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[发明专利]一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法-CN202111555010.8在审
发明人：吴宏荣;赵军华;李娜;童品森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法，涉及二维/三维材料共形异质结测量表征技术领域，该方法包括：获取待识别二维/三维材料异质结的光学图像；从颜色厚度对应关系中确定与二维/三维材料异质结的颜色信息对应的二维/三维材料异质结厚度，从待识别二维/三维材料异质结的厚度对应的计算图谱中，得到二维/三维材料异质结的颜色随二维材料层数变化的计算图谱，将待识别二维/三维材料异质结光学图像与计算图谱进行比对，确定二维/三维材料异质结中二维材料的层数本发明基于光学图像与对应关系的比对，可以方便快捷有效的识别光学显微镜观测的二维/三维材料异质结中二维材料层数。
一种识别二维三维材料异质结中层数光学方法

[发明专利]二维材料平均片径检测方法、装置及数量获取方法、装置-CN201810620225.5有效
发明人：蒋永华;相喜;李春荣;栗建民 -专利权人：苏州高通新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01B11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料平均片径检测方法、装置及数量获取方法、装置。本发明通过获取二维材料分散液中单位体积内二维材料的数量，结合二维材料分散液中单位体积内二维材料的质量可得每个二维材料的平均质量，再根据二维材料最小重复结构单元所独立具有的摩尔质量可以得出构成每个二维材料的最小重复结构单元的数量，最后根据每个最小重复结构单元的面积以及二维材料的平均层数即可得到二维材料的平均面积，进而计算出二维材料的平均片径。该方法仅需要测量二维材料分散液中单位体积内二维材料的数量，其他参数为已知的或者通过简单的现有技术可测量得到，因此本发明的二维材料平均片径检测方法简单准确、成本低。
二维材料平均检测方法装置数量获取

[发明专利]一种形成金属引线的方法及二维材料器件-CN202010352952.5在审
发明人：卢年端;姜文峰;李泠;耿玓;王嘉玮;李蒙蒙;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种形成金属引线的方法及二维材料器件，该方法应用于形成二维材料器件中，包括：形成二维材料异质结，所述二维材料异质结包括由下至上的第一二维材料层、第二二维材料层以及第三二维材料层，所述第一二维材料层的宽度和所述第三二维材料层的宽度均大于所述第二二维材料层的宽度；对所述二维材料异质结的边缘区域进行刻蚀，露出所述二维材料异质结的所述第二二维材料层的边缘；在所述第二二维材料层的边缘形成金属引线，该二维材料异质结在形成过程中不会接触任何聚合物，因此，减少了界面杂质，在该二维材料异质结的中间二维材料边缘进行金属接触，可以有效降低接触电阻，进而实现了较高的电子性能。
一种形成金属引线方法二维材料器件

[发明专利]一种二维材料转移方法-CN202011363291.2有效
发明人：韩传余;马博;王小力 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明提出一种二维材料转移方法，以解决现有大面积二维材料转移过程中存在转移效率低、转移精度不高以及二维材料剥离不均匀的技术问题。本发明方法为：在载玻片下表面涂布粘性随温度反向变化的材料，粘取待转移二维材料；然后将待转移二维材料与二维材料受体准确定位；最后将载玻片放置在二维材料受体表面，加热载玻片将待转移二维材料转移到二维材料受体上本发明系统包括底座、二维材料转移台、二维材料放置台以及光学成像单元，其中，二维材料转移台包括三维机械臂、涂有PDMS的载玻片、微位移台、二维材料受体放置台及包浆印刷工艺的加热片；光学成像单元包括支架、高倍显微镜高清
一种二维材料转移方法

[发明专利]二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法-CN202111641991.8在审
发明人：王佩剑;刘影;潘宝俊;蓝善贵;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法，属于二维材料制备的技术领域。通过热蒸发镀膜方法在硅片上制备金属薄膜或者金属氧化物薄膜作为前驱体薄膜，将镀有前驱体薄膜的硅片与衬底面对面放置于蒸发舟中，利用化学气相沉积方法硫化前驱体薄膜，在衬底上生长二维过渡金属硫族化物。通过改变前驱体薄膜的厚度、硅片与衬底面对面的间距，能够得到厚度和尺寸可控的二维材料。本发明提供的制备方法普遍适用于二维材料的生长，包括二维过渡金属硒族化物和二维过渡金属碲族化物，同时能够用于二维材料合金以及异质结构材料的制备，制备工艺简单且可重复性高，能够有效的改善二维材料生长过程中的可控性和稳定性
二维材料合金以及异质结制备方法

