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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN201910115197.6有效
发明人：古川哲也;筱智彰;野口充宏;渡边伸一;西田征男;田中启安 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明提供半导体存储装置。半导体存储装置具备：半导体基板，在表面设置半导体部及绝缘部；存储单元阵列，设置在半导体基板的第1区域；第1晶体管，设置在半导体基板的第2区域；第2晶体管，设置在半导体基板的第3区域；绝缘性的积层膜，覆盖半导体基板的表面、第1、2晶体管。第1、2晶体管具有：第1半导体层；栅极电极；栅极绝缘膜。第2晶体管的栅极电极中的硼的浓度大于第1晶体管的栅极电极中的硼的浓度。绝缘性的积层膜具备：第1绝缘膜，与半导体基板的表面相接；第2绝缘膜，与第1绝缘膜相接，氢的扩散系数比第1绝缘膜小。第2绝缘膜具备与半导体基板的半导体部相接的第1部分，第1部分沿着第3区域的外缘延伸且包围第3区域。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN202010905470.8有效
发明人：手塚隆太;野口充宏;筱智彰 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：半导体衬底；第1半导体层，在与半导体衬底的表面交叉的第1方向上与半导体衬底的表面对向；第2半导体层，相比第1半导体层距半导体衬底较远，在第1方向上与第1半导体层对向；第1导电层，相比第2半导体层距半导体衬底较远，连接于第2半导体层；第3半导体层，在与第1方向交叉的第2方向上与第2半导体层并排，连接于第1半导体层；及第2导电层，在第2方向上与第1导电层并排，连接于第3半导体层。第1半导体层、第2半导体层及第3半导体层是将与第1方向及第2方向交叉的第3方向作为长度方向。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器件以及其制造方法-CN200710085087.7无效
发明人： 筱智彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供可以用低成本制造，尺寸较小，数据读出时的阈值电压差较大，并且，可以抑制双极干扰的半导体存储器件以及其制造方法。半导体存储器件具备：由半导体材料构成的支撑衬底(SUB)，设在支撑衬底上的绝缘膜(BGI)，贯通绝缘膜、与支撑衬底连接的半导体膜(11)，设在绝缘膜上的漏极层(D)，设在绝缘膜上、与半导体膜连接的源极层(S)，设在漏极层和源极层之间、呈电浮置状态、可以为了存储数据而存储电荷的主体区域(B)，设在主体区域上的栅极绝缘膜(GI)，和设在栅极绝缘膜上的栅极(G)。
半导体存储器件及其制造方法

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共 3 条

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