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- [发明专利]一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法-CN202111129485.0在审
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张骏;张毅;陈云;岳金顺
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苏州紫灿科技有限公司
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2021-09-26
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2022-01-07
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C30B29/40
- 本发明公开了一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法，该方法的步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长AlN一次外延层；对AlN一次外延层远离蓝宝石衬底一侧进行图形化处理；在AlN一次外延层进行图形化处理的一侧外延生长高温AlN层，得到无裂纹AlN外延膜；AlN一次外延层由第一AlN层和第二AlN层交替生长形成，第一AlN层的生长温度大于第二AlN层的生长温度，第一AlN层的V/本发明通过在AlN缓冲层和高温AlN层之间引入AlN一次外延层，并对AlN一次外延层进行图形化处理，不仅使高温AlN层的均匀性显著提高，还能够很好地释放生长过程中积累的热应力，防止AlN薄膜开裂。
- 一种裂纹aln外延及其制备方法
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中山大学
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2020-09-14
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2021-05-11
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H01L29/778
- 本实用新型涉及一种具有高可靠性的氮化物器件。包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极以及漏极；外延层自下至上依次包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层、二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层；p型氮化物层仅保留在栅极区域一次外延氮化物势垒层之上；二次外延氮化物势垒层生长过程无掩膜；二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层位于一次外延氮化物势垒层和栅极区域的p型氮化物层之上；栅极形成含二次外延绝缘介质层、二次外延氮化物势垒层、p型氮化物层和一次外延氮化物势垒层的堆叠结构。
- 一种具有可靠性氮化物器件
- [发明专利]一种新型碳化硅肖特基二极管-CN202210808518.2在审
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甘新慧;朱家从;王磊;计建新;张建国
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绍兴澎芯半导体有限公司
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2022-07-12
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2022-09-02
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H01L29/872
- 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基二极管,包括：N+碳化硅衬底；一次N‑碳化硅外延层,形成在所述N+碳化硅衬底正面上；P型注入区，对称形成在所述一次N‑碳化硅外延层的两侧，并且嵌入在所述一次N‑碳化硅外延层内；二次N‑碳化硅外延层，形成在所述一次N‑碳化硅外延层和所述P型注入区上；P+离子注入区，对称形成在所述二次N‑碳化硅外延层的两侧，并且贯穿所述二次N‑碳化硅外延层与所述P型注入区连通；势垒金属层，形成在所述二次N‑碳化硅外延层和所述P+离子注入区上；金属PAD层，形成在所述势垒金属层上；欧姆金属层，形成在所述N+碳化硅衬底背面。本发明提供了一种新型碳化硅肖特基二极管，其正向导通特性参数较传统器件优势明显。
- 一种新型碳化硅肖特基二极管
- [发明专利]一种增强型半导体器件及其制备方法-CN201910037334.9有效
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刘扬;何亮
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中山大学
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2019-01-15
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2020-11-06
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H01L29/778
- 本发明涉及一种增强型半导体器件及其制备方法。该器件包括衬底、半导体外延层、栅极、源极和漏极。所述外延层包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层和二次外延氮化物势垒层。通过刻蚀，保留栅极区域p型氮化物，实现栅极沟道的夹断。通过无掩膜二次外延，二次外延氮化物势垒层生长于一次外延势垒层和栅极区域p型氮化物层之上，实现高导通接入区。二次外延可有效修复刻蚀损伤，对刻蚀工艺的要求也降低。且通过调控一次外延氮化物势垒层和二次外延氮化物势垒层的厚度和组分，实现更优的栅极关断和接入区导通能力。本发明可实现高阈值电压、高导通、高稳定性、低漏电的增强型半导体器件。
- 一种增强半导体器件及其制备方法
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