[实用新型]一种走线补充掩膜板及模组结构有效

申请号：	202220323047.1	申请日：	2022-02-17
公开（公告）号：	CN216979582U	公开（公告）日：	2022-07-15
发明（设计）人：	余光棋;汪雨廷;王欢;董欣;王新志	申请（专利权）人：	信利(仁寿)高端显示科技有限公司
主分类号：	G03F1/72	分类号：	G03F1/72;H01L21/768
代理公司：	广州粤高专利商标代理有限公司 44102	代理人：	李远星
地址：	620500 四***	国省代码：	四川;51
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摘要：	本实用新型公开了一种走线补充掩膜板，包括多条遮光走线，还包括至少一个曝光不匀区，各条遮光走线在所述曝光不匀区内的一侧走线密度较大、另一侧走线密度较小；至少一个曝光不匀区设有至少一个遮光补偿部，所述遮光补偿部位于对应遮光走线的走线密度较小一侧。该走线补充掩膜板及模组结构，可补偿所述外围走线因其两侧走线密度不同而引起的过曝现象。本实用新型还公开了一种走线补充模组结构。
搜索关键词：	一种补充掩膜板模组结构
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摘要：本发明实施例提供一种光罩黑缺陷修补方法，包括：确定待修补光罩上完整包含黑缺陷的待修补区域以及待修补区域在待修补光罩中的位置坐标；根据位置坐标在待修补光罩的原始设计图形中截取出与待修补区域相对应的局部参照图形，将局部参照图形转化为光刻机可识别的可用图形后导入光刻机；将待修补光罩依次进行清洗和涂光刻胶处理后放入光刻机；控制光刻机根据预先输入的位置坐标确定待修补光罩上的待修补区域，并依据可用图形对待修补区域进行定点局部曝光；以及对完成定点局部曝光的待修补光罩依次进行显影、蚀刻、脱模和清洗，即获得修补完成的光罩成品。本实施例能提高光罩缺陷修补的通用性。

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摘要：本发明涉及一种相位移光罩缺陷补偿方法、装置及相位移光罩，方法包括：根据提供的相位移光罩，获取相位移光罩的参数；根据相位移光罩的参数建立检测模型；通过检测模型结合照明条件以及晶圆的光刻胶性质，计算出相位移光罩中的相位移垫层图案上的缺陷区域；缺陷区域为相位移光罩曝光时导致晶圆的表面出现破口的区域；根据缺陷区域的边界，确定需要覆盖在缺陷区域上的不透光层的边界；不透光层覆盖缺陷区域。本发明实施例通过检测相位移垫层图案中的缺陷区域，并在缺陷区域上覆盖不透光层，实现在通过相位移光罩对晶圆曝光时，在不透光层的作用下，与缺陷区域对应的晶圆表面位置处不再出现破口。

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摘要：本发明涉及一种永久修复光刻掩模(105、210、220)的材料缺损的缺陷(260、270、280)的方法，该方法包括以下步骤：(a)在掩模(105、210、220)的待修复位置处提供至少一个含碳前驱气体和至少一个氧化剂；(b)在材料缺损的位置处借助于至少一个能量源(127)引发所述至少一个含碳前驱气体的反应，从而在材料缺损的位置处沉积材料，其中沉积的材料(460、670、880)包括反应的至少一个含碳前驱气体的至少一个反应产物；以及(c)控制所述至少一个氧化剂的气体体积流速，以使沉积的材料(460、670、880)的碳比例最小化。

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申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明实施例提供了一种掩膜板的修复方法。本发明实施例通过在掩膜板的缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积，由此，能够增加在清洗过程中缺陷受到的冲击力，并通过清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。可以提高掩膜板的精度。

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摘要：本发明提供了一种版图修正方法，包括：获取原始版图，原始版图中包括至少两个目标图案，目标图案中包括有第一图形和第二图形，第一图形为条形结构，第一图形和第二图形连接，目标图案的第一图形的一侧或两侧设置有另一目标图案的第二图形，并且，目标图案的第二图形与另一目标图案的第二图形间隔设置；在目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个修正图形，或者，在另一目标图案中与目标图案第一图形所紧邻的边缘处，挖除至少一个图形。采用本发明提供的版图修正方法修正完成后，所制作出的掩膜版可以增加曝光的工艺窗口，有效地避免了断线或粘连等工艺缺陷，从而确保了最终形成在基底上的实际图案不会失真。

