[发明专利]一种碲镉汞液相外延材料生长方法在审
| 申请号： | 202310847837.9 | 申请日： | 2023-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116926662A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宋林伟;孔金丞;万志远;方东;王文金;杨岸;毛旭峰;起文斌;李沛;姬荣斌 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C30B19/10 | 分类号： | C30B19/10;C30B19/12;C30B29/46 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650221 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞液相外延材料生长方法，针对碲镉汞和碲锌镉衬底之间不可避免存在的失配应力导致碲镉汞薄膜质量降低的问题，通过调整液相外延过程中的生长速率，在液相外延生长前段适当提高生长速率，使由于碲镉汞和碲锌镉之间晶格失配导致的失配应力随着生长厚度增加而急剧积累，达到临界值后通过晶格滑移的方式将应力释放，达到了失配应力释放的目的，生长出的碲镉汞薄膜表面平整光滑、表面明显有由于晶格失配后晶格滑移导致的crosshatch线，提高了液相外延碲镉汞材料晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞液相 外延 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
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