[发明专利]一种基于石墨烯电极的二维半导体器件阵列构建工艺在审
| 申请号： | 202211629187.2 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116206982A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 曹倪;邓云锋;李萍剑;李雪松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/44;H01L29/786;H01L29/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 发明名称：一种基于石墨烯电极的二维半导体器件阵列构建工艺摘要：本发明公开了一种基于石墨烯(Graphene)电极的二维半导体器件阵列构建工艺，属于微电子工艺和器件应用领域。本发明中，以二维半导体/Graphene垂直异质结的结构作为Graphene电极，异质结中的二维半导体层覆盖在Graphene电极上方，这种设计使得Graphene在图形化刻蚀二维半导体材料时免于反应，因此能够和常规微电子光刻工艺兼容，可以实现器件尺寸、位置和数量的可控，适用于不同电路的需求和进行规划化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 电极 二维 半导体器件 阵列 构建 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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