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[实用新型]一字线型激光投射器、相机组件和电子装置-CN202220680519.9有效
发明人：陈鹏;隋磊 -专利权人：嘉兴驭光光电科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G02B27/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种一字线型激光投射器、相机组件和电子装置。激光投射器包括基板组件、多个激光光源和衍射光学元件。多个激光光源设置在基板组件上，用于发射激光，多个激光光源沿设定直线方向排列；衍射光学元件用于将多个激光光源所发射的激光沿平行于设定直线方向的方向扩散，以形成一字线型投射图案。根据本实用新型，一字线型激光投射器可以较容易地投射出光强分布满足预设需要的一字线。
线型激光投射相机组件电子装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310617857.7在审
发明人：李婕;黄家恩;李俊颖;刘逸青;王奕;曾晓梅;杨耀仁;张琮永 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一感测放大器之间，并且被配置为将第一感测放大电路电连接到第一存储器阵列的第一位线。多个第二导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一字线驱动器之间，并且被配置为将第一字线驱动器电连接到第一存储器阵列的第一字线。本申请的实施还公开了一种制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储设备-CN200410048900.X无效
发明人：山上由展 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：半导体存储装置包括：大量字线，含有一条或多条冗余字线；大量的位线对；大量的存储单元，连接到上述字线和上述位线；大量的字线驱动器，每个驱动器连接到上述字线的相应的一个端点并由大量的字线控制信号控制；以及大量的第一字线控制电路，分别位于上述字线的另一端点，每个上述第一字线控制电路接收上述字线中相应一条的信号电平，其中，在上述相应字线的信号电平为第一种电平的情况中，每个上述第一字线控制电路切换为导电状态，并将上述第一种电平信号输出到上述相应的字线，在第一种电平，连接到上述相应字线的上述存储单元中的相应存储单元变为高阻状态。而在上述相应字线的信号电平是第二种电平的情况中，上述第一字线控制电路中的每一个切换成非导电状态，在第二种电平，上述相应存储单元变成能进行数据输入/输出的一种状态。
半导体存储设备

[发明专利]存储器和包括其的存储器系统-CN201410312782.2有效
发明人：池性洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种存储器包括：第一单元区块，其包括多个第一字线以及用于替换所述多个第一字线中的至少一个的一个或更多个第一冗余字线；第二单元区块，其包括多个第二字线以及用于替换所述多个第二字线中的至少一个的一个或更多个第二冗余字线；以及控制单元，其适于在目标刷新区段期间顺序地接收一个或更多个输入地址、响应于第一输入地址而选择第一单元区块和第二单元区块中的一个以及选择的单元区块中包括的字线、以及在基于第一输入地址而选择的所述选择的字线与冗余字线相邻时激活与所述选择的字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，相邻字线包括冗余字线。
存储器包括系统

[发明专利]半导体器件-CN202011619886.X在审
发明人：苏信文;林建隆;耿文骏;杨昌达;林士豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体器件，包括形成于第一有源区上方的第一字线。在一些实施例中，第一金属线设置在第一字线上方并垂直于第一字线，其中第一金属线利用第一导电通孔电连接到第一字线，并且其中第一导电通孔设置在第一有源区上方。在一些示例中，半导体存储器器件还包括均平行于第一金属线并且设置在第一金属线的相对侧上的第二金属线和第三金属线，其中第二金属线利用第二导电通孔电连接到第一有源区的源极/漏极区，并且其中第三金属线利用第三导电通孔电连接到第一有源区的源极
半导体器件

[发明专利]存内计算装置及运算装置-CN202110913509.5有效
发明人：刘家隆;唐文骏;李学清;杨华中;刘勇攀 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种存内计算装置及运算装置，所述装置包括：计算阵列，包括多个存内计算模块，所述存内计算模块包括第一字线、第二字线、第三字线、第一位线、第二位线、第三位线、第四位线、第一存储单元及第二存储单元；控制模块，连接于所述计算阵列，用于：控制所述第一字线、所述第三字线的电压状态，以控制所述存内计算模块的工作模式为写模式、读模式及保持模式的任意一种。
计算装置运算

[发明专利]存储单元及存储器-CN202310128239.6在审
发明人：朱家国;周戬 -专利权人：苏州宽温电子科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本公开是关于一种存储单元及存储器，涉及集成电路技术领域。该存储单元包括：第一上拉晶体管连接存储节点和电源电压；第二上拉晶体管连接反相存储节点和电源电压；第一端口模块包括第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一字线、第一位线和第一反相位线，第一传输晶体管连接存储节点、第一位线和第一字线，第二传输晶体管连接反相存储节点、第一反相位线和第一字线；第二端口模块包括第三传输晶体管、第四传输晶体管、第二字线、第二位线和第二反相位线，第三传输晶体管连接存储节点、第二位线和第二字线，第四传输晶体管连接反相存储节点、第二反相位线和第二字线。
存储单元存储器

[发明专利]半导体存储器件-CN202110213536.1在审
发明人：金俊成;李秉一;郑圣勋;陈俊彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：该半导体存储器件包括：模制结构，包括在第一基板上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，穿透模制结构并与每个栅电极的相应水平面交叉；在模制结构中的多个第一绝缘图案，第一绝缘图案包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及在第一绝缘图案中的第一贯穿通路，第一贯穿通路穿透第一基板和模制结构。栅电极包括第一字线和在第一字线上的第二字线。从第一字线到第一贯穿通路的第一距离不同于从第二字线到第一贯穿通路的第二距离。
半导体存储器件

