[发明专利]CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法在审

申请号：	202310649418.4	申请日：	2023-06-02
公开（公告）号：	CN116682873A	公开（公告）日：	2023-09-01
发明（设计）人：	王秀宇;王涛;徐江涛;任群;崔雨昂	申请（专利权）人：	天津大学
主分类号：	H01L31/0288	分类号：	H01L31/0288;H01L31/101;H01L31/103;H01L31/18;H01L27/146
代理公司：	天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201	代理人：	刘国威
地址：	300072***	国省代码：	天津;12
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明涉及CMOS图像传感器领域，为提出一种基于硅本征光吸收和局域态能级光吸收的光电二极管新型结构，以扩宽硅的光吸收波长范围，提高传统CIS对长波长光的利用效率，有利于微光成像。为此，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法，采用杂质补偿结构的PN结PNc，构成PNc结的P区和N区均通过杂质补偿形成。本发明主要应用于CMOS图像传感器设计制造场合。
搜索关键词：	cmos 图像传感器光谱吸收光电二极管及其制作方法
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一种背接触电池及其制作方法-202111118365.0
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申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池，包括：基底，基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，以及介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的第三区域。依次形成于第一掺杂区上的第一掺杂层以及第二掺杂层，第一掺杂层与所述第二掺杂层的导电类型相反；形成于第二掺杂区的第三掺杂层，第三掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反；以及第一电极和第二电极，第一电极与第二掺杂层电接触，第二电极与第三掺杂层电接触。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。

一种背接触电池及其制作方法-202111162148.1
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申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池包括：基底，基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，和介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的叠层区和第三区域，叠层区靠近第一掺杂区；形成于第一掺杂区和叠层区上的第一掺杂层；形成于第一掺杂层上且位于叠层区上方的第二掺杂层，形成于第二掺杂区上的第三掺杂层，第三掺杂层和第二掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反；以及与第一掺杂层电接触的第一电极和与第三掺杂层电接触的第二电极。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。

p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用-202010200814.5
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申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开了p型多晶硅薄膜制备方法，主要是在硅片上依次制备氧化硅层‑非晶硅或多晶硅层‑金属铝层，形成多叠层结构薄膜，然后对根据工艺需要进行400‑1100℃高温退火，使铝在硅薄膜层中形成激活的杂质。本发明首先利用金属铝作为插入层，将其沉积于硼掺杂非晶硅或本征多晶硅表面，然后利用退火处理使铝在沉积层中扩散，特别是当形成多层叠层结构时，铝处于非晶硅或多晶硅夹层中，能够使扩散更加均匀，形成较好的掺杂，提供空穴，可以显著增加薄膜的载流子浓度，减低薄膜方阻，降低钝化介质/多晶硅与硅片之间的接触电阻率；此外，部分铝还可以扩散进入硅片，从而增强硅衬底的电阻率。由于铝的激活温度低、扩散速率高，可以减低处理温度和处理时间，显著降低工艺时间，节省成本。

太阳能电池-202223422454.7
发明人：陈海燕;蒋方丹;邓伟伟 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池，包括硅片、位于硅片正面的选择性发射极、正面金属电极，其特征在于，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，所述正面金属电极位于所述重掺杂区的正面并与其接触。所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE技术提效高。

一种太阳能电池及光伏组件-202310154391.1
发明人：金井升;廖光明 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、第一掺杂导电层、本征多晶硅层、第二掺杂导电层和第一电极。基底具有第一表面，隧穿氧化层覆盖于第一表面，第一掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面，本征多晶硅层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面，第二掺杂导电层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面，多个第一电极设置于第二掺杂导电层远离第一掺杂导电层的一侧，其中，第二掺杂导电层与第一电极沿太阳能电池的厚度方向对齐设置，第一电极的至少部分伸入至第二掺杂导电层内，以通过第二掺杂导电层与第一掺杂导电层电连接，能够增强载流子的传输能力，提高太阳能电池的电池效率。

CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法-202310649418.4
发明人：王秀宇;王涛;徐江涛;任群;崔雨昂 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明涉及CMOS图像传感器领域，为提出一种基于硅本征光吸收和局域态能级光吸收的光电二极管新型结构，以扩宽硅的光吸收波长范围，提高传统CIS对长波长光的利用效率，有利于微光成像。为此，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法，采用杂质补偿结构的PN结PNc，构成PNc结的P区和N区均通过杂质补偿形成。本发明主要应用于CMOS图像传感器设计制造场合。

用于制造PERT太阳能电池的方法-201880046023.2
发明人：弗洛里恩·巴克霍尔兹;皮尔明·普赖斯;克里斯托弗·皮特 -专利权人：国际太阳能研究中心康斯坦茨协会
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：提供了一种用于制造PERT太阳能电池(10)的方法，其具有以下步骤：制备n掺杂或p掺杂的硅基板(1)；实施第一掺杂工艺，利用所述第一掺杂工艺对所述n掺杂或p掺杂的硅基板(1)的至少一侧进行掺杂，或者将至少一个掺杂层施加到所述n掺杂或p掺杂的硅基板(1)的一侧，以生成第一掺杂侧；至少在所述PERT太阳能电池(10)的所述第一掺杂侧上沉积至少一种钝化表面或掩盖表面的物质；实施第二掺杂工艺，利用所述第二掺杂工艺至少掺杂所述n掺杂或p掺杂的硅基板的与所述第一掺杂侧相对的另一侧，或者在其上施加掺杂层，其中，在实施这些步骤之后，对所述PERT太阳能电池(10)的边缘(11，12)进行湿法化学蚀刻，其中，在湿法化学蚀刻时，所述PERT太阳能电池(10)的与所述第一掺杂侧相对的另一侧由水帽(4)保护，并且其中，在将所述钝化表面或掩盖表面的物质(5)至少沉积在所述PERT太阳能电池(10)的所述第一掺杂侧上之后并且在所述边缘的湿法化学蚀刻之前，使沉积在所述PERT太阳能电池(10)的所述第一掺杂侧上的所述钝化表面或掩盖表面的物质(5)通过高温处理来烧结。

太阳能电池及其制备方法、光伏组件-202310608687.6
发明人：张彼克;徐梦微;金井升;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第一表面的发射极和第一钝化层；位于半导体衬底第二表面的隧穿层；位于隧穿层表面的第一掺杂导电层和阻滞层，其中，第一掺杂导电层位于隧穿层与阻滞层之间，第一掺杂导电层和阻滞层对应于金属化区域；位于隧穿层表面的第二掺杂导电层，第二掺杂导电层覆盖非金属化区域的隧穿层和阻滞层，第二掺杂导电层的掺杂浓度大于第一掺杂导电层的掺杂浓度；位于第二掺杂导电层表面的第二钝化层；穿透第二钝化层与第二掺杂多晶硅层形成接触的第二电极及穿透第一钝化层与发射极形成接触的第一电极。

一种选择性硼掺杂结构及其制备方法和应用-202310447030.6
发明人：王永峰;汤佳丽;杨立功 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明提供了一种选择性硼掺杂结构及其制备方法和应用，属于光伏技术领域。所述方法经过印刷、热处理和激光掺杂，形成的选择性硼掺杂结构以金属栅线与硅片接触区域为重掺杂区、受光区域为轻掺杂区，重掺杂区形成良好的欧姆接触并且改善填充因子，轻掺杂区可以改善短波的响应，且低表面浓度减少了少子的复合、提升了开路电压和短路电流。本发明的选择性硼掺杂结构的制备方法较现有工艺更简单，效果好，耗时短，易操作。

