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[发明专利]高一致性的电阻型存储器及其制备方法-CN201010228039.0无效
发明人：林殷茵;王明;杨玲明;王艳良 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第一介质层的交界区域、并仅暴露下电极的中部区域；以第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层
一致性电阻存储器及其制备方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510616088.4有效
发明人：许高博;殷华湘;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种铁电栅介质层的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上淀积高k栅介质层；在所述高k栅介质层上淀积应力层；在所述高k栅介质层中引入掺杂元素；对所述高k栅介质层进行退火处理，实现高k栅介质层的相变，从而形成铁电栅介质层。本发明提供的铁电栅介质层的制造方法，通过在高k栅介质层中引入掺杂元素，在应力层的夹持作用下退火形成具有铁电属性的高k栅介质层，该方法有利于与CMOS工艺相兼容，提高铁电材料在小尺寸半导体器件中的应用。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种血液输送用静电蠕动泵-CN201910921059.7有效
发明人：陈松;刘海东;钱超平;俞迈;黄子健;罗罕频 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： A61M5/145 文献下载
摘要：从上到下依次由上盖板、电极层、隔离层、振动层、介质腔板、下盖板连接而成；所述电极层、隔离层、振动层、介质腔板相连构成第一驱动单元、第二驱动单元、第三驱动单元；介质腔板从左至右设有第一介质腔、第二介质腔、第三介质腔；第一介质腔、第二介质腔、第三介质腔内均填充有一定压力的流体介质；下盖板上表面设有凹槽，柔性薄膜工作时变形均作用于凹槽；凹槽通过缓冲腔与进出口相连。
一种血液输送静电蠕动

[发明专利]一种大功率立体堆叠三维集成射频前端微系统-CN202210198450.0在审
发明人：张睿;祁冬;张先荣;朱勇;王志辉;陆宇;蒲韵溪;邱钊;张凯;黄明;赵永志;齐腾飞;赵宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率立体堆叠三维集成射频前端微系统，所述射频前端微系统为立体堆叠结构，所述立体堆叠结构包括下SiP和上SiP，所述下SiP与上SiP之间通过球栅阵列封装BGA或SMD实现信号互联，所述射频前端微系统信号输出通过下SiP的下底面以BGA或SMD的形式完成；所述下SiP与上SiP分别包括若干介质层，各介质层的上下表面均生长有金属布线层，各介质层通过晶圆级键合的方式完成堆叠与密封，各介质层间通过金属化介质通孔完成信号垂直互连；所述下SiP与上SiP中通过对各层介质的选择性刻蚀与晶圆级键合形成供器件异构掩埋的若干独立微腔。
一种大功率立体堆叠三维集成射频前端系统

[实用新型]一种圆极化漏波天线-CN201220635717.X有效
发明人：冯春楠;张欣;杜江;王金龙;刘璇;傅佳辉 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开可一种圆极化漏波天线，所述天线从上到下依次包括：上金属层(301)、第一中间导电介质层(302)、中间金属层(303)、第二中间导电介质层(304)和具有电极的下金属层(305)；所述上金属层(301)包括天线贴片图案(40)，所述中间金属层(303)包括馈线图案(60)，所述馈线图案(60)形成二极管馈线；所述天线贴片图案(40)和所述馈线图案(60)通过第一中间导电介质层(302)的过孔连接；所述馈线图案(60)与下金属层(305)的电极通过第二中间导电介质层(304)的过孔连接。
一种极化天线

[发明专利]一种自选通存储器-CN202310311669.1在审
发明人：朱敏;宋志棠;赵梓豪 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种自选通存储器，包括上电极(2)、与上电极(2)相接触的上介质层(3)、下电极(6)、与下电极(6)相接触的下介质层(5)以及夹设于所述上介质层(3)和下介质层(5)之间的开关材料层(4)。
一种自选通存