[发明专利]超耐磨二维复合材料及其制备方法-CN201910138055.1有效
发明人：陈新春;尹绚;张晨辉;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种超耐磨新型二维复合材料的制备方法。所述制备方法可以为涂覆法，包括：将新型二维材料A撒到基底表面，将零维材料B和/或二维材料C撒在所述新型二维材料A表面，向所述新型二维材料A表面与零维材料B和/或二维材料C表面加溶剂，用刮板涂覆直至所述新型二维材料A、零维材料B和/或二维材料C与所述溶剂混合均匀，使所述溶剂挥发，得到负载在所述基底上的所述超耐磨新型二维复合材料。本申请的方法制备得到的超耐磨新型二维复合材料能够满足对耐磨性有较高需求的材料或零部件的耐磨需求。
耐磨二维复合材料及其制备方法

[发明专利]二维材料力学测磁装置及其制备方法和应用-CN202211342220.3在审
发明人：李奇;张警蕾;王宁;屈哲;甄伟立;钱英才 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维材料力学测磁装置及其制备方法和应用。主要通过将待测二维材料解离在衬底上，得到形态稳定的二维材料。然后在有机溶剂中将二维材料转移到悬臂梁的自由端，在此过程中，通过待测二维材料与衬底和有机溶剂的结合能的差异，在待测二维材料与衬底之间插入有机溶剂，便于实现待测二维材料与衬底之间的稳定分离。同时，在有机溶剂中，二维材料与悬臂梁之间具有良好的附着力，可以使形态稳定的二维材料附着在悬臂梁上，进而得到二维材料力学测磁装置，通过该力学测磁装置可以对二维材料的磁性进行力学方式的检测，为二维材料的磁性检测提供一种新的思路
二维材料力学装置及其制备方法应用

[发明专利]一种二维材料的转移方法-CN202310792288.X在审
发明人：庄萍萍;林伟毅;叶添 -专利权人：集美大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料的转移方法，属于二维材料技术领域。本发明将金属衬底/二维材料器件与目标衬底叠层放置，且使二维材料与所述目标衬底接触，进行键合，得到金属衬底/二维材料/目标衬底器件；所述目标衬底为半导体衬底；将所述金属衬底/二维材料/目标衬底器件依次进行冷却处理与热退火处理，将所得器件中金属衬底剥离，得到目标衬底/二维材料器件，实现二维材料的转移。本发明通过键合技术将二维材料与目标衬底紧密结合，然后利用金属衬底与二维材料的热膨胀系数差异，基于冷却处理与热退火处理实现温度差从而使得二维材料与金属衬底分离，整个过程中不需要采用有机薄膜作为转移载体，不会在二维材料中引入杂质
一种二维材料转移方法

[发明专利]半导体元件-CN202010074465.7在审
发明人：林时彦;陈冠超;陈璿安;李伦铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件，包含基板、半导体二维材料层、导电二维材料层、栅极介电层，及栅极电极。半导体二维材料层配置于基板上方。导电二维材料层沿着半导体二维材料层延伸，其中导电二维材料层包含四族元素。栅极介电层沿着半导体二维材料层的沟道区域延伸。栅极电极配置于栅极介电层上。
半导体元件

[发明专利]纳米尺寸二维材料的溶剂热合成-CN201510660846.2有效
发明人：张瑞刚;凌晨;贾鸿飞 -专利权人：丰田自动车工程及制造北美公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及纳米尺寸二维材料的溶剂热合成。一种形成二维纳米材料的方法，其包括以下步骤：提供块状二维材料；提供碘化锂；在溶剂中悬浮碘化锂和块状二维材料以形成溶液；引发溶剂热反应以形成锂化的块状二维材料。可以在溶剂热反应之后剥离所得的锂化的块状二维材料以形成二维层状材料。
纳米尺寸二维材料溶剂合成