具有低暗电流的光侦测装置-202310473507.8
发明人：卢彦丞;那允中 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请涉及一种具有低暗电流的光侦测装置。光侦测装置包含一光侦测组件，光侦测组件包含：一基底，包含一导通区；一吸收区，接触导通区，且配置以接收一光信号于接收光信号后产生多个光载子。其中，吸收区掺杂具有一第一导电类型及一第一峰值掺杂浓度的一第一掺杂物；导通区掺杂具有一第二导电类型及一第二峰值掺杂浓度的一第二掺杂物；导通区包含与吸收区的一材料不同的一材料；导通区与吸收区接触以形成至少一异质界面；吸收区的第一峰值掺杂浓度与导通区的第二峰值掺杂浓度间的一比例等于或大于10；基底包含多个第一接触区；吸收区包含一第二接触区；基底包含多个第三接触区；多个第三接触区及多个第一接触区是一交错状的排列。

一种TOPCon电池及其制备方法-202310470192.1
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm‑3；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度，第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度。本发明提供的TOPCon电池结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。

一种TOPCon电池及其制备方法-202310470216.3
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：单晶硅片；设置在单晶硅片背面的内扩层；设置在内扩层下方的掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度高于第二掺杂多晶硅区域的掺杂浓度；所述内层包括：第一内扩区域和第二内扩区域，所述第一内扩区域位置与第一掺杂多晶硅区域位置相对应，所述第一内扩区域的结深大于第二内扩区域的结深。本发明提供的TOPCon电池具有特定的结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅的厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。

太阳能电池及其制备方法、光伏组件-202310427838.8
发明人：杨楠楠;张彼克;金井升 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底；隧穿层，位于基底的第一表面；掺杂导电层，位于隧穿层远离基底的表面，包括：沿平行于第一表面方向交替排布的第一硅层和第二硅层，第一硅层和第二硅层均沿预设方向延伸，第一硅层由第一多晶硅构成，第二硅层包含第二多晶硅和非晶硅，其中，第一多晶硅的平均晶粒尺寸大于第二多晶硅的平均晶粒尺寸，第二硅层的掺杂元素浓度大于第一硅层的掺杂元素浓度；多个第一电极，位于掺杂导电层远离隧穿层一侧，多个第一电极中的每一个沿预设方向延伸，且一第一电极与一第二硅层电接触。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片-202310269969.8
发明人：舒柏·巴萨克;伊格·佩杜斯;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森;李衡敏;金昞天;罗伯特·J·法斯特 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请涉及具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片。本发明提供一种用于制备单晶硅锭的方法及从其切割的晶片。所述锭和晶片包括至少约1x1014个原子/cm3的浓度的氮及/或至少约1x1019个原子/cm3的浓度的锗、小于约6ppma的浓度的间隙氧及至少约1000ohm cm的电阻率。

太阳能电池及其制备方法、光伏组件-202310172661.1
发明人：张彼克;徐梦微;金井升;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第一表面的发射极和第一钝化层；位于半导体衬底第二表面的隧穿层；位于隧穿层表面的第一掺杂导电层和阻滞层，其中，第一掺杂导电层位于隧穿层与阻滞层之间，第一掺杂导电层和阻滞层对应于金属化区域；位于隧穿层表面的第二掺杂导电层，第二掺杂导电层覆盖非金属化区域的隧穿层和阻滞层，第二掺杂导电层的掺杂浓度大于第一掺杂导电层的掺杂浓度；位于第二掺杂导电层表面的第二钝化层；穿透第二钝化层与第二掺杂多晶硅层形成接触的第二电极及穿透第一钝化层与发射极形成接触的第一电极。

一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法-202310059062.9
发明人：曾俞衡;叶继春;杜浩江;刘伟;廖明墩;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的磷掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和硼掺杂源非晶硅层。本发明利用介质层和磷掺杂源非晶硅层的叠层结构作为磷扩散源，其电学与钝化性能良好，同时可以调控扩散温度使之与背面p‑TOPCon结构退火温度相匹配，从而实现一步退火的制备工艺。

