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[发明专利]高熵二维材料、高熵MAX相材料及其制备方法-CN202110023188.1在审
发明人：杨树斌;杜志国 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C01B32/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵二维材料、高熵MAX相材料及其制备方法，其中，高熵二维材料具有二维片层结构，由M元素和X元素组成，其中，所述M元素选自IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII、IB、IIB族中的至少五种金属元素，X元素选自IIIA、IVA、VA和VIA中的至少一种非金属元素；高熵MAX相材料的化学通式为Mn+1AXn，能够作为制备高熵二维材料前躯体，通过刻蚀其中的A组分得到高熵二维材料，本发明的高熵二维材料具有超薄的二维片层结构，同时表面具有大量的金属原子暴露，从而赋予二维材料新的性能。
二维材料 max 及其制备方法

[发明专利]一种双通道检测的生化传感器-CN202111328517.X在审
发明人：张晓艳;符汪洋;包磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维材料量子电容‑电导双通道检测的分析型生化传感器：包括衬底和溶液；所述衬底上设有二维材料层；所述二维材料层两端设有源、漏电极，构成二维材料面内电导检测传感通道；所述溶液中设有液栅电极，其与二维材料层构成面外的量子电容检测传感通道。本发明的传感器将二维材料优异的电导性能与其量子电容特性耦合，构建出能解耦二维材料电导并分析二维材料载流子浓度及迁移率变化的生物化学检测器件，无需搭载霍尔分析所必须的永磁体，可与半导体工艺及便携式现场检测需求兼容
一种双通道检测生化传感器

[发明专利]一种二维材料光电子芯片及其制备方法-CN202310249566.7在审
发明人：尹志军;范宁;崔国新;叶志霖;汤济;许启诚 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料光电子芯片及其制备方法，制备方法包括：获取待镀膜的衬底晶元；在衬底晶元表面依次制备金属薄膜和氮化硅薄膜；在具备金属镀膜和氮化硅薄膜的晶圆表面，按照预设的芯片图案区域，生长二维材料；对二维材料按照预设形状进行激光切割；在中间样品表面进行原子层沉积，在二维材料表面沉积超薄介质薄膜，使超薄介质薄膜覆盖于中间样品表面；在超薄介质薄膜的表面制备金属薄膜电极；将目标样品与印刷电路板键合，得到二维材料光电子芯片本申请提供的的方法采用原子层沉积(ALD)技术，在二维材料表面沉积超薄介质薄膜，形成的超薄介质薄膜能够保护内部的二维材料，使二维材料不因半导体加工工艺而破坏。
一种二维材料光电子芯片及其制备方法

[发明专利]一种表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610039779.7有效
发明人：林时胜;李晓强 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池，该太阳能电池自下而上依次有背面电极、半导体衬底、二维材料和金属量子点层，在二维材料层上还设有正面电极，在半导体衬底与二维材料层之间设有电极绝缘层其制备方法如下首先在半导体衬底一面制作背面电极，之后在另一面制作电极绝缘层，然后将二维材料转移至半导体衬底上，再在二维材料上制作金属量子点层以及正面电极。本发明的表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池利用表面等离子共振提高二维材料/半导体异质结太阳能电池的转化效率，工艺简单，便于推广。
一种表面等离子增强二维材料半导体异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种二维材料的折叠系统及其使用方法-CN201810214493.7有效
发明人：万能;徐康;赵小康;邵志勇 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： B65H45/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料的折叠系统及其使用方法。在衬底上放置二维材料；将热释放胶带的黏性面粘在折纸臂上。通过显微镜筒，操控XYZR四轴微调平台和XYZ三轴微调平台，使得热释放胶带的另一面对准二维材料后，向下移动折纸臂，使得热释放胶带与二维材料紧密接触并粘合；抬起折纸臂，使得二维材料部分从衬底剥离；横向移动折纸臂，对二维材料进行形变弯折；向下移动折纸臂并施加一定的压力，对获得的结构进行定型；加热折纸臂上的热释放胶部分，对二维材料进行释放；释放后，向上移动折纸臂，获得经过折叠的二维材料；重复该操作，获得所需折叠结构
二维材料折纸热释放胶带向下移动折叠系统微调衬底剥离显微镜筒向上移动折叠结构释放热释放折叠的黏性面形变粘合操控衬底定型三轴四轴抬起弯折加热对准施加重复

