“二维材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10618882个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于二维材料反复转移的贴膜及制备、使用方法-CN201811202904.7在审
发明人：张莹莹;夏凯伦 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于二维材料反复转移的贴膜，包括：基膜和设置于所述基膜表面的聚合物层；所述基膜与所述聚合物层接触的表面具有粘性，所述基膜加热到预设温度时粘性失效；所述聚合物层可溶于有机溶液，且在所述有机溶液挥发后形成固体薄膜本发明还提供了该用于二维材料反复转移的贴膜的制备、使用方法。该贴纸通过在基膜上设置聚合物层，实现了干法转移任意基底上的二维材料，具有二维材料转移快速、无损、平整和便捷的优点，简化了二维材料转移的工序，缩短了转移的时间，提高了转移的便利性；同时，还可以有效揭除被转移至目标基底上的二维材料，实现二维材料的反复转移。
二维材料聚合物层基膜贴膜有机溶液制备干法转移固体薄膜基膜表面便利性目标基挥发基底揭除可溶贴纸无损预设加热平整

[发明专利]二维材料柔性衬底结构、焦平面光探测器阵列及制作方法-CN201611111160.9在审
发明人：王庶民 -专利权人：超晶科技（北京）有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供一种二维材料柔性衬底结构、焦平面光探测器阵列及制作方法，所述二维材料柔性衬底结构包括：支撑衬底；二维材料层，位于所述支撑衬底表面；图形化柔性衬底，位于所述二维材料层表面；所述图形化柔性衬底为包括若干个间隔分布的图形单元本发明的二维材料柔性衬底结构将图形化柔性衬底与二维材料层相结合，图形化柔性衬底与二维材料层界面的范德瓦尔斯键大大削弱了上下原子之间的吸引力，界面处形成的范德瓦尔斯力的强度远远小于共价键键能，图形化柔性衬底可以完全自我调节应变吸纳和释放应力
二维材料衬底图形化衬底结构光探测器阵列焦平面范德瓦尔斯力范德瓦尔斯衬底表面穿透位错间隔分布晶格结构图形单元自我调节共价键界面处柔性度键能支撑制作释放削弱

[发明专利]基于二维黑砷磷纳米材料的可饱和吸收体及其制备方法和激光器-CN202011024215.9在审
发明人：张晗;康绿红;舒怡青;张家宜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维黑砷磷纳米材料的可饱和吸收体，包括光波导以及设置于所述光波导上的二维黑砷磷纳米材料层；所述二维黑砷磷纳米材料层中二维黑砷磷纳米材料的厚度小于等于20nm。本发明基于二维黑砷磷纳米材料的可饱和吸收体在近红外至中红外波段的超快光子学中具有巨大的应用潜力，应用于激光器领域，能够制备出覆盖近红外至中红外波段的激光器。本发明还提供了基于二维黑砷磷纳米材料的可饱和吸收体的制备方法和包括该基于二维黑砷磷纳米材料的可饱和吸收体的激光器。
基于二维黑砷磷纳米材料饱和吸收体及其制备方法激光器

[发明专利]一种基于硼烯二维材料的自启动器件及自启动装置-CN202010030140.9在审
发明人：马春阳;张家宜 -专利权人：深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硼烯二维材料的自启动器件，包括光波导以及设置于所述光波导上的硼烯二维材料，所述硼烯二维材料用于调制光波导中传输的光束。该器件包括光波导以及设置于光波导上的硼烯二维材料，光波导中传输的光束经过硼烯二维材料的调制作用，将非脉冲的输入光转换成脉冲输出光，由此获得脉冲种子源，用于Mamyshev光纤振荡器的自启动过程。该基于硼烯二维材料的自启动器件具有结构简单、无需额外占用过多空间，对现有的Mamyshev光纤振荡器安装该基于硼烯二维材料的自启动器件相对容易、改造成本低等优点。本发明还提供了一种自启动装置。
一种基于二维材料启动器件装置

[发明专利]二维材料拉应变工程的激光冲击制备方法-CN202110427991.1在审
发明人：胡耀武;刘胜;程佳瑞;黄正;何亚丽;姜飞龙 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料拉应变工程的激光冲击制造方法，包括以下步骤：(1)在基底上沉积金属薄膜；(2)将沉积的金属薄膜通过热处理等方式形成金属纳米颗粒；(3)在热处理后的金属薄膜上转移单层或少层的二维半导体材料；(4)使用脉冲激光冲击的方法对转移的二维材料进行处理，使其产生局部的应变。本发明的激光冲击辅助二维材料产生应变的方法，能够在不损伤二维材料的前提下可控地产生局部的应变并能使局部应变长时间的保留，改变二维材料的能带结构，大幅提高二维材料的载流子迁移率等电学性能，可适用于高性能场效应晶体管等电子器件
二维材料应变工程激光冲击制备方法

