一组互连特征；以可灰化材料填充第一组互连特征的上部；平坦化第一基底材料的上表面，使得填充在第一组互连特征中的可灰化材料的上表面提供基本上平坦的外表面；在所述基本上平坦的外表面上沉积膜叠层，模叠层包含第二基底材料；在第二基底材料中形成第二组互连特征，其中第二组互连特征与第一组互连特征对齐；以及从第一基底材料移除可灰化材料，以将第二组互连特征连接至第一组互连特征
平坦蚀刻硬掩模增加图案密度纵横

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202010640621.1有效
发明人：肖亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：制造方法包括形成贯穿衬底的至少一个通孔，通孔沿衬底的第二表面延伸至衬底的第一表面；在衬底第二表面和通孔内部依次形成绝缘层、导电材料层；在导电材料层表面形成金属材料层；以及去除部分金属材料层、部分导电材料层以及部分绝缘层，使得位于通孔内部和位于部分衬底第二表面的导电材料层作为硅贯穿互连结构，位于硅贯穿互连结构表面的金属材料层作为背侧互连导电层，背侧互连导电层与硅贯穿互连结构接触且电连接。本申请采用一次刻蚀去除多余的导电材料层和金属材料层以同时形成硅贯穿互连结构和背侧互连导电层，使得背侧互连导电层和硅贯穿互连结构之间的接触部紧密配合，提升了存储器件的稳定性。
存储器件及其制造方法

[发明专利]通孔材料选择和处理-CN201580020697.1有效
发明人： J·J·朱;J·J·徐;S·S·宋;K·利姆;Z·王 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体互连和用于制造半导体互连的方法。一种互连可包括在第一导电互连层与第一中部制程(MOL)互连层之间的第一导电材料的第一通孔。第一MOL互连层在第一级上。第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的。该半导体互连还包括在第一导电互连层与第二MOL互连层之间的第二导电材料的第二通孔。第二MOL互连层在第二级上。第二通孔是用双镶嵌工艺来制造的。第一导电材料不同于第二导电材料。
材料选择处理

[发明专利]一种互连材料及其制备方法-CN201710469870.7有效
发明人：张昱;崔成强;张凯;陈云;高健;贺云波;陈新 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种互连材料，包括咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体和分散液；所述咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体中，包覆在纳米铜颗粒表面的咪唑类化合物选自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一种或几种本发明提供的互连材料抗氧化性好，分散性好，能够较好的应用于高端电子器件的制造和半导体封装领域；另外，采用该互连材料还能够降低互连电子元件的封装烧结温度，实现低温互连。本发明还提供了上述互连材料的制备方法，按照本发明的制备方法制得的互连材料为纳米铜膏互连材料，其抗氧化性好，且互连材料膏体中咪唑包覆铜颗粒粉体分散均匀，其中的铜颗粒为纳米尺度的单分散性良好的颗粒。
一种互连材料及其制备方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法-CN201110066349.1无效
发明人：山本和彦;青山贤士 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种非易失性存储器装置包括第一互连、纳米材料积聚层以及第二互连。所述纳米材料积聚层被设置在所述第一互连上。所述纳米材料积聚层包括多个微小导电体的积聚体。所述第二互连被设置在所述纳米材料积聚层上。当从上方观察时，所述纳米材料积聚层的至少下部被设置在所述第二互连的内侧。
非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202110686046.3在审
发明人：江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，互连结构可包括：互连面介电材料层，其位于基板上方；第一金属互连结构，其嵌入于互连面介电材料层中，且包括第一金属障壁衬垫及第一金属填充材料部分；及上覆介电材料层。上覆介电材料层中的开口可整个形成于第一金属障壁衬垫的区域中及第一金属填充材料部分的区域外，以减少电浆损伤。可在开口中形成第二金属互连结构，其接触第一金属障壁衬垫的顶表面。第一金属填充材料部分的顶表面的整体接触上覆介电材料层的底表面。
互连结构及其形成方法

[发明专利]太阳能电池阵互连片抗原子氧侵蚀表面处理工艺-CN200810151811.6无效
发明人：黄远;万怡灶;何芳;王玉林;吕海峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池阵互连片抗原子氧侵蚀表面处理工艺，包括的步骤是采用TRIM2003程序和修正公式设定进行Al金属离子注入到Ag互连片材料中的注入剂量、Ag互连片材料表面去污和清洗处理、Al金属离子注入到Ag互连片材料后的Ag互连片材料的真空退火处理、Ag互连片材料微观检测和抗原子氧侵蚀测试。本发明提采用真空金属等离子注入技术，将金属元素按照一定能量和剂量注入到经过抛光清洗的Ag互连片材料中，再经过真空高温退火在银互连片中形成一个从内部到表面成分渐变、不脱落的金属注入层。由于注入金属元素和氧原子反应生成的氧化层具有防止原子氧侵蚀的能力，从而在银互连片中产生一个不会脱落、对原子氧防护良好的注入层，同时提高其抗热疲劳特性。
太阳能电池互连抗原侵蚀表面处理工艺

[发明专利]金属互连结构的制备方法及半导体器件的制备方法-CN202111238163.X在审
发明人：刘金麟 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属互连结构的制备方法及半导体器件的制备方法，首先在半导体衬底上形成第一材料层和第二材料层，第一材料层包括在第一方向上间隔设置的掩膜材料层及介质材料层，第二材料层包括在与第一方向垂直的第二方向上间隔设置的掩膜材料层及介质材料层，接着依次进行湿法刻蚀和干法刻蚀，由于掩膜材料层与介质材料层的刻蚀速率有较大的差异，因此能够在刻蚀掩膜材料层/介质材料层的同时保护剩余部分不受损耗，从而形成金属互连沟槽，在所述沟槽中填充金属材料形成金属互连结构本发明提供的金属互连结构的制备方法无需多次曝光、刻蚀即可获得金属互连沟槽，简化了工艺步骤，节约了制作成本，同时提高了形成的金属互连结构的准确性。
金属互连结构制备方法半导体器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条