[发明专利]一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202311194818.7 | 申请日： | 2023-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936645A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 莫荣津 |
| 地址： | 517000 广东省河源*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法，属于半导体器件领域，二极管包括衬底、阳极和阴极，衬底之上从下往上依次设置有GaN缓冲层、AlGaN势垒层、p‑GaN层和BeO层，BeO层为在p‑GaN层的（0001）面上生长的（0001）BeO膜；阳极穿过BeO层及p‑GaN层到达AlGaN势垒层，且与p‑GaN层的侧面肖特基接触；阴极穿过BeO层与p‑GaN层欧姆接触。AlGaN/p‑GaN形成异质结时产生一定浓度的二维空穴气，BeO层提升二维空穴气的浓度，从而使器件的P沟道导通电流增大，由此得到高性能的P沟道肖特基势垒二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 肖特基势垒二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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