[发明专利]一种二维材料晶体管结构及其制备方法-CN202210967917.3在审
发明人：杨雅芬;朱颢;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料晶体管结构及其制备方法，通过在半导体衬底上形成二维材料层，形成覆盖于二维材料层沟道区上的保护层，并露出二维材料层上的源接触区和漏接触区，将源接触区和漏接触区浸入在用于Li插层的试剂中浸泡，使源接触区和漏接触区的二维材料层通过Li插层引发相变，由半导体态2H相被诱导形成金属态1T相，且与沟道区的2H相的二维材料层之间在界面上形成2H‑1T同质结，同时以2H相的二维材料作为沟道，从而增强了晶体管器件的导通性能
一种二维材料晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种二维晶体材料的超低温普适制备方法-CN202310311268.6在审
发明人：张礼杰;张克难;赵梅;佘宜洪 -专利权人：温州大学新材料与产业技术研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维晶体材料的超低温普适制备方法，属于半导体材料技术领域。首先通过物理气相沉积法在衬底上制备碘化铅、碘化铋、碘化亚铟、碘化钴、碘化亚铁、碘化锡、碘化铬、碘化亚铜、碘化锰、碘化锌、碘化镍、碘化铂、碘化锑的二维晶体材料。通过超低温原子替代法将上述二维碘化物二维晶体材料中的碘原子替换为硫原子、硒原子、碲原子，成功合成了13种二维硫化物晶体材料、13种二维硒化物晶体材料、13种二维碲化物晶体材料。
一种二维晶体材料超低温制备方法

[发明专利]一种二维材料的转移系统-CN201810860391.2有效
发明人：姜玄策;张立源;陈千雪 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种二维材料的转移系统，该系统通过采用对准装置检测转移基片载物台上的转移基片与目标基片载物台上的目标基片是否对准，并将对准检测结果反馈至主控制装置，使得主控制装置能够根据对准检测结果，控制转移基片控制装置调节转移基片载物台的位置和/或控制目标基片控制装置调节目标基片载物台的位置，并在转移基片与目标基片对准后，将转移基片上的二维材料转移至目标基片上。本发明实施例提供的二维材料的转移系统，能够采用智能化、自动化的方式实现二维材料的转移，提高二维材料的对准转移精度，使得二维材料的转移过程简单化，进而节省了人力成本和二维材料的制备成本。
一种二维材料转移系统

[发明专利]二维材料膜的批量大面积制备方法-CN201510408816.2有效
发明人：游学秋;罗达 -专利权人：游学秋
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维材料膜的批量大面积制备方法，其制备方法是：a.首先在生长基底表面生长出二维材料薄膜；b.生长有二维材料薄膜的生长基底通过蒸汽进行插层处理；c.然后将聚合物涂覆在二维材料薄膜上；d.将二维材料薄膜转移到聚合物基底上；e.将转移至聚合物基底的二维材料薄膜与生长基底分离。步骤e之后，将转移到聚合物基底上的二维材料薄膜再次转移到另一个目标基底上，腐蚀去除聚合物基底。有益效果是：生长基底可以循环利用，操作方便，工艺简单，大大提高了生产效率，降低了生产成本。
二维材料薄膜聚合物基生长基制备薄膜转移表面生长插层处理生产效率循环利用聚合物目标基去除涂覆蒸汽生产成本腐蚀生长

[发明专利]一种精准转移二维材料的方法及其应用-CN202010554550.3有效
发明人：李耀东;翁士瑞;甄伟立;朱文卡;张昌锦 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种精准转移二维材料的方法及其应用，包括以下步骤：在衬底上获取二维材料，旋涂PMMA形成PMMA膜，使二维材料附着在PMMA膜下方；将PMMA膜与衬底分离，利用透明载体粘附PMMA膜；将附着有PMMA膜的透明载体倒贴在位移台的机械臂上，将其转移至目标衬底的目标位置；依次去除透明载体、PMMA膜，即可实现二维材料的精准转移。本方法同时适用于通过气相沉积和机械剥离制得的二维材料，且可以将二维材料准确转移到某一个确定点位置，使其在二维材料异质结制备以及器件电极制备领域发挥极大的优势；本方法适用范围广、效率高，转移介质少，观察更清晰
一种精准转移二维材料方法及其应用