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN201310122638.8无效
发明人：孙华军;王青;张金箭;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该忆阻器从上往下依次包括上电极、存储介质层、下电极和下电极引导层，导电性良好的下电极引导层起到直接引出下电极的作用。制备忆阻器时首先制备下电极引导层，然后在同一次淀积工艺中依次将下电极和存储介质层淀积在下电极引导层上，避免了制备两层薄膜间的清洗、光刻等其他工艺步骤，起到保护存储介质层和下电极界面的作用。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202011062710.9在审
发明人：郭崇永;金兴成 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括：基底，基底上形成有选择开关晶体管；第一介质层，第一介质层位于基底的上表面，且第一介质层覆盖选择开关晶体管；中间介质层，中间介质层包括多层层间介质层，多层层间介质层依次叠置于第一介质层的上表面；电容，电容沿中间介质层的厚度方向贯穿至少两层层间介质层，并与选择开关晶体管的源极电连接；第二介质层，位于层间介质层上表面，且覆盖层间介质层及电容；次顶层金属层，第三介质层，顶层金属层。使得电容面积与中间介质层的厚度相关，利用层间介质层纵向堆叠高度来解决存储单元缩小的情况下电容面积不足的问题。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法-CN200710171111.9有效
发明人：刘红君;肖田;楼均辉 -专利权人：上海广电电子股份有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：一种提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法，涉及平板显示技术领域，本发明是在玻璃基板上制备好无机下介质层、发光层、无机上介质层的表面，旋涂一层有机膜，在其上再制备金属电极的方法。本发明通过在无机介质层上制备一层有机膜的方法，增加介质层整体的耐压、可靠性，提高器件的电致发光性能。
提高电致发光显示器介质绝缘性能方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202011614888.X有效
发明人：郭奥 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种阻变存储器及其制备方法，该方法包括在CMOS后段工艺的第一金属层表面淀积第一介质层并平坦化；在第一介质层中制备阻变存储器单元的下电极并平坦化；在第一介质层和下电极表面依次淀积氧化物阻变层和上电极层，图形化上电极层制备上电极和图形化氧化物阻变层制备氧化物阻变图形，其中，上电极的投影图形与下电极的投影图形仅有部分区域重叠，氧化物阻变图形上表面和上电极的下表面重合；淀积阻挡层并制备CMOS后段工艺的第二介质层；在第二介质层中制备CMOS后段工艺的接触孔及第二金属层，以引出阻变存储器单元的上电极，阻变存储器单元的下电极通过第一金属层引出。因此，本发明限制阻变层中氧空位导电通道的形成区域，以提升器件一致性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种柔性传输线-CN202310560810.1在审
发明人：严霞霞;高淑萍;池静然;宋杨;李树旺 -专利权人：信维创科通信技术（北京）有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性传输线，包括主体，主体包括折弯区和非折弯区，折弯区的两端分别连接有非折弯区，主体包括由下至上依次层叠相连的下覆盖膜层、线路层、下柔性介质层、胶体层、上柔性介质层、地层及上覆盖膜层，折弯区具有第一空缺部和第二空缺部，第一空缺部自上覆盖膜层的顶面延伸至上柔性介质层的顶面，第二空缺部自上柔性介质层的底面延伸至下柔性介质层的顶面；线路层具有射频线和地线，地线连接地层，射频线的两侧分别具有地线，折弯区中的射频线区域形成差分结构本柔性传输线的线路层在折弯区形成共面波导差分结构，本柔性传输线具有低损耗、高抗干扰和易于封装等优点，可实现柔性传输线0°～180°的反复多次折叠、弯曲。
一种柔性传输线

[发明专利]少层石墨层间化合物的制备方法-CN201710240630.X有效
发明人：孙旭阳 -专利权人：孙旭阳
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C01B32/205 文献下载
摘要：一种少层石墨层间化合物的制备方法，所述的少层石墨层间化合物的石墨层为2~10层，层间均匀插有插入物，其特征在于其制备方法是采用液态床制备方法，即在保护气体下，由一种或几种物质组成的加热至熔融态的熔融态介质构成液态床；碳源在高温下被活化裂解，裂解后形成的原子碳溶解于熔融态介质中，同时插入物在高温下被活化后溶解在熔融态介质中，或熔融态介质组成中含有插入物；通过促石墨层间化合物反应和凝固结晶手段，碳与插入物结晶时发生键合，并从熔融态介质中过饱和析出少层石墨层间化合物。既得到了高性能高质量的少层石墨层间化合物，同时具有成本低，污染小，效率高的特点。
石墨化合物及其制备方法

[实用新型]一种斜面单层陶瓷电容器-CN201220497503.0有效
发明人：杨俊锋;庄严;庄彤;冯毅龙;王华洋 -专利权人：广州天极电子科技有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种斜面单层陶瓷电容器，具有陶瓷介质层以及附着于陶瓷介质层上端面的上电极层和其下端面的下电极层，所述上电极层的面积小于下电极层的面积。本实用新型由于陶瓷介质层与上下电极层均采用斜面设计，拉大了导电浆料或焊膏从下电极层到上电极层之间路径，从而避免或预防了单层陶瓷电容器在装配过程中导致的的电容器短路问题。
一种斜面单层陶瓷电容器

[发明专利]叠层型压电陶瓷全电极结构及其制造工艺-CN202310013353.4在审
发明人：于传文;吴迪 -专利权人：黑龙江迪米电陶科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：本发明公开了叠层型压电陶瓷全电极结构，包括上绝缘层、外部正电极层、外部负电极层、下绝缘层、压电介质层、内部正电极层和内部全负电极层。还公开了其制造工艺，将压电介质薄膜多张叠层按设计好的厚度进行热压，形成下绝缘层，在下绝缘层上面印刷内部正电极层进行烘干，烘干完成后，在内部正电极层上叠压电介质薄膜进行热压，热压完成后，在压电介质薄膜上印刷内部全负电极层，再次烘干，如上描述的过程，将内部正电极层，压电介质层和内部全负电极层反复叠层，按设计要求叠层至指定高度，在最上面叠层上绝缘层。
叠层型压电陶瓷电极结构及其制造工艺

[发明专利]一种电容及其制作方法、半导体设备-CN201810044659.5在审
发明人：杨玉杰;丁培军;夏威;郑金果;王宽冒;杨敬山;蒋秉轩;谢谦 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：该电容包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，所述上电极和所述下电极均包括一层相同的金属层。该电容结构简单，简化了制作流程，而且具有较好的电极特性。
电极电容下电极半导体设备电介质层制作电极特性电容结构金属层