[发明专利]一种基于单位桥接电容的三段式电容阵列结构及方法在审

专利信息
申请号: 202310673322.1 申请日: 2023-06-08
公开(公告)号: CN116599535A 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 汤华莲;连浩如;张丽;宋建军 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 王晶
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于单位桥接电容的三段式电容阵列结构及方法,包括高段电容阵列、中段电容阵列以及低段电容阵列,其中高段电容阵列为M位、中段为K位且低段为L位,用于实现N位精度的模数转换;高段电容阵列与中段电容阵列之间的桥接电容CB1、中段电容阵列与低段电容阵列之间的桥接电容CB2均为单位电容C;在高段电容阵列中增加权重为0.5C电容用于补偿由单位电容作为桥接电容所引起的增益误差;在中段电容阵列相应位置增加3个2C和2个1C冗余位电容;在低段电容阵列中增加一位0.5C的电容其作用为补偿非二进制权重码值转换为二进制码值后的误差。本发明能够大幅减少电容阵列面积,并且易于实现电容匹配。
搜索关键词: 一种 基于 单位 电容 三段式 阵列 结构 方法
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