一种高效的背接触P型太阳能电池结构及其制备方法-202211525767.7
发明人：欧文凯;董思敏;向亮睿 -专利权人：普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开了一种高效的背接触P型太阳能电池结构及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。电池结构包括：采用掺镓P型硅作为衬底；衬底的背面具有N区、P区、镂空结构、正电极和负电极；衬底的正面从背面至正面依次涂覆有氧化铝和钝化层；N区从正面至背面依次涂覆有隧穿氧化层、氧化钛层、氧化铝和钝化层；P区从正面至背面依次涂覆有氧化铝和钝化。制备方法的步骤大致为：清洗抛光；生长隧穿氧化层及氧化钛；激光开膜；清洗及正面碱制绒；硅片双面生长氧化铝及钝化层；再次激光开膜；丝网印刷正负电极；光注入。本发明在工艺流程上高效的同时，高温机台少，降低机台和工艺的繁琐性，因此有操作简单、生产成本低、效率高的优点。

一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及制备方法-202111331892.X
发明人：邱孝鑫;张岱南;张有禄;李晨光 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明的目的在于提供一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明红外光电探测器阵列单元采用分子束外延方法制备，在制备过程中原位生长形成非对称二维薄膜PIN浅结结构，其中，P层采用射频磁控溅射方式对中性GeSn掺B进行改性，I层采用双源双控方法生长GeSn，N层采用高温原位掺杂方法对Ge薄膜进行掺杂处理后得到；同时设计相互垂直且等距排布的行导线和列导线，使阵列单元设置于行导线和列导线分割的空间内，再完成阵列单元与行导线和列导线的连接，即可得到光电探测阵列。本发明红外探测阵列可实现任意尺寸，且单个阵列单元的短路不会影响周围探测器的性能。

一种PERC太阳能电池及制备方法-202110587769.8
发明人：董建文;张佳舟;王敏 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开了一种PERC太阳能电池及制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片依次进行制绒；正面进行局部损伤处理；扩散；背面去除PSG及碱抛光；正面热氧化生长一层二氧化硅；背面沉积氧化铝及氮化硅薄膜；正面沉积氮化硅薄膜；背面激光开槽；丝网印刷电极及烧结，得到PERC太阳能电池。本发明不需要激光掺杂，便可实现PERC太阳能电池的选择性发射极，简化了工艺流程，大大降低了制造成本。

一种异质结电池及其制备方法-202110767660.2
发明人：徐晓华;辛科;周肃;龚道仁;王文静;李晨;陈梦滢;程尚之 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明提供一种异质结电池及其制备方法，异质结电池包括：半导体衬底层；本征半导体复合层，所述本征半导体复合层位于所述半导体衬底层的至少一侧表面，所述本征半导体复合层包括：底层本征层；位于所述底层本征层背向所述半导体衬底层一侧表面的宽带隙本征层，所述宽带隙本征层的带隙大于所述底层本征层的带隙。宽带隙本征层的带隙较大，当太阳光照射异质结电池时，能量小于宽带隙本征层的带隙的光子不能被寄生吸收，减小了本征半导体复合层对太阳光的寄生吸收，从而使得半导体衬底层对太阳光的吸收增多，半导体衬底层产生的光生载流子增多，进而能提高异质结电池的短路电流，能提高异质结电池的转换效率。

锌超掺杂硅及其制备方法以及在制备红外探测器上的应用-202211236162.6
发明人：余学功;傅嘉威;丛靖昆;成立;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开了一种锌超掺杂硅的制备方法，包括清洗硅衬底，采用真空热蒸发或真空磁控溅射方法在清洗后的硅衬底表面蒸镀或溅射锌薄膜；采用飞秒激光对锌薄膜表面进行扫描式辐射得到锌超掺杂。该制备方法简单、高效，本发明还提供了利用该方法制备的锌超掺杂硅材料，该锌超掺杂硅材料具有较高的锌掺杂浓度和较好的光吸收率，本发明还提供了将该锌超掺杂硅材料在制备光伏型红外探测器上的应用，制备得到的红外探测器具有较好的光响应性。