一种掩膜版的缺陷修复方法-202010343558.5
发明人：李珍;范海文;江启明 -专利权人：长沙韶光铬版有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明涉及一种掩膜版的缺陷修复方法，提供掩膜版；于显微镜下寻找所述掩膜版上的缺陷，再在缺陷周围形成非水溶性涂料圈；向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加水系去胶液，去除非水溶性涂料圈所围区域的光刻胶，然后去除非水溶性涂料圈内的水系去胶液；向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加铬腐蚀液，修复缺陷；将修复缺陷后的掩膜版置于去胶液中去除版面的光刻胶；去除版面的非水溶性涂料圈；对掩膜版进行清洗，获得修复后的掩膜版。本发明的修复方法，无需二次匀胶光刻去除缺陷，在检验缺陷的同时用非水溶性涂料圈出缺陷，将所有缺陷标识出，同时去胶后去残铬，该方法简单易操作，降低掩膜版的制造成本，提高良率及利用率，提高经济效益。

光掩模修正装置及方法-202211023392.4
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申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本申请提供一种能够提高光掩模的精度的光掩模修正方法。该光掩模修正方法包括：测量激光的强度轮廓(intensity profile)；利用库来获取与所测量的强度轮廓对应的蚀刻量数据；基于蚀刻量数据确定激光的工艺参数；以及根据所确定的工艺参数，用激光来修正光掩模。

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发明人：翟佳;陈建良;李欣;范刚洪;徐广军 -专利权人：上海仪电显示材料有限公司;昆山仪电显示材料有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G03F1/72
摘要：一种掩膜版修复方法及掩膜版，其中，方法包括：提供掩膜版，所述掩膜版包括透光基板和遮光层，所述遮光层包括缺陷区，且所述缺陷区内具有缺陷；在所述缺陷区表面形成有色光阻层，所述有色光阻层用于阻挡预设波长范围内的光，所述有色光阻层在所述掩膜版表面具有第一投影；在所述有色光阻层表面和所述掩膜版的部分表面形成保护光阻层，所述保护光阻层在所述掩膜版表面具有第二投影，所述第一投影在所述第二投影的范围内，且所述第一投影的轮廓与所述第二投影的轮廓不重合。所述方法适用于小尺寸的缺陷的修复，并且，能够降低掩膜版修复的工艺难度、减少工艺周期和成本，以及使修复后的掩膜版具有较好的耐用性。

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发明人：中山憲治 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F1/72
摘要：提供光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法。即使在利用相移作用的光掩模中产生缺陷，也能够进行精密的修正。一种光掩模修正方法，对具有在透明基板(1)上将半透光膜(2)图案化而形成的转印用图案的光掩模中产生的缺陷(20)进行修正，包括确定缺陷(20)的工序；形成修正膜(4)的修正膜形成工序。半透光部(12)具有对于曝光光的代表波长的光的透射率Tm(％)(Tm＞25)和相移量φm(度)(160≤φm≤200)。在修正膜形成工序，按任意的顺序层叠组成彼此不同的第1膜4a和第2膜4b。第1膜4a包含Cr及O，第2膜4b包含Cr、O及C。第1膜不包含C，或包含含量小于第2膜的含量的C，第2膜包含含量小于第1膜的含量的O。

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申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备，该装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，图像识别单元与修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；图像识别单元与滴液控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至滴液控制单元，以供滴液控制单元根据缺陷尺寸控制蚀刻液滴头滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；图像识别单元与风刀控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至风刀控制单元，以供风刀控制单元根据缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对掩模版上的缺陷进行处理。本申请提高了掩模版表面黑缺陷的修补能力。

光掩膜版的制作方法-202310024625.0
发明人：祁耀亮 -专利权人：睿晶半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F1/72
摘要：一种光掩膜版的制作方法，包括：提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；当部分形成的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距偏大时，通过选择性形成工艺，选择性的在所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形的侧壁表面上形成修正层，使得所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距减小。即本申请中通过选择性形成工艺，可以选择性的在所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形的侧壁表面上形成修正层，使得所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距减小，即对间距偏大的两相邻遮蔽图形之间的间距进行了修复。

一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备-202110325288.X
发明人：李福;蔡丰年;谢翔宇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明公开了一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备，对于至少包括第一图案、第二图案和第三图案，第三图案设置在第一图案和第二图案之间，在靠近第三图案的一侧，第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，第一直线线段和第二直线线段平行；第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，第三直线线段和第四直线线段平行的掩模图案，可以通过调整第一斜线线段与第一直线线段的第一夹角以及第二斜线线段与第三直线线段的第二夹角实现对掩模图案的校正，从而避免在第一斜线线段、第二斜线线段和第三图案之间的位置处出现桥接的缺陷。

