“下介质层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7325796个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多介电常数/多层介质带状线结构的定向耦合器-CN200910173607.9无效
发明人：陈兵红 -专利权人：陈兵红
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：一种多介电常数/多层介质带状线结构的定向耦合器，包括顶层地、中间地、底层地、至少三层介质层，其中包括上介质层、第一中间介质层和下介质层，相互耦合的主信号线和耦合线；在所述第一中间介质层的上、下两面分别设有主信号线、耦合线和中间地，所述中间地分别与所述主信号线和耦合线绝缘，在所述主信号线之上设有上介质层，在所述上介质层上底面上设有顶层地，在所述耦合线之下设有下介质层，在所述下介质层之下设有底层地；所述顶层地、中间地和底层地串联本发明的主要优点就是采用多种介电常数及多层介质的带线结构，因此承载功率大，体积小。
介电常数多层介质带状线结构定向耦合器

[实用新型]多介电常数/多层介质带状线结构的定向耦合器-CN200920169610.9无效
发明人：陈兵红 -专利权人：陈兵红
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：一种多介电常数/多层介质带状线结构的定向耦合器，包括顶层地、中间地、底层地、至少三层介质层，其中包括上介质层、第一中间介质层和下介质层，相互耦合的主信号线和耦合线；在所述第一中间介质层的上、下两面分别设有主信号线、耦合线和中间地，所述中间地分别与所述主信号线和耦合线绝缘，在所述主信号线之上设有上介质层，在所述上介质层上底面上设有顶层地，在所述耦合线之下设有下介质层，在所述下介质层之下设有底层地；所述顶层地、中间地和底层地串联本实用新型的主要优点就是采用多种介电常数及多层介质的带线结构，因此承载功率大，体积小。
介电常数多层介质带状线结构定向耦合器

[发明专利]悬臂梁式压电驱动及压电检测的瓦斯传感器-CN201110077293.X有效
发明人：马洪宇;丁恩杰;张卫东 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种悬臂梁式压电驱动及压电检测的瓦斯传感器，硅衬底上设有以介质层作为结构层的悬臂梁，悬臂梁根部设有对称排列、结构相同的第一、第二压电单元，压电单元包括压电层、设在压电层上下的上电极和下电极，下电极设在介质层上，下电极是下电极金属层的一部分，设有隔离介质层覆盖介质层、压电层和下电极金属层，上电极设在压电层上部的隔离介质层上，悬臂梁的隔离介质层上设有超分子化合物薄膜作为瓦斯敏感层，悬臂梁之外的隔离介质层旁设有连接下电极的下电极引线和连接上电极的上电极引线
悬臂梁压电驱动检测瓦斯传感器

[发明专利]压电驱动结构、压电微镜和压电微镜制备方法-CN202210150504.6在审
发明人：焦文龙;严阳阳;杨芋;彭文;谢会开 -专利权人：北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明公开了压电驱动结构、压电微镜和压电微镜制备方法，所述压电驱动结构包括压电层、压电层上方连续的上电极和压电层下方连续的下电极，所述上电极上方一端设置有上介质层，所述下电极下方设置有下介质层，所述上介质层和所述下介质层长度小于所述压电层，在所述压电层所处的水平面上所述上介质层和所述下介质层在水平方向不完全重合。
压电驱动结构制备方法

[发明专利]支撑框架结构及其制作方法-CN202010599238.6有效
发明人：陈先明;冯进东;黄本霞;冯磊;赵江江;王闻师 -专利权人：珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种支撑框架结构制作方法和支撑框架结构，该方法包括步骤：提供包括支撑区和开口区的金属板；在支撑区的上下表面分别光刻形成上介质开孔和下介质开孔，上介质开孔和下介质开孔之间连接有金属间隔；在金属板上表面形成上金属柱，并层压上介质层，上介质层覆盖上金属柱和上介质开孔；刻蚀金属间隔，在金属板下表面形成下金属柱，并层压下介质层，下介质层覆盖下金属柱和下介质开孔；对上表面和下表面对应的上介质层、下介质层以及上金属柱、下金属柱进行磨平并贴附感光干膜
支撑框架结构及其制作方法

