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[发明专利]存储器装置-CN201910573771.2在审
发明人：南尚完;崔容赫;朴准镛;任政鲁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元和与第一存储器单元不同的第二存储器单元，其中，第一存储器单元和第二存储器单元包括在同一个存储器块中；第一字线，连接到第一存储器单元；第二字线，与第一字线不同，连接到第二存储器单元；地址解码器，将擦除电压和与擦除电压不同的禁止电压中的一个施加到第一字线和第二字线中的每条；以及控制逻辑，使用地址解码器来控制对存储器块的擦除操作，其中，当执行对存储器块的擦除操作时，在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第一字线，并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第二字线。
存储器装置

[发明专利]非易失性存储器装置及其驱动方法-CN202010361657.6在审
发明人：刘逸青;杨钦名 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置及其驱动方法，非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且驱动方法包括：对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；若已对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电达第一时间长度或到达各自对应的电压阈值，则对第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；对设置于第一存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点的至少一存储单元进行第一数据操作；对设置于第二存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点的至少一存储单元进行第二数据操作
非易失性存储器装置及其驱动方法

[发明专利]集成电路-CN202210173372.9在审
发明人：杨柏峰;刘逸青;杨世海;王奕;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：提供了一种集成电路。该集成电路包括三维存储器器件、第一字线驱动电路和第二字线驱动电路。三维存储器器件包括分别沿列方向延伸的堆叠结构。每个堆叠结构包括字线的堆叠。堆叠结构具有位于第一侧的第一阶梯结构和位于第二侧的第二阶梯结构。字线延伸到第一和第二阶梯结构的台阶。第一字线驱动电路和第二字线驱动电路位于三维存储器器件下方，且分别沿第一侧和第二侧延伸。每个堆叠结构中的一些字线从第一阶梯结构布线到第一字线驱动电路，每个堆叠结构中的其他字线从第二阶梯结构布线到第二字线驱动电路。
集成电路

[发明专利]存储晶体管、存储晶体管的字线结构及字线制备方法-CN201810623120.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储晶体管的字线制备方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底中开设有字线沟槽，在字线沟槽的底部和侧壁上形成栅介质层，在具有栅介质层的沟槽中形成第一字线部，在第一字线部的上端面形成第二字线部，且与第一字线部电连接，第二字线部的上端面内沉于半导体衬底的上端面，有效增加了字线的厚度，降低字线的电阻，提高栅极对沟道的控制能力。由于在第二字线部的外侧壁和栅介质层之间形成有第一绝缘层，完全包覆第二字线部的上端面形成有第二绝缘层，有效防止字线与后续所形成的位线接触区以及电容器接触区电连接，防止形成漏电流，避免存储晶体管性能降低。本发明还提供了一种存储晶体管的字线结构以及一种存储晶体管。
字线部存储晶体管上端面字线栅介质层衬底绝缘层半导体字线沟槽电连接电容器位线接触区控制能力完全包覆性能降低字线结构接触区漏电流外侧壁侧壁电阻沟道制备

[发明专利]非易失性存储器设备及其编程方法-CN202010370136.7在审
发明人：金完东;朴镇宇;金成镇;南尚完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器设备的编程方法，所述非易失性存储器设备包括单元串，所述单元串具有垂直于衬底的表面堆叠的存储器单元，所述方法包括：执行第一编程阶段，包括对连接到第一字线的第一存储器单元进行编程并且将第一通过电压施加到所述第一字线上方或下方的其他字线；以及执行第二编程阶段，包括在完全对所述第一存储器单元进行编程之后对第二存储器单元进行编程，所述第二存储器单元连接到比所述第一字线更靠近所述衬底的第二字线，将第二通过电压施加到所述第二字线下方的第一字线组并将第三通过电压施加到所述第二字线上方的第二字线组
非易失性存储器设备及其编程方法

[实用新型]一种用于激光测控系统的激光发射器-CN201620204008.4有效
发明人：陈小英 -专利权人：广州市凌特电子有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于激光测控系统的激光发射器，包括激光管和一字线光学透镜，还包括激光固定器，所述的激光固定器的中央设有供激光通过的通道，所述的通道内设有对焦透镜，所述的激光固定器的一端设有与通道连通的激光管容纳槽并且另一端设有与通道连通的一字线光学透镜容纳槽，所述的激光管设置在激光管容纳槽内，所述的一字线光学透镜设置在一字线光学透镜容纳槽内，所述的一字线光学透镜容纳槽的底部设有与外设电源相连的电加热线圈。本实用新型的目的在于提供一种测控准确、测控效率高的用于激光测控系统的激光发射器。
一种用于激光测控系统发射器

[发明专利]包括平行结构的半导体存储器件-CN202010074084.9在审
发明人：任琫淳;金昊俊;朴相元;沈相元;沈元补 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：基板；在基板上方的第一字线，第一字线在第一方向上延伸；在基板上方的第一位线，第一位线在第二方向上延伸；第一存储单元，连接到第一字线和第一位线；第一导电材料，连接到第一字线并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一字线延伸；第二导电材料，连接到第一位线并且在第一位线上方，第二导电材料在第一方向上延伸；以及第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸。
包括平行结构半导体存储器件