工艺热点的确定方法、装置和光刻版图设计系统-202211620724.7
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申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本申请提供了一种工艺热点的确定方法、装置和光刻版图设计系统，该方法包括：第一绘制步骤，将基层图层以外的所有的图层的通孔图案绘制在基层图层上，得到通孔图案版图；第二绘制步骤，以各基层图层通孔图案的中心为圆心，以预定距离为半径，在通孔图案版图上绘制多个扫描圆；第一确定步骤，将通孔图案版图中与各扫描圆存在重叠区域的通孔图案确定为异常通孔图案；第二确定步骤，将扫描圆对应的异常通孔图案和扫描圆对应的基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，完成基层图层的扫描；重复步骤，依次重复第一绘制步骤、第二绘制步骤、第一确定步骤和第二确定步骤至少一次，直至完成所有的图层扫描，解决现有技术中工艺热点的检测效率低的问题。

版图中光刻坏点的检测修复方法、系统及计算机介质-202310030409.7
发明人：王小虎;王小威 -专利权人：华芯巨数（杭州）微电子有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明涉及计算光刻与物理设计中的绕线的交叉领域，特别涉及一种版图中光刻坏点的检测修复方法、系统及计算机介质，本发明的版图中光刻坏点的检测修复方法包括以下步骤：获取初始版图；基于初始版图得到初始物理设计版图；对初始物理设计版图进行光刻坏点检测；若存在光刻坏点，调整初始物理设计版图，清除光刻坏点得到初始优化物理设计版图；重复上述步骤检测初始优化物理设计版图是否还存在光刻坏点，若仍存在光刻坏点，则通过绕线工具对初始优化物理设计版图进行调整清除剩余光刻坏点；若不存在光刻坏点或光刻坏点完全清除，输出对应的优化物理设计版图作为最终物理设计版图。同时进行光刻坏点的检测及修复，提高版图的工艺流程效率及质量。

图案修正方法以及光掩模-202210917102.4
发明人：川原未佑;田中千恵;森山久美子 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明的目的在于一次进行大规模的图案修正。本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一遮光膜(11)已经形成有图案的光掩模(10)新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二遮光膜(21)成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，形成光致抗蚀剂膜(22)以覆盖第二遮光膜(21)的整个面；图案形成工序，形成光致抗蚀剂图案；以及遮光膜除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液，除去第二遮光膜(21)的一部分。

一种新型FEI转换台装置-202221205014.3
发明人：张月圆;薛文卿 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G03F1/72
摘要：一种新型FEI转换台装置，包括托盘基座，托盘基座顶部固定连接有固定支架，固定支架顶部设置有四根上下滑轨，四根上下滑轨上设置有顶杆，顶杆固定连接在方形铝合金板四角上，方形铝合金板顶部中间靠近顶杆一端固定连接有气缸，气缸一端通过气管连接有两通四位手动控制阀，两通四位手动控制阀操控气缸工作方向，两通四位手动控制阀管道连接有气压调节阀，气压调节阀控制气缸的上下速度，本实用新型所达到的有益效果是：本实用新型设计科学合理，操作简单方便，可以有效提高修补成功率，最大限度地降低因产品转换装置引起的产品缺陷。

光掩模修复方法及其系统-202210220006.4
发明人：张浩铭;庄景智;李效丞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明实施例涉及一种光掩模修复方法及其系统。一种光掩模修复的方法包含：提供光掩模，其中所述光掩模包含多层堆叠、光吸收层、抗反射涂层和光吸收层。所述方法进一步包含：接收有关光掩模的信息；根据所述信息确定偏压；基于偏压确定电子束写入器系统的扫描配方；电子束写入器系统以扫描配方对抗反射涂层与光吸收层中的至少一者执行修复操作。

曝光辅助图形的优化方法-202210966714.2
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摘要：本发明提供了一种曝光辅助图形的优化方法。利用辅助图形的历史数据建立光学验证模型，并通过该光学验证模型对当前添加的辅助图形进行验证，以判断出当前的辅助图形的曝出概率，实现更高精度、更高效率的添加辅助图形，并能够更高效的完成后续的OPC修正过程。