一种PERC电池片及其制备方法-202211282189.9
发明人：黄智;石鑫鑫;姚骞 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明公开了一种PERC电池片及其制备方法，属于光伏太阳能电池技术领域；方法包括：对制绒后的硅片进行扩散处理，以在硅片表面形成PSG层；在扩散处理后的硅片表面附着呈设定图案的含磷物质；对附着有含磷物质的硅片进行激光推进，以在硅片表面形成磷重掺杂区；对激光推进完成的硅片进行去PSG处理和碱抛处理，后制备电极，得到PERC电池片；提高了设定图案对应区域的磷掺杂浓度，形成磷重掺杂区，使得磷重掺杂区和其他区域的磷浓度差大大提高，进而使得磷重掺杂区的方阻远低于其他区域的方阻，在后续制备电极过程中，电极材料能够和磷重掺杂区的硅更好的接触，使得串联电阻更小、填充因子更高，从而转换效率更高。

一种HBC太阳能电池用磷浆料及其制备方法-202211300714.5
发明人：欧文凯;李含朋;向亮睿 -专利权人：普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明涉及一种HBC太阳能电池用磷浆料及其制备方法，通过磷粉、硅粉、有机溶剂、增稠剂、触变剂和其他有机助剂复配混合、协同作用制备磷浆料，不仅工艺简单，生产过程无毒无害，安全环保、稳定性高，成本低廉；且制成的磷浆料存储方便且可长时间存储；同时有效的改善了磷浆料的流平性及触变性，可以延长磷粉及硅粉颗粒的分散时间，促进印刷磷硅层的成形，增强磷元素与HBC太阳能电池背面非晶硅层(或多晶硅层)的扩散均匀性，得到较优异的掺杂层，使得HBC太阳能电池的转换效率得到了提高。

一种光伏电池及光伏电池的制造方法-202210874050.7
发明人：于琨;刘长明;张昕宇;赵朋松;王东;周超 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请涉及一种光伏电池及光伏电池的制造方法，光伏电池包括基底，在基底的一侧包括依次堆叠的发射极和钝化层；发射极包括沿自身厚度方向层叠设置的第一平面和第二平面，第二平面与第一平面之间的部分发射极为第一掺杂层；在单位体积内，第二平面的掺杂浓度与第一平面的掺杂浓度的变化率ΔC1满足：ΔC1≤15%，降低了第一掺杂层沿厚度方向的掺杂浓度下降速度较快的风险，从而提升了第一掺杂层掺杂浓度的一致性，降低了第一掺杂层局部的掺杂浓度较低导致发射极与金属电极接触的电阻率较大的风险，有利于发射极与金属电极的电连接，提升了光伏电池的转化效率，并提升了光伏电池的工作稳定性。

一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法-202210773208.1
发明人：叶继春;曾俞衡;廖明墩;刘伟;刘尊珂 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明提供一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法，钝化接触结构包括硅衬底和硅衬底一面上依次叠设的界面氧化层、载流子收集层、介质层和重掺杂多晶硅层，所述载流子收集层由至少一层硅纳米晶薄膜构成。本发明的钝化接触结构具有载流子收集层，载流子收集层由具有宽带隙的硅纳米晶薄膜构成，通过采用具有更高带隙的硅纳米晶，可以拉开硅纳米晶层与硅衬底间的准费米能级差，从而提升载流子收集层与硅衬底之间的qVD，有利于增加开路电压的上限。