[发明专利]二维多孔材料的动态压缩力学性能参数的计算方法-CN201110280707.9无效
发明人：孙德强;谢利;刘淼 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维多孔材料的动态压缩力学性能参数的计算方法，按照以下步骤进行：利用ANSYS/LS-DYNA软件建立有限元计算模型，将二维多孔材料放在水平设置的上压板和固定支撑板之间，使上压板匀速向下运动向该二维多孔材料施加载荷；对该二维多孔材料有限元计算模型划分网格，启动计算。通过LSPREPOSTD软件对计算结果进行后处理软件，得到二维多孔材料与上压板之间的接触力和各种响应曲线；最终通过公式计算二维多孔材料压缩力学性能参数。本发明方法能满足高速和低速压缩载荷条件下二维多孔材料的动态压缩力学参数的求解，结算结果可靠，运算简便快捷。
二维多孔材料动态压缩力学性能参数计算方法

[实用新型]一种基于硼烯二维材料的自启动器件及自启动装置-CN202020058754.3有效
发明人：马春阳;张家宜 -专利权人：深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于硼烯二维材料的自启动器件，包括光波导以及设置于所述光波导上的硼烯二维材料，所述硼烯二维材料用于调制光波导中传输的光束。该器件包括光波导以及设置于光波导上的硼烯二维材料，光波导中传输的光束经过硼烯二维材料的调制作用，将非脉冲的输入光转换成脉冲输出光，由此获得脉冲种子源，用于Mamyshev光纤振荡器的自启动过程。该基于硼烯二维材料的自启动器件具有结构简单、无需额外占用过多空间，对现有的Mamyshev光纤振荡器安装该基于硼烯二维材料的自启动器件相对容易、改造成本低等优点。本实用新型还提供了一种自启动装置。
一种基于二维材料启动器件装置

[实用新型]太阳能电池-CN202220050791.9有效
发明人：朱瑞;朱健;郝成龙;谭凤泽 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：该太阳能电池包括超表面、二维材料层、正极、负极和衬底；其中，所述超表面包括阵列排布的纳米结构，且所述纳米结构为P型半导体；所述二维材料层包括具有直接带隙的N型二维半导体材料；所述正极、所述超表面、所述二维材料层和所述负极依次连接并设置于所述衬底的同一侧；其中，所述超表面位于所述二维材料层的上方，且所述超表面和所述二维材料层至少部分重叠，形成PN结。该太阳能电池利用超表面和二维材料层的共同作用，增加了太阳能的光能利用率，提升了太阳能的吸光效率。
太阳能电池

[实用新型]一种电流路径调控型应力探测装置-CN202222022200.X有效
发明人：庞凝;黄洁;向志丹;温若澜;杨俊;王梦茹;解宜原 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及应力探测技术领域，具体涉及一种电流路径调控型应力探测装置，包括基底、弹性层、二维材料层、电极等。应用时，将基底粘附在待测物体上，待测物体中的应力通过基底、弹性层，带动二维材料层产生形变，改变二维材料层的导电特性，通过二维材料层导电特性的变化实现应力探测。在本实用新型中，二维材料层导电特性较少地受到基底温度的影响，测量结果准确。另外，待测物体应力不仅改变了二维材料层中的应力，而且改变了孔洞附近的介电分布，导致孔洞附近的电流路径发生变化，从而更多地改变了二维材料层的导电特性。
一种电流路径调控应力探测装置

[发明专利]一种二维材料场效应晶体管的制造方法-CN202310095254.5在审
发明人：台国安;侯闯 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料场效应晶体管的制造方法，属于半导体晶体管领域，所述方法包括如下步骤：在衬底上直接生长二维材料层；在二维材料层表面蒸镀易自氧化的金属层；旋涂光刻胶，曝光显影，刻蚀使形成多阵列矩形的基二维材料与金属结构，并去除光刻胶；旋涂光刻胶，通过曝光显影在矩形边缘定义源极和漏极，通过沉积获得源极和漏极，去除光刻胶；旋涂沟道光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，使金属层自氧化得到栅介质，沉积栅金属并刻蚀掉多余的二维材料层；本发明提供了一种直接在本征硅衬底上直接生长二维材料层，且沟道处的二维材料得到了很好的保护，得到洁净的二维材料场效应晶体管。
一种二维材料场效应晶体管制造方法