[发明专利]利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法-CN201810080254.7有效
发明人：丛琳;赵伟;张金;蔡裕谦;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-01-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底表面形成有二维纳米材料；将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底形成有二维纳米材料的表面；用腐蚀液去除所述第一基底，并将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗；提供一目标基底，利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述目标基底与所述二维纳米材料贴合；去除所述碳纳米管膜结构，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。
利用纳米转移二维材料方法

[发明专利]二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料的制备及应用-CN202111533841.5有效
发明人：喻学锋;吴列;杨帆 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明属于材料领域的异质结复合材料技术领域，尤其是二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料的制备及应用。本发明提通过制备二维硒化铋纳米片进一步构建二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料，将纤维磷分散于有机溶剂中，加入铜盐和二维硒化铋纳米片，加热反应，即得二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料。二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料以二维硒化铋纳米片为基底，基底上覆盖二维磷化亚铜纳米带，该复合材料能在空气环境中能够保持两个月之久，同时利用磷化亚铜在近红外的吸收，增强了材料在近红外长波段(1100nm
二维磷化硒化铋异质结复合材料制备应用

[发明专利]高精度定向转移二维材料的系统、方法和用途-CN202311036419.8有效
发明人：王海东;罗旭雯 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了高精度定向转移二维材料的系统、方法和用途。该转移二维材料的系统用于制备异质结，二维材料用于形成异质结，该系统包括：微米级切刀、微米级夹取装置、微米级探针、操作平台、显示装置、驱动装置、控制单元，驱动装置与微米级切刀、微米级夹取装置、微米级探针相连；控制单元与驱动装置和显示装置相连，且适于通过显示装置放大操作平台的操作画面和二维材料的位置，以及基于驱动装置执行以下操作：控制微米级切刀对位于操作平台上的二维材料进行切割、控制微米级夹取装置对二维材料进行转移、控制微米级探针对二维材料进行辅助定位。该系统结构简单，操作方便，能够精确控制二维材料转移，实现高精度异质结的制备。
高精度定向转移二维材料系统方法用途

[发明专利]堆叠的二维材料以及生产包含该材料的结构的方法-CN201580024183.3在审
发明人：肖恩·P·弗菜明;彼得·V·拜德沃斯;小大卫·F·凯西;斯科特·E·海斯;马修·M·卡普兰齐克;史蒂文·W·西恩特;兰德尔·M·斯蒂尔伯格;雅各布·L·斯维特;大卫·B·图罗夫斯基;刘晗 -专利权人：洛克希德马丁公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B01D63/08 文献下载
摘要：公开了包含第一片具孔二维材料以及设置在第一片具孔二维材料的表面与结构基底的表面和第二片具孔二维材料的表面中的至少一个之间的第一多个间隔件的结构，以及相关方法。所述结构还可以包含结构基底、第二多个间隔件，与所述第一片具孔二维材料和/或所述第二片具孔二维材料和/或结构基底表面中的形貌特征直接接触的另外的具孔二维材料片。
堆叠二维材料以及生产包含结构方法

[发明专利]一种高性能异质结及其制备方法-CN202210511943.5在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种高性能异质结及其制备方法，包括二维材料MoTe2和二维材料InSe组成的异质P‑N结，二维材料MoTe本发明的异质结，包括二维材料MoTe2和二维材料InSe组成的异质P‑N结，二维材料MoTe2层和二维材料InSe层存在相互堆叠部分，两种材料两端分别用Au做电极，二维材料MoTe2层、二维材料InSe层及其第一Au电极层和第二Au电极层成十字交叉，形成人工叠加不同二维材料的范德华异质结构，
一种性能异质结及其制备方法