[发明专利]可钢化双银镀膜玻璃-CN202010064600.X在审
发明人：吕宜超;宋宇;谭小安;黄颖;熊建;刘莹;刘双 -专利权人：深圳南玻科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开的一种可钢化双银镀膜玻璃，包括基底和依次形成于基底同一侧面上的第一介质层、第一种子层、第一功能层、第一保护层、第二介质层、第二种子层、第二功能层、第二保护层、第三介质层，其中，第二介质层包括依次排列的第二下子介质层、第二下中间层、第二上中间层以及第二上子介质层，第二下子介质层与第一保护层相邻，第二上子介质层与第二种子层相邻，第二下中间层选自于银层和铜层之一，第二上中间层选自于银层和铜层之另一；可钢化双银镀膜玻璃还包括位于第一保护层与第二介质层之间的第一热稳介质层和/或位于第二保护层与第三介质层之间的第二热稳介质层。
可钢化双银镀膜玻璃

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202310115176.0在审
发明人：肖凡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供依次层叠设置的基底、第一介质层、第二介质层以及掩膜层，第一介质层的材料与第二介质层的材料不同，且基底内具有多个分立的着落垫，掩膜层内具有多个贯穿掩膜层的开口；以掩膜层为掩膜，沿开口刻蚀第二介质层以及第一介质层，直至露出着落垫，形成贯穿第二介质层以及第一介质层的多个第一通孔，且每一第一通孔露出相应的一着落垫；形成下电极膜，下电极膜至少填充满开口以及第一通孔；去除掩膜层以及高于第二介质层顶面的下电极膜，剩余的下电极膜作为下电极层。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种偏振无关宽角度石墨烯吸收器-CN201810156239.6在审
发明人：郑改革;邹秀娟 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏振无关宽角度石墨烯吸收器，该石墨烯吸收器包括金属基底以及设置在金属基底上的多层光栅脊，多层光栅脊为自上而下依次叠置的上石墨烯层、上电介质层、下石墨烯层和下电介质层构成的光栅结构；上石墨烯层、上电介质层、下石墨烯层和下电介质层均为长宽相同的长方形片体，并且上石墨烯层的厚度和下石墨烯层的厚度相同且小于上电介质层的厚度；下电介质层的厚度大于上电介质层的厚度；当正入射光以TE偏振方式入射到多层光栅脊上时，多层光栅脊作为一个共振腔，入射光与多层光栅脊、金属基底相互作用产生腔模式共振，引起光吸收增强；当正入射光以TM偏振方式入射到多层光栅脊上时，入射光在下层电介质层与金属基底的界面处产生磁共振。
光栅石墨烯层多层上电介质层金属基下电介质层石墨烯吸收器偏振无关入射光正入射入射下层电介质层长方形片体光栅结构磁共振共振腔光吸收界面处共振叠置

[发明专利]半导体存储器件及其制备方法-CN202010267452.1在审
发明人：权俊模 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成若干个间隔排布电容孔；于电容孔内形成下电极层；去除顶层介质层；于暴露出的牺牲层的表面及下电极层的上部表面形成第一电容介质层；于第一电容介质层的表面形成第一上电极层；于第一上电极层及第一电容介质层内形成多个开口；基于开口去除牺牲层；至少于下电极层的表面及暴露出的底层介质层的表面形成第二电容介质层；于第二电容介质层的表面形成第二上电极层本发明的第一电容介质层及第一上电极层既可以起到支撑层的作用，又可以与下电极层形成电容，从而可以增大柱状电容的电容容量。
半导体存储器件及其制备方法

[实用新型]一种玻璃陶瓷的高速LTCC基板-CN201721419985.7有效
发明人：刘兆;李瑞;贺永宁;李健凤;曹军 -专利权人：泰州市博泰电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种玻璃陶瓷的高速LTCC基板，包括绝缘介质材料层，所述绝缘介质材料层上方设有尺寸、形状与绝缘介质材料层相匹配的上散热层，该上散热层的内部为中空结构，且上散热层的中空结构中嵌设有上散热硅胶件，所述绝缘介质材料层下方设有尺寸、形状与绝缘介质材料层相匹配的下散热层，该下散热层的内部为中空结构，且下散热层的中空结构中嵌设有下散热硅胶件，在上散热层上面由下至上依次设有上LTCC复合材料粘结片和上铜箔层，在下散热层下面由上至下依次设有下LTCC复合材料粘结片和下铜箔层。本实用新型可靠性好、热导率高、绝缘性佳、耐热性能强，通过上散热层和下散热层的设置，能有效提高基板的散热效果。
散热层绝缘介质材料层中空结构玻璃陶瓷复合材料散热硅胶粘结片匹配本实用新型耐热性能散热效果上铜箔层下铜箔层绝缘性热导率基板

