[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置在审
| 申请号： | 202310837880.7 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116924322A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡双;王新龙 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 翟海青 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置，方法包括：提供盖帽基底，具有第一空腔和第二空腔；形成第一虚拟图案层，第一虚拟图案层覆盖第一空腔；形成第二虚拟图案层和第三虚拟图案层，第二虚拟图案层覆盖第一虚拟图案层且露出第一虚拟图案层的部分底面，第三虚拟图案层覆盖第二空腔且露出第二空腔的部分底面；沉积吸气材料层，第一虚拟图案层上的吸气材料层与第二虚拟图案层之间形成有第一剥离切入口；去除第一虚拟图案层、第二虚拟图案层和第三虚拟图案层，以使得第一虚拟图案层上的吸气材料层、第二虚拟图案层上的吸气材料层、及第三虚拟图案层上的吸气材料层同时被去除。本发明的方法可以轻松完整地去除第一空腔的待剥离区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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