[发明专利]一种调控二维材料光学非线性效应的方法-CN202111511622.7在审
发明人：王俊;毛宇 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控二维材料光学非线性效应的方法，其包括步骤：提供一种二维材料；在所述二维材料上沉积金属层，通过所述金属层和所述二维材料之间的受激热载流子转移过程，实现对二维材料非线性效应的调控。本发明在二维材料上沉积金属层形成异质结构，通过金属层和二维材料之间的受激热载流子转移过程，实现对二维材料非线性效应的显著增强调控。本发明通过上述方法，大大提高了二维材料的非线性光学响应，可以大幅增强、并有效调控二维材料的非线性光学效应，为二维材料在非线性光学领域中的应用提供了方便、可靠、有效的调控手段。
一种调控二维材料光学非线性效应方法

[发明专利]一种二维材料的剥离和转移制备方法-CN202310861159.1在审
发明人：杜纯;黄兹淇;陈海霖;杨子逸;许泰生;马楚荣;段宣明 -专利权人：暨南大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料的剥离和转移制备方法，涉及二维材料制备技术领域。本发明将二维材料的单晶块体黏附在胶带上，将黏附有单晶块体的胶带进行对粘，得到黏附二维材料的胶带；将所述黏附二维材料的胶带进行加热；将加热的胶带平整黏附在置于载玻片上的PDMS薄膜上，将胶带撕下，二维材料被转移至载玻片的PDMS薄膜上，得到带有二维材料的载玻片；将所述带有二维材料的载玻片快速压制在衬底上，使PDMS薄膜与衬底紧密贴合，待二维材料黏附在衬底后，缓慢抬起载玻片，使PDMS薄膜与衬底分离，二维材料被转移至衬底上本发明实现了高产量、高效率和高平整度二维材料转移的制备。
一种二维材料剥离转移制备方法

[发明专利]二维码生成系统、读取装置-CN201711252964.5有效
发明人：黄燕云 -专利权人：宁波市民卡运营管理有限公司
申请日： 2017-03-05 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：二维码生成系统、读取装置以及识别方法，用于透明材料上二维码的喷涂以及识别；其中，通过在透明材料上印刷标准二维码图像以及反转二维码图像，根据透明材料内背景材料的颜色，确定使用标准二维码图像还是反转二维码图像识别二维码信息从而，不管透明材料二维码使用时其背景是深色或者浅色，都能够识别出二维码的信息，从而提高了二维码的识别性能。
二维码生成系统读取装置

[发明专利]一种基于衬底和辐照调控二维材料压电性能的方法-CN202111080675.8在审
发明人：侯鹏飞;张一鸣;欧阳晓平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于衬底和辐照调控二维材料压电性能的方法，步骤为：将二维材料制备或者转移到不同类型衬底上，利用二维材料与衬底界面的夹持效应调控其压电性能；将二维材料暴露在离子辐照源下，基于离子辐照技术进一步调控二维材料纳米片的压电性能本发明利用衬底和辐照调控二维材料压电性能，通过获得不同衬底上二维材料厚度、施加电压与振幅的关系，有效获得二维材料的压电常数。利用衬底和辐照调控二维材料压电性能，促进二维材料应用于薄机电耦合器件领域中，并根据实际需要调控压电性能。
一种基于衬底辐照调控二维材料压电性能方法

[实用新型]一种半导体结构-CN202021961995.5有效
发明人：王泓江;赵德刚 -专利权人：北京蓝海创芯智能科技有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型结构从下到上依次包括衬底、底层二维半导体材料、P型二维半导体材料、N型二维半导体材料和介质层，介质层两端分别设有P型金属电极、N型金属电极，P型二维半导体材料的功函数比底层二维半导体材料小，N型二维半导体材料的功函数比底层二维半导体材料大；本实用新型通过堆叠不同功函数的二维半导体材料，实现P型二维半导体材料产生P型掺杂、N型二维半导体材料产生N型掺杂，形成PN结构。本实用新型中P型金属电极与P型二维半导体材料的相变部分一接触，N型金属电极与N型二维半导体材料的相变部分二接触，保证金属电极与二维半导体材料的欧姆接触电阻小。
一种半导体结构

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