[发明专利]一种集成电容器及其制备方法-CN202211436445.5在审
发明人：雷嘉成;彭昊炆;许东 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、凹槽、第二介质层及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层的上表面，下极板层沿X方向的长度小于介电层沿X方向的长度；第一介质层中设有凹槽，第一介质层覆盖凹槽两侧介电层的上表面及下极板层的显露表面，凹槽位于下极板层上方，凹槽底面显露出下极板层的上表面；第二介质层覆盖第一介质层上表面及凹槽的内壁和底面；上极板层位于第二介质层的上表面本发明通过形成位于第一介质层中的凹槽之后，再依次形成第二介质层及填充凹槽的上极板层，避免了形成凹槽时损伤第二介质层，简化了器件结构。
一种集成电容器及其制备方法

[发明专利]三银镀膜玻璃-CN202011416468.0在审
发明人：吕宜超;刘莹;谭小安;宋宇;熊建;黄颖;周泓崑 -专利权人：深圳南玻应用技术有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开的一种三银镀膜玻璃，包括玻璃基板和依次在玻璃基板同一侧面上形成的第一介质层、第一打底层、第一功能层、第一金属阻挡层、第二介质层、第二打底层、第二功能层、第二金属阻挡层、第三介质层、第三打底层、第三功能层、第三金属阻挡层、第四介质层，其中，第二介质层包括依次排布的第二下子介质层、第二中间层、第二上子介质层，第二下子介质层与第一金属阻挡层相邻，第二上子介质层与第二打底层相邻；第三介质层包括依次排布的第三下子介质层、第三中间层、第三上子介质层，第三下子介质层与第二金属阻挡层相邻，第三上子介质层与第三打底层相邻；第二中间层、第三中间层分别选自于铜镍合金、铜钛合金、铜铬合金以及铜锌合金。
镀膜玻璃

[发明专利]一种小型化微机械滤波器-CN201210322898.5有效
发明人：杜波;马晋毅;江洪敏;曹家强;杨靖;蒋欣 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：该滤波器基于微机械工艺制作，由上、下两层介质材料叠加而成；上介质层下表面有交指型金属电极层；下介质层上表面有接地键合焊环，焊环之间有采用刻蚀工艺制备的空腔；上、下介质层上均设有通孔，通孔内壁有金属层；上、下介质层表面有表面电极层，其中，上介质层表面设有输入、输出引出线。
一种小型化微机滤波器

[发明专利]一种集成电容器及其制备方法-CN202211435807.9在审
发明人：雷嘉成;许东;彭昊炆 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、第二介质层、接触孔、焊垫及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层上表面，在X方向下极板层的长度小于介电层的长度；第一介质层覆盖下极板层显露表面；第二介质层覆盖第一介质层上表面；接触孔位于下极板层上方的第二介质层中且底面显露出下极板层；焊垫覆盖接触孔内壁及底面并与下极板层电连接，上极板层位于下极板层上方的第二介质层的上表面本发明通过低温形成覆盖下极板层的第一介质层之后形成高温工艺的第二介质层，避免了炉管的污染下极板层有效面积变化，降低了维护炉管频率及维护成本。
一种集成电容器及其制备方法

[发明专利]有高介电常数的电介质和厚电极的电容器及其制造方法-CN98115071.3无效
发明人：山口弘 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-05-28 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供一种有高介电常数的电介质和厚的下电极的电容器，使漏导电流减小。厚的下电极形成在层间绝缘层上。通常，层间绝缘层形成在半导体衬底上。下电极有顶面、底面和侧面，顶面与层间绝缘层相对。下电极顶面上形成与其接触的绝缘帽层。绝缘帽层覆盖下电极顶面，不覆盖下电极侧面。形成覆盖下电极和绝缘帽层的电容器介质层。电容器介质层与绝缘帽层和下电极的侧面接触。电容器介质层上形成与其接触的上电极。电容器介质层夹在上下电极之间以构成电容器结构。层间绝缘层的一部分的厚度比其余部分的厚度厚。
介电常数电介质电极电容器及其制造方法