[发明专利]用于SRAM单元的装置-CN201210244358.X有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SRAM单元的装置。其中，一种存储单元，包括第一字线，形成在第一互连层中；第一VSS线、第一位线、电源线、第二位线和第二VSS线，形成在第二互连层中；第二字线，形成在第三互连层中。存储单元进一步包括字线跨接结构，形成在电源线和第二位线之间，其中，字线跨接结构连接第一字线和第二字线。
用于 sram 单元装置

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201811194571.8有效
发明人：丁元镇;李根雨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置；以及非擦除块管理装置，当对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，该第一字线是用于对第二存储块的读取操作的目标字线，其中第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010927242.0在审
发明人：陈涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法。所述制备方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构；采用离子掺杂技术在所述有源区的内部形成第一隔离层，对第一隔离层内包围的有源区进行离子注入，形成第一字线结构；在浅沟槽隔离结构内形成第二字线结构，第一字线结构和第二字线结构连接形成沿所述衬底表面延伸的埋入式字线结构。该制备方法的优点在于：不需要在有源区刻蚀字线沟槽，通过离子注入的方式形成第一字线结构，简化了有源区内的字线结构的制备方法，且可以保证有源区的字线结构的第一隔离层厚度均匀，不易漏电，保证良好的半导体器件性能
半导体器件制备方法

[发明专利]集成组合件-CN202110521384.1在审
发明人： S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有与驱动器电路耦合的第一字线和第二字线。所述第一字线具有远离所述驱动器电路的第一末端，并且所述第二字线具有远离所述驱动器电路的第二末端。开关邻近于所述第一末端且被配置成在所述第一字线从“开启”状态到“关断”状态的转变期间将所述第一末端耦合到所述第二末端和低电压参考源(例如，VNWL电源)中的一个或两个。
集成组合

[发明专利]用于可靠的写入操作的存储装置及其操作方法-CN202011230452.0在审
发明人：林优镇;金龙浩;金勋起 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供一种用于可靠的写入操作的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：单元阵列，所述单元阵列具有存储单元；n条字线，所述n条字线顺序地布置，并且包括第一字线、第n字线以及介于所述第一字线和所述第n字线之间的字线；位线；第一电源节点，所述第一电源节点与所述第一字线相邻；第二电源节点，所述第二电源节点与所述第n字线相邻；第一开关，所述第一开关连接在所述第一电源节点和所述单元阵列之间；写驱动器，所述写驱动器与所述第n字线相邻，并且连接到所述位线；和开关控制器，所述开关控制器被配置为控制所述第一开关以在对连接到所述第一字线的存储单元的写入操作期间使所述第一电源节点与所述存储单元隔离
用于可靠写入操作存储装置及其操作方法

[实用新型]一种一字线光学模组和光学设备-CN202222157323.4有效
发明人：谢亚锋;郭栓银;李含轩;陈晓迟 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种一字线光学模组和光学设备。一字线光学模组包括基板；激光器，激光器固定于基板上；第一光学单元和第二光学单元，第一光学单元和第二光学单元依次位于激光器的激光出射光路上；第一光学单元包括第一表面，第二光学单元包括第二表面；激光器发出的激光经第一表面后至少在第一方向上汇聚，并经第二表面后在第二方向发散；第一方向与第二方向垂直。本实用新型实施例提供的技术方案，能够使得一字线型光汇聚在距离激光器较近的位置，由此得到较短工作距离下具有较细线宽的一字线型光束，提高一字线光学模组的工作精度，扩展了一字线光学模组的应用范围。
一种一字线光学模组设备

[实用新型]一种基于2D探测和3D测量的视觉检测装置-CN202120446841.0有效
发明人：彭祺;屠礼芬;黄春晖 -专利权人：湖北工程学院
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01N21/89 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于2D探测和3D测量的视觉检测装置，包括输送机构、一字线激光器、照明光源和工业相机，一字线激光器、照明光源和工业相机设置在输送机构输送通道的上方，且工业相机分布在一字线激光器和照明光源之间，一字线激光器的出光口竖直朝下，且一字线激光器发出的激光光线沿输送机构的输送通道的宽度方向分布，工业相机的摄像头竖直朝下，照明光源的出光方向朝向工业相机的下方，输送机构的输送通道用以输送待检测的物件，以使待检测的物件依次经过一字线激光器
一种基于探测测量视觉检测装置

[发明专利]双端口静态随机存取存储器单元-CN201810007557.6有效
发明人：吕添裕;黄俊宪;龙镜丞;郭有策;陈寿贤;新居浩二;石井雄一郎 -专利权人：联华电子股份有限公司;瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开一种双端口静态随机存取存储器单元，其包含一第一电源线、一第一位线以及一第二位线。第一电源线设置于一第一字线及一第二字线之间。第一位线设置于第一电源线及第一字线之间。第二位线设置于第一电源线及第二字线之间。
端口静态随机存取存储器单元

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