[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件在审
| 申请号： | 202280017286.7 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116941049A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 延斯·埃贝克;克里斯蒂娜·舍勒斯托;马库斯·格劳尔;汉斯-约阿希姆·迈耶;理查德·弗勒特尔 | 申请（专利权）人： | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 支娜;丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提出一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法，所述方法包括以下步骤：A)提供半导体本体(10)，所述半导体本体沿竖直方向(Y)相继跟随地包括第一传导类型的第一层(101)，构成为量子阱结构的有源层(103)，量子阱结构设为用于发射电磁辐射，和第二传导类型的第二层(102)；和B)用聚焦的电磁辐射(E)照射半导体本体(10)，使得电磁辐射(E)的焦点区域(E1)位于有源层(103)之内并且与量子阱结构重叠，其中电磁辐射(E)具有如下强度，所述强度在焦点区域(E1)中足够大，以便引起量子阱结构中的点缺陷(201)，使得形成缺陷区域(20)，并且点缺陷(201)的产生限于焦点区域(E1)。此外，提出一种光电子半导体器件(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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