[发明专利]光电子半导体器件和用于制造至少一个光电子半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202280018383.8 | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN116941050A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 马丁·穆哈杰拉尼;亚历山大·普福伊费尔;多米尼克·斯科尔茨 | 申请（专利权）人： | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 支娜;丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提出一种光电子半导体器件(13)，包括：层堆(9)，其具有一个侧面或多个侧面(9A)，第一和第二主面(9B、9C)，所述侧面分别包括对第一半导体区域(4)侧向限界的第一侧部区域(90A)和对第二半导体区域(5)部分侧向限界的第二侧部区域(90B)；在第一主面(9B)上设置的第一接触机构(10)，其设为用于电接触第一半导体区域(4)；和在至少一个侧面(9A)上设置的第二接触机构(11)，其设为用于电接触第二半导体区域(5)；和在第二接触机构(11)和层堆(9)之间设置的介电层(12)，其中至少一个第二侧部区域(90B)至少部分地不由介电层(12)覆盖且第二接触机构(11)覆盖不由介电层(12)覆盖的区域。此外，提出一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 用于 制造 至少 一个 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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