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[发明专利]一种基于单位桥接电容的三段式电容阵列结构及方法-CN202310673322.1在审
发明人：汤华莲;连浩如;张丽;宋建军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单位桥接电容的三段式电容阵列结构及方法，包括高段电容阵列、中段电容阵列以及低段电容阵列，其中高段电容阵列为M位、中段为K位且低段为L位，用于实现N位精度的模数转换；高段电容阵列与中段电容阵列之间的桥接电容CB1、中段电容阵列与低段电容阵列之间的桥接电容CB2均为单位电容C；在高段电容阵列中增加权重为0.5C电容用于补偿由单位电容作为桥接电容所引起的增益误差；在中段电容阵列相应位置增加3个2C和2个1C冗余位电容；在低段电容阵列中增加一位0.5C的电容其作用为补偿非二进制权重码值转换为二进制码值后的误差。本发明能够大幅减少电容阵列面积，并且易于实现电容匹配。
一种基于单位电容三段式阵列结构方法

[发明专利]一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法-CN202211197397.9在审
发明人：刘伟峰;连浩如;包军林;张栋;张士琦;宋建军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法，包括单晶Si衬底，Si衬底表面为P型Si层，P型Si层侧面为沟槽，沟槽中填充SiO2材料，P型Si层表面为栅氧化层，栅氧化层表面为多晶硅，位于栅氧化层两侧的P型Si层上为轻掺杂的源漏区，轻掺杂的源漏区与SiO2材料之间的P型Si层处为重掺杂的源漏区，重掺杂的源漏区表面为金属导线层，轻掺杂的源漏区表面为Si侧墙，Si侧墙两侧为SiO2侧墙，Si侧墙表面为铝金属层，铝金属层表面为金属导线层，金属导线层表面为用于钝化电介质的SiN材料。本发明从器件角度解决了单粒子效应对器件逻辑状态的影响，实现了由该抗辐照MOS器为基本单元所搭建的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作，在漏端嵌入SBD工艺简单，制作成本低。
一种复合 sbd 结构 mos 辐照器件制备方法

[发明专利]一种双副栅结构的MOS抗辐照器件及其制备方法-CN202210521649.2在审
发明人：刘伟峰;连浩如;宋建军;张栋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种双副栅结构的MOS抗辐照器件及其制备方法，本发明在传统的MOS器件上增加双副栅结构，双副栅结构由本征硅和二氧化硅构成，制作工艺与现有硅工艺兼容。本发明引入副栅可以对LDD下方电场强弱产生影响，可缓和由漏端PN结反偏形成的横向电场，降低电极收集电荷能力，使高能粒子的射入而产生的电子‑空穴对在被电极收集之前复合消失。从而消除由单粒子效应所引起的集成电路逻辑错误翻转等问题，使得本发明新型MOS抗辐照器件构成的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作。
一种双副栅结构 mos 辐照器件及其制备方法