太阳能电池及光伏组件-202210611083.2
发明人：毛杰;徐孟雷;郑霈霆;杨洁;张昕宇 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底背表面的隧穿层、场钝化层、第一钝化膜以及穿透第一钝化膜与场钝化层形成接触的第一电极；第一掺杂元素在隧穿层中的掺杂浓度小于第一掺杂元素在场钝化层中的掺杂浓度，第一掺杂元素在隧穿层中的掺杂浓度大于第一掺杂元素在基底中的掺杂浓度；场钝化层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂曲线斜率大于第二掺杂区的掺杂曲线斜率。本申请实施例第一掺杂元素在场钝化层中的掺杂浓度高于在隧穿层、基底中的掺杂浓度，且第一掺杂元素在场钝化层表层中实现了较高的激活率，有利于提升太阳能电池的钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。

太阳能电池及光伏组件-202210611082.8
发明人：毛杰;徐孟雷;郑霈霆;杨洁;张昕宇 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底上表面的发射极、正面钝化膜以及穿透正面钝化膜与发射极形成接触的正面电极；其中，基底包括第一掺杂元素，第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；激活的第一掺杂元素在基底上表面的掺杂浓度为5×1018atom/cm3~1.5×1019atom/cm3；且激活的第一掺杂元素在基底上表面的激活概率为20%~40%；激活概率为激活的第一掺杂元素的掺杂浓度与总注入的第一掺杂元素的浓度的比值。本申请实施例通过提高激活的第一掺杂元素在基底表层中的掺杂浓度以及掺杂概率，减小死层的影响，提高太阳能电池的转换效率。

一种低成本全背电极晶硅太阳电池制备用玻璃浆、电池结构及其制备方法-202210515221.7
发明人：李永强;刘家敬;何海英;杨至灏 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明属于太阳能电池发电技术领域，具体涉及一种低成本全背电极晶硅太阳电池制备用玻璃浆、电池结构及其制备方法。本发明的玻璃浆包括硼硅玻璃浆和磷硅玻璃浆，其中硼硅玻璃浆用于制备p+掺杂层，所述磷硅玻璃浆用于制备n+掺杂层。本发明工艺简单实用，可以有效简化全背电极晶体硅太阳电池的制备工艺，满足晶硅太阳电池高产能、低能耗，降低生产成本的需求。本发明的玻璃浆可用于全背电极电池叉指型n+和p+结构的形成，可有效避免n+和p+层的直接接触，优化银电极和银铝电极分别与晶体硅太阳电池n+和p+层的金属‑半导体接触性能，降低金属诱导复合，提升太阳电池的开路电压，有效提高全背电极电池的光电转换效率。

太阳能电池及其制备方法-201780004145.0
发明人：田永权 -专利权人：田永权
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本发明涉及一种Cu化合物太阳能电池结构体及其制备方法，所述太阳能电池结构体能够改善太阳能电池的光电转换效率。本发明的太阳能电池包括：位于彼此面对的两个电极之间的包含Cu化合物或Cd化合物的光吸收层；在所述两个电极和所述光吸收层之间的任一侧或两侧形成且包含要提供给所述Cu化合物或Cd化合物的杂质元素的杂质材料层；和通过在所述光吸收层上扩散的所述杂质元素而在所述光吸收层的一部分上形成的掺杂层。另外，本发明的太阳能电池具有经杂质掺杂形成的诸如p‑n结等内部电场层。

一种TOPCon电池-202220278840.4
发明人：杨睿;冯志强 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L31/0288
摘要：本实用新型提供了一种TOPCon电池，所述TOPCon电池包括依次层叠设置的电极层、至少一层氮化硅层、钝化层、掺杂层、硅基底、隧穿氧化层、第一本征多晶硅层、掺杂多晶硅层、含硅层、至少一层氮化硅层和电极层；所述含硅层为第二本征多晶硅层或氧化硅层；本实用新型所述掺杂多晶硅层一侧设置第一本征多晶硅层，能大大改善后续原位掺杂的均匀性，提高TOPCon电池的转换效率，同时能缩减整体的工艺时间；掺杂多晶硅层的另一侧设置含硅层，所述含硅层为第二本征多晶硅层或氧化硅层，该层能够起到保护掺杂多晶硅层的作用，同时能进一步缩短整体的工艺时间。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法在审

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