[发明专利]一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用-CN201910190110.1有效
发明人：佘峻聪;李国赫;黄一峰;邓少芝;许宁生;陈军 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用，所述器件结构包括依次层叠设置的第一电极、铁电材料、二维原子晶体材料、绝缘层和第三电极，以及与所述绝缘层并排设置在所述二维原子晶体材料一侧的第二电极；所述第二电极与绝缘层覆盖所述二维原子晶体材料的面积之和小于所述二维原子晶体材料的面积；所述铁电材料与二维原子晶体材料之间仅存在范德华力；所述二维原子晶体材料的原子层层数为2～10层。本发明提供的器件结构制备工艺简单，能够实现二维原子晶体材料平面高效、低压的场发射调控，器件能耗较低，可作为片上集成场致电子发射结构在微纳真空电子器件上获得应用。
一种材料极化调控二维原子晶体发射器件结构及其制备方法应用

[发明专利]基于二维材料的多功能光敏突触器件及其制备方法-CN202210072308.1在审
发明人：徐杨;周嘉超;李涵茜;徐心艺;田丰;陈丽;陈安哲;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明公开一种基于二维材料的多功能光敏突触器件及其制备方法，器件包括：衬底，设置于衬底上方的栅极、源极、漏极及堆叠结构，所述堆叠结构包括第一二维材料层、第二二维材料层及第三二维材料层，栅极设置在衬底上方，栅极上方依次覆盖第一二维材料层、第二二维材料层及第三二维材料层，第三二维材料层上方分别覆盖源极及漏极且源极与漏极之间形成沟道。第二二维材料层中包括缺陷态的六方氮化硼，第一二维材料层作为吸光层，第二二维材料层作为隔离层，第三二维材料层作为读出层。本发明器件结构简单，工作原理简洁易懂，制备工艺简单，易于上手；基于纯二维薄膜材料垂直堆叠，尺寸小，有利于高密度高集成度的需要。
基于二维材料多功能光敏突触器件及其制备方法

[实用新型]一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结-CN201921891697.0有效
发明人：卞正;高丽;王欣然;疏静 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硼封装的二维有机‑无机异质结，属于二维半导体材料领域。包括衬底、底部封装层、二维纳米层和顶部封装层四部分。其中衬底的材质为硅片；底部封装层的材质为二维氮化硼，设置在所述衬底上；二维纳米层，由至少两层的二维有机材料和/或二维无机材料形成的层状异质结结构，并设置在所述底部封装层上；顶部封装层的材质为二维氮化硼，设置在所述二维纳米层的另一侧。本实用新型通过采用氮化硼代替传统玻璃薄膜作为封装层，不仅能够起到很好的封装作用，能隔绝外界水氧对二维材料的影响，而且能够增加电子迁移率。
一种氮化封装二维有机无机异质结

[发明专利]二维材料的剥离方法-CN202110877434.X在审
发明人：赵梓俨;李伟;赵梓权;刘帅卓;李鹏辉;万文超 -专利权人：成都嗪环科技有限公司
申请日： 2021-07-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C08J3/20 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种二维材料的剥离方法。利用二维材料与热塑性塑料加热熔融的方式，不仅完成了材料的添加，同时完成了二维材料在塑料中的剥离与分散，解决目前二维材料剥离所存在的效率低、产量低、操作繁琐等问题，还可以加强塑料的耐热性、催化性、抗菌性、力学性能等特性，极大地拓展了二维材料的应用。
二维材料剥离方法

[发明专利]一种石墨烯包覆的二维材料或石墨烯的制造方法-CN201910145173.5在审
发明人：陶潜;陶醉 -专利权人：浙江普绿世新材料科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯包覆的二维材料或石墨烯的制造方法。具体步骤为：将二维材料先后在热的弱酸溶液和固相碳源的溶液中浸泡后烘干，然后再在隔离剂的溶液中浸泡后烘干，得到前驱物；将前驱物放进CVD炉中反应，使得固相碳源受热裂解，再进行提纯，得到石墨烯包覆的二维材料；进行上述步骤后，可选的，将面积较大的表面包覆有石墨烯的二维材料进行四周切边，露出材料的截面后进行蚀刻剥离，制得纯净的二维材料。与现有技术相比，本申请有益效果是：所制得的以二维材料包覆的材料，成本低，二维材料的单层率高，且无污染。
二维材料石墨烯包覆的固相碳前驱物烘干浸泡蚀刻表面包覆弱酸溶液受热隔离剂可选的提纯单层裂解切边制造剥离申请

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