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[发明专利]一种散热器绝缘膜的自动贴膜工艺-CN202210395561.0在审
发明人：张琴 -专利权人：成都金洹科科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B29C65/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热器绝缘膜的自动贴膜工艺，包括：采用绝缘膜双面涂抹导热硅脂的贴附设备进覆膜操作，预先将绝缘膜安装在放料机构上，然后在储存涂料机构的储存箱内添加导热硅脂，将绝缘膜依次绕设在储存箱内的校准导向组件上并贯穿切割机构；将散热器安装在移动载物机构上，并启动移动载物机构驱使散热器向切割机构靠近；驱使夹持机构沿切割机构移动并将绝缘膜夹持，然后再驱动夹持绝缘膜的夹持机构朝远离切割机构的方向移动，当夹持机构运动到靠近散热器端面时，关闭夹持机构；进一步将夹持机构的位置进行调整，然后再启动移动载物机构并驱使散热器向上移动并与绝缘膜的下表面接触；启动切割机构将绝缘膜进行切割，避免绝缘膜破膜等情况。
一种散热器绝缘自动工艺

[发明专利]壳体内壁镀膜方法及系统-CN201910906126.8有效
发明人：肖立峰;郑剑武 -专利权人：深圳市易为派科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： F16B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种壳体内壁镀膜方法及系统，所述方法包括：使用加热装置对夹具进行加热；将绝缘膜穿套在夹具上；在壳体内壁涂覆热固胶，并在壳体上施加压力，以使得嵌套在壳体中的绝缘膜被所述夹具压紧在壳体上，以使得绝缘膜通过热固胶贴合在壳体上；在绝缘膜与夹具之间充入惰性气体，并判断绝缘膜与壳体之间的贴合处是否存在气泡；若绝缘膜与壳体贴合处存在气泡，则对绝缘膜与壳体之间的贴合处存在的气泡进行完全抽真空处理；在进行完全抽真空处理后，停止加热装置的加热，并在壳体成品降温后，自工作台上的夹具上取出壳体成品；壳体成品为绝缘膜和壳体的结合体。本发明能将绝缘膜与壳体进行完全贴合，保证壳体成品的外观质量。
壳体内壁镀膜方法系统

[实用新型]包膜设备用送膜装置-CN202221098370.X有效
发明人：李军利;何建军;晏才维;张国平;李成坤 -专利权人：深圳市誉辰智能装备股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B65H20/00 文献下载
摘要：本申请属于电池制造设备技术领域，涉及一种包膜设备用送膜装置。送膜装置包括两个送膜机构，两个送膜机构位于将绝缘膜贴覆至裸物料上的贴膜通道的同一侧，两个送膜机构以贴膜通道入口的中心线上下对称布置；送膜机构包括拉膜部件和放膜部件，拉膜部件包括拉膜杆，拉膜杆用于粘附绝缘膜的膜头；位于上/下方的拉膜杆带动绝缘膜的膜头在贴膜通道的入口前临近处下/上移，使绝缘膜在竖直方向上朝向贴膜通道的入口处倾斜，并挡在贴膜通道的入口前，以准备贴膜，位于上/下方的拉膜杆也能够上/下移脱膜并继续粘膜，以准备下一次拉膜；放膜部件用于为拉膜部件提供绝缘膜。两个送膜机构用于交替为裸物料输送绝缘膜，以提高送膜效率和贴膜、包膜效率。
包膜备用装置