[发明专利]一种一字线激光发生装置-CN201610414455.7在审
发明人：杨艺;官明朕;刘文佳 -专利权人：凌云光技术集团有限责任公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明提供一种一字线激光发生装置，包括激光器和第一凸透镜；激光器的激光出射点设在第一凸透镜的焦点处；还包括至少两个柱状扩散透镜；至少两个柱状扩散透镜位于第一凸透镜的出射面侧；各柱状扩散透镜的延伸方向为激光器的快轴方向本发明提供的一字线激光发生装置，在第一凸透镜出射面侧设置有多个柱状扩散透镜，从第一凸透镜出射的准直光束对应各柱状扩散透镜的部分均被对应的柱状扩散透镜散射扩散后叠加形成一字线激光。因为一字线激光是由激光器不同区域的激光错位叠加形成，所以可在一定程度上克服激光器出射光线不均匀的问题，提高一字线激光的均匀性。
一种一字线激光发生装置

[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法-CN201910122861.X在审
发明人：李汉埈;金承范;金哲范;李承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：存储器器件包括多个字线。一种操作存储器器件的方法包括：通过向第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；基于执行第一虚拟读取操作的结果，确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；基于确定阈值电压分布的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及通过向字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作
字线虚拟读取操作读取电压偏移电平阈值电压分布存储器单元非易失性存储器器件施加操作存储器存储器器件第二存储器劣化

[发明专利]具有第一和第二字线的多端口SRAM电路-CN201580049316.2有效
发明人：詹特星·林;保罗·巴塞特;苏雷什·文库马洪蒂 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G11C8/16 文献下载
摘要：一种位于静态随机存取存储器SRAM装置中的多端口混合型全摆幅/低摆幅存储器电路包括：第一字线驱动器，所述第一字线驱动器包括读取字线驱动器；第二字线驱动器，所述第二字线驱动器包括读取字线驱动器抑或读取/写入字线驱动器；存储器单元，所述存储器单元耦合到所述第一和第二字线驱动器；读出放大器，所述读出放大器耦合到所述存储器单元；以及锁存器，所述锁存器耦合到所述存储器单元。
具有第一第二多端 sram 电路

[发明专利]非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法-CN202011268058.6在审
发明人： F·E·C·迪塞格尼;M·F·佩罗尼;C·托尔蒂;G·斯卡迪诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法。一种非易失性存储器装置包括耦合到字线的存储器单元阵列和行解码器，该行解码器包括第一下拉级和第二下拉级，第一下拉级和第二下拉级被布置在阵列的相对侧上，并且对于每个第一字线，第一下拉级和第二下拉级分别包括对应的第一下拉开关电路和对应的第二下拉开关电路，第一下拉开关电路和第二下拉开关电路分别被耦合到第一字线的第一点和第二点。行解码器还包括上拉级，对于每个第一字线，上拉级包括对应的上拉开关电路，上拉开关电路是电可控的，以便：在取消选择第一字线的步骤中，将第一点耦合到电源节点；并且在选择第一字线的步骤中，将第一点从电源节点解耦
非易失性存储器装置以及用于选择方法

[实用新型]非易失性存储器装置以及电子设备-CN202022626117.4有效
发明人： F·E·C·迪塞格尼;M·F·佩罗尼;C·托尔蒂;G·斯卡迪诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：非易失性存储器装置包括耦合到字线的存储器单元阵列和行解码器，行解码器包括第一和第二下拉级，第一和第二下拉级被布置在阵列的相对侧上，对于每个第一字线，第一和第二下拉级分别包括对应的第一和第二下拉开关电路，第一和第二下拉开关电路分别被耦合到第一字线的第一点和第二点。行解码器还包括上拉级，对于每个第一字线，上拉级包括对应的上拉开关电路，上拉开关电路是电可控的，以便：在取消选择第一字线的步骤中，将第一点耦合到电源节点；并且在选择第一字线的步骤中，将第一点从电源节点解耦利用本公开的实施例，非对称解码器使得能够减小所使用的面积，而不会损害字线的选择质量。
非易失性存储器装置以及电子设备

[发明专利]字线驱动电路缺陷测试方法与装置-CN202010858274.X有效
发明人：陈武刚;杨龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开提供一种字线驱动电路缺陷测试方法与装置。方法包括：在存储单元阵列及其对应的字线驱动电路阵列中，选取m条字线作为待测字线，将m条待测字线中的一条设置为第一字线，将其余m‑1条设置为第二字线，其中，m条待测字线分别对应连接不同的m个字线驱动电路；对m条待测字线控对应连接的存储单元写入第一电位；对第一字线对应连接的存储单元写入第二电位；依次读取各第二字线对应连接的存储单元的实时电位，在一个目标存储单元的实时电位与第一电位的差值大于第一预设值时，判断该目标存储单元对应的第二字线连接的字线驱动电路具有缺陷；其中，第一电位与第二电位的差值大于等于0.6V。本公开实施例可以测试字线驱动电路是否存在栅极缺陷。
驱动电路缺陷测试方法装置

[发明专利]深沟式半导体装置的制造方法以及深沟式半导体装置-CN201510297120.7有效
发明人：杨大弘;连楠梓;魏安祺;张升原;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在一基板上形成交错的绝缘层以及导电层的起始堆叠、辨识用于起始堆叠的多个位线位置以及字线位置，其中包括一第一位线位置以及一第一字线位置、自起始堆叠形成第一位线位置中的位线的垂直排列此方法还包括通过形成一薄导电层于相对的侧壁的所选部分上，来形成一字线，相对的侧壁的所选部分位于第一字线位置中。在形成字线的步骤中还包括沉积邻近于各个薄导电层的导电材料，此沉积的导电材料直接与薄导电层接触。
深沟半导体装置制造方法以及