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摘要：本发明涉及一种黄光工艺曝光用的掩膜版修复方法，包括如下步骤：对掩膜版定期检测缺陷情况并定位缺陷位置，根据缺陷的大小状况，采用不同规格的金属工具针蘸取阻光剂填充至对应缺陷位置，观察平整度和阻光性，根据要求调整，填充完全后进行固化处理；然后置于药剂中进行超声处理，再采用去离子水常温清洗，干燥后得到黄光工艺曝光用的修复后掩膜版；其中所述药剂为含有碱性化合物和二乙二醇丁醚的水溶液；以上修复方法还包括对所述修复后掩膜版进行防粘处理：将修复后掩模版需要与光刻材料接触的一面贴合防粘膜后进行加压脱泡处理。本发明修复方法能够提高产品曝光良率，且掩膜版不与材料发生粘连，降低制造企业的成本。

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摘要：一种检测图案单元，包含内图案层及外图案层。内图案层具有至少一个检测图案，外图案层位于内图案层的外侧而成方形，具有沿第一方向及第二方向两两相对的定位检测图案，其中，彼此相对的两个定位检测图案具有相同的节距，相邻的两个定位检测图案的节距可为相同或不同，且彼此相对的两个定位检测图案可沿第一方向及第二方向产生至少二条检测图案连线。通过检测图案单元的设计且以其做为对准图案，以取得经半导体制程后所产生与其相应的线路图案单元间的差异信息，以得到检测结果并进行校正，以提升制程图案的准确性。此外，本发明还提供一种利用前述检测图案单元检测半导体制程的图案检测方法，及用于图案检测方法的图案检测系统。

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发明人： J.舍内贝格;M.巴达克;C.鲍尔;J.奥斯特 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明公开一种修补平版印刷掩膜缺陷、特别是修补EUV掩膜的缺陷的方法、设备和计算机机程序。修补平版印刷掩膜(特别是EUV掩膜)缺陷的方法包含以下的步骤：(a.)以第一修补剂量对缺陷执行第一修补步骤，使该缺陷从初始拓扑转变成第一缺陷拓扑；(b.)测定第一修补步骤对缺陷拓扑的影响；(c.)测定对缺陷进行的第二修补步骤应在缺陷处达到的第二缺陷拓扑；(d.)测定第二修补步骤的第二修补剂量，此测定至少有一部分是根据测得的第一修补步骤对缺陷拓扑及第二缺陷拓扑的影响。此外，本发明还可以包含步骤(e.)以第二修补剂量执行第二修补步骤。

光掩模缺陷定位方法及消除方法-202210758520.3
发明人：张健澄 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F1/72
摘要：本发明提供了一种光掩模缺陷定位方法及消除方法。所述光掩模缺陷定位方法包括获取目标光掩模中刻蚀掩模层中电子图像，所述目标光掩模包括透明衬底层和若干个设置在所述透明衬底层上的刻蚀掩模层，所述刻蚀掩膜层存在缺陷；根据所述电子图像获取所述电子图像中的图像缺陷位置；根据所述图像缺陷位置确定所述刻蚀掩模层中的实际缺陷位置，根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点。本发明能够提高光掩膜缺陷修补的准确率和效率，降低重复修补的情况。

光罩热膨胀校正方法-202110879709.3
发明人：任茂华;白源吉;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/72
摘要：光罩热膨胀校正方法，包括对一组晶圆执行曝光程序并生成配方，执行数据挖掘及数据解析以生成多个迭置参数，由该多个迭置参数取出多个预定参数，对每一预定参数执行线性回归，及生成该每一预定参数的决定系数。

掩膜版版图的修正方法-202010022648.4
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G03F1/72
摘要：一种掩膜版版图的修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；获取每个所述主图形的位置信息；根据每个所述主图形的位置信息，获取与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息；根据与每个主图形相邻的辅助图形的位置信息，在每个所述主图形周围设置与所述主图形相邻的辅助图形。从而，提高形成的光刻图形的精度。

一种新型FEI转换台装置-202210544124.0
发明人：张月圆;薛文卿 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G03F1/72
摘要：一种新型FEI转换台装置，包括托盘基座，托盘基座顶部固定连接有固定支架，固定支架顶部设置有四根上下滑轨，四根上下滑轨上设置有顶杆，顶杆固定连接在方形铝合金板四角上，方形铝合金板顶部中间靠近顶杆一端固定连接有气缸，气缸一端通过气管连接有两通四位手动控制阀，两通四位手动控制阀操控气缸工作方向，两通四位手动控制阀管道连接有气压调节阀，气压调节阀控制气缸的上下速度，本发明所达到的有益效果是：本发明设计科学合理，操作简单方便，可以有效提高修补成功率，最大限度地降低因产品转换装置引起的产品缺陷。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[实用新型]一种走线补充掩膜板及模组结构有效

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