[发明专利]半导体存储器件以及其制造方法-CN200710085087.7无效
发明人：筱智彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体存储器件具备：由半导体材料构成的支撑衬底(SUB)，设在支撑衬底上的绝缘膜(BGI)，贯通绝缘膜、与支撑衬底连接的半导体膜(11)，设在绝缘膜上的漏极层(D)，设在绝缘膜上、与半导体膜连接的源极层(S)，设在漏极层和源极层之间、呈电浮置状态、可以为了存储数据而存储电荷的主体区域(B)，设在主体区域上的栅极绝缘膜(GI)，和设在栅极绝缘膜上的栅极(G)。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]一种石墨烯导电结构体-CN201910463233.8在审
发明人：王奉瑾;戴雪青 -专利权人：王奉瑾;戴雪青
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：一种石墨烯导电结构体，其包括有基材里层，以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜，所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置；在最上层的石墨烯膜/隔离绝缘膜上侧设有一外保护套，或在最外层的石墨烯膜/隔离绝缘膜外侧包覆有一外保护套；在所述单重石墨烯膜上的任意部位设有至少一个锚点位，所述锚点位可供其上层/外层的单重隔离绝缘膜对应的嵌入其中锚固。本发明构建的石墨烯导电结构体，具有更强的导电性，导电性能得到大大提高，同时，锚孔锚点位的结构可保证隔离绝缘膜能够稳固地覆盖、包裹、附着于石墨烯膜上。
石墨烯膜隔离绝缘膜导电结构体石墨烯点位多重隔离外保护套绝缘膜包覆导电性导电性能结构设置最上层最外层错落附着构建基材里层锚固锚孔嵌入上层稳固覆盖保证

[发明专利]电阻元件及其制造方法-CN201910584376.4在审
发明人：齐藤俊;山路将晴;佐佐木修;澄田仁志 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：电阻元件包括：半导体基板(1)；第1绝缘膜(2)，其设于半导体基板上；电阻层(3a)，其选择性地设于第1绝缘膜上；第1辅助膜(3b)，其自电阻层分开；第2辅助膜(3c)，其在与第1辅助膜不同的方向上自电阻层分开；第2绝缘膜(4)，其以覆盖电阻层和所述第1辅助膜及所述第2辅助膜的方式设于第1绝缘膜上；第1电极(5a)，其与电阻层连接，配置于第2绝缘膜的位于第1辅助膜的上方的部分上；以及第2电极(5b)，其与第1电极分开地与电阻层连接，配置于第2绝缘膜的位于第2辅助膜的上方的部分上。
电阻层辅助膜绝缘膜电极电阻元件半导体基板短路配置覆盖制造

[发明专利]半导体器件-CN200510078018.4无效
发明人：岛津博美;岩崎富生;太田裕之;石川宪輔;井上修;大岛隆文 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：在半导体衬底上的绝缘膜上形成的多层布线结构中，布线结构为：以与以铜为主要构成材料构成的第一布线的上表面相接的方式，从下依次至少层叠阻挡性高且具有压缩应力的第一绝缘膜、具有拉伸应力的第二绝缘膜、比上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜介电常数低的第三绝缘膜，设置通孔以便贯通上述第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜并与上述第一布线连接。
半导体器件

[发明专利]使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法-CN200880017424.1有效
发明人：大村秀之;林享 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：基板上至少有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源和漏极电极及第二绝缘膜的薄膜晶体管的制造方法，包括：基板上形成栅极电极；栅极电极上形成栅绝缘膜；栅绝缘膜上形成含非晶氧化物的半导体层；构图栅绝缘膜；构图氧化物半导体层；在不含氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一绝缘膜而减小氧化物半导体层的电阻；构图第一绝缘膜并在源和漏极电极与氧化物半导体层间形成接触孔；经接触孔在氧化物半导体层中形成源和漏极电极层；经接触孔形成源和漏极电极并使第一绝缘膜暴露；构图暴露的第一绝缘膜并使氧化物半导体层的沟道区暴露；在含氧化气体的气氛中含氧化物半导体层的沟道区的表面上形成第二绝缘膜而增加沟道区的电阻。
使用氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN97113871.0无效
发明人：金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1997-06-28 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：所定的导电型的半导体衬底；在衬底上形成的场绝缘膜；通过场绝缘膜在上述衬底内设定的有源区域；包围场绝缘膜的在衬底内形成的与衬底为同一导电型的杂质区域；在衬底上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜及场绝缘膜上形成的栅极图形
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810003870.9无效
发明人：佐藤好弘;小川久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：N型MIS晶体管NTr包括形成在半导体衬底100的第一活性区域100a上的第一栅极绝缘膜105a与形成在第一栅极绝缘膜上的第一栅电极108a；P型MIS晶体管PTr包括形成在半导体衬底的第二活性区域100b上且由与第一栅极绝缘膜不同的绝缘材料形成的第二栅极绝缘膜103b以及形成在第二栅极绝缘膜上的第二栅电极108b。第一栅电极和第二栅电极的上部区域在元件隔离区域上相互电连接，下部区域夹着由与第一栅极绝缘膜相同的绝缘材料形成的侧壁绝缘膜105xy而彼此分开。于是，在第一MIS晶体管和第二MIS晶体管中高精度地实现由不同的绝缘材料形成的栅极绝缘膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]形成存储电容器的方法-CN00106048.1无效
发明人：岩崎治夫 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2000-04-24 - 公布日： 2000-11-01 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供在半导体器件中形成至少一个电容器下电极的方法,包括步骤在半导体衬底上方的多层结构上形成第一绝缘膜;形成穿透第一绝缘膜和多层结构到达半导体衬底表面的接触孔;有选择地去除第一绝缘膜以形成掩模图形;形成单层导电膜,在接触孔内和多层结构上延伸并覆盖掩模图形在该导电膜上形成第二绝缘膜;部分去除第二绝缘膜和导电膜以露出掩模图形的顶部;去除第二绝缘膜和掩模图形的余下部分以形成至少一个下电极。
形成存储电容器方法

