[发明专利]碲化镉的提纯方法在审
| 申请号： | 202211523313.6 | 申请日： | 2022-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN115928208A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;李康;苏湛 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/08 | 分类号： | C30B28/08;C30B29/48 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 唐静 |
| 地址： | 239064 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于材料制备技术领域，具体公开了碲化镉的提纯方法。所述提纯方法在水平区域熔炼炉中进行；其特征在于，在所述水平区域熔炼炉中放置石英管，在所述石英管中放置水平舟；所述水平舟的前端放置碲块，中端和尾端放置碲化镉多晶材料；区域熔炼时，水平区域熔炼炉中的加热线圈以一定的速度从水平舟的前端向水平舟的尾端移动；区域熔炼结束后，冷却，得到提纯后的碲化镉。本发明在较低的加热温度下、利用现有的成熟设备实现了碲化镉的提纯。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉 提纯 方法 | ||
【主权项】：
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- 本实用新型公开了一种水平区熔多晶硅铸锭炉，包括炉体外壳、坩埚、坩埚支撑和加热器，所述坩埚设置在坩埚支撑内，所述炉体外壳内设置有固定保温层，所述坩埚和坩埚支撑位于固定保温层内，所述坩埚为长度大于宽度的长条形坩埚，相应的所述坩埚支撑也为长条形，所述加热器为设置在坩埚和坩埚支撑的外侧可沿坩埚长度方向水平移动的移动加热器，且所述移动加热器的加热面长度小于坩埚的长度，所述移动加热器外侧设置有一层与其一起水平移动的移动保温层。所述水平区熔多晶硅铸锭炉，实现了硅原料水平区域熔化，晶粒尺寸容易长大，易获得准单晶，在一定条件下还可产生N型准单晶硅，且部加热，使得能耗降低，大大降低了成本。
- 局部加热凝固多晶硅除杂装置及除杂方法-201410339759.2
- 李鹏廷;温书涛;姜大川;林海洋;谭毅;石爽 - 大连理工大学
- 2014-07-17 - 2014-11-05 - C30B28/08
- 局部加热凝固多晶硅除杂装置，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，所述的炉体上方竖直按装有滑道，与滑道相配有齿条，齿条连接有支架，炉体上方设有电机，电机的输出轴安装有齿轮，齿轮与所述的齿条相啮合，支架上通过固定环连接有竖直设置的运动轴，运动轴的下端连接有与系统控制装置相接的加热碳筒。除杂方法如下：向炉体内的坩锅中加入多晶硅料，关闭并抽真空；开始运行程序；温度达到1420-1480℃后保温；长晶阶段；利用加热碳筒局部加热并随液面上升，直至硅料完全长晶；出炉。提高了出成率，降低了成本。
- 电磁扰动多晶硅除杂装置及其方法-201410339743.1
- 姜大川;李鹏廷;林海洋;谭毅;王鹏 - 大连理工大学
- 2014-07-17 - 2014-11-05 - C30B28/08
- 电磁扰动多晶硅除杂装置及其方法，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，在炉体内位于坩锅的外侧设有与系统控制装置相接的感应线圈。步骤如下：向坩锅内装入多晶硅料，关闭炉体的腔室，抽高真空，真空度小于0.1Pa；加温；硅料完全处于液态，进入长晶阶段；每一个小时测量一次固液界面高度，并控制固液界面的生长速度；当固液界面位置到达距硅液顶部3-8厘米的位置时，感应线圈通交变电流，产生磁感应力，使熔硅向中间聚集并形成凸起，通过调节交变电流弱化顶部高杂志区熔硅凝固的结合力，并最终形成凸性突起；冷却后出炉；去除凸性突起。提高了出成率，降低了成本。
- 高效半熔多晶铸锭的制作工艺-201410400824.8
- 杜正兴;李靖;张安国 - 无锡尚品太阳能电力科技有限公司
- 2014-08-14 - 2014-10-29 - C30B28/08
- 本发明涉及一种高效半熔多晶铸锭的制作工艺，特征是，包括以下步骤：（1）原料：原生多晶硅60～70%、多晶辅料30～40%；（2）将原料装入到坩埚内，将坩埚送入铸锭炉中，放置于DS块上；坩埚位于DS块上，坩埚上罩设加热器，加热器外部为上隔热笼，DS块下部为下保温层；（3）进行5步加热过程；（4）进行13步熔化过程；（5）进行9步长晶过程；（6）退火、冷却后，铸锭炉腔内温度低于400℃时，向炉内充氩气达到980mbar时即可打开铸锭炉，得到多晶铸锭。本发明能够提高整锭转换效率，且成本低。
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