[实用新型]一种直流吸收保护电容器-CN201621070202.4有效
发明人：韦军;王国平;夏香莲;罗增;蔡小明;冯长江 -专利权人：宁波碧彩实业有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直流吸收保护电容器，包括电容卷芯，电容卷芯由依次叠加的第一金属化膜、绝缘膜和第二金属化膜卷制而成；第一、二金属化膜的宽度相等，第一金属化膜的上端边缘设有上绝缘区，上绝缘区的下端涂覆有金属涂层；第二金属化膜的下端边缘设有下绝缘区，下绝缘区的上端涂覆有金属涂层，第一金、二金属化膜交错设置，上绝缘区位于第二金属化膜的上边沿的下端，下绝缘区位于第一金属化膜的下边沿的上端，且第一金属化膜与第二金属化膜上的金属涂层均朝向芯轴，绝缘膜位于第二金属化膜与第一金属化膜之间。
一种直流吸收保护电容器

[发明专利]半导体装置、电光学装置、集成电路和电子仪器-CN200510054799.3无效
发明人：广岛安 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-03-16 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：鉴于形成微细孔的工艺条件，提供一种可以稳定地形成所述微细孔而且在大型玻璃基板上也能稳定得到高性能薄膜晶体管的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，包括：在基板( 11)上形成基底绝缘膜(121)的工序；在基底绝缘膜(121)上形成第一绝缘膜(122)的工序；在第一绝缘膜(122)上形成直径d₁的孔(123)的工序；和在包含孔(123)的第一绝缘膜(122)上形成第二绝缘膜(124)的工序，其中当第二绝缘膜(124)形成工序中基板面内的膜厚分布为±y％的情况下，孔(123)的直径d₁
半导体装置光学集成电路电子仪器

[发明专利]包含多孔绝缘材料的半导体器件及其制造方法-CN02105834.2有效
发明人：福山俊一;大和田保;佐久间裕子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-04-11 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面，并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀第二层间绝缘膜，形成布线沟槽。在选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜。
包含多孔绝缘材料半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200410092936.8有效
发明人：檜上竜也;伊藤文俊;蒲原史朗 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：半导体衬底主表面的第一区上的第一MISFET；和半导体衬底主表面的第二区上的第二MISFET，其中所述第一MISFET的栅绝缘膜包括相对介电常数高于氮化硅相对介电常数的第一绝缘膜，其中第二MISFET的栅绝缘膜包括由氧化硅组成的第二绝缘膜，以及其中转变成氧化硅膜膜厚度的第一绝缘膜的膜厚度比转变成氧化硅膜膜厚度的第二绝缘膜的膜厚度薄。
半导体集成电路器件