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[发明专利]一种大颗粒SiC料合成装置以及工艺-CN202310658082.8有效
发明人：曹建伟;盛永江;欧阳鹏根;李荣臻;胡建荣;汪传勇;黄俊 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B01J6/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大颗粒SiC料合成装置及工艺，属于SiC制备技术领域，包括坩埚和载体组件。所述坩埚具有盛放硅粉、碳粉的空腔，所述载体组件包括由石墨材料形成的固定部和载体部，所述固定部与所述坩埚的开口相适配，且所述固定部沿所述空腔的方向开设有孔槽，所述载体部悬挂至所述孔槽，并向所述空腔内的硅粉、碳粉进行延伸。该装置能够配合本工艺得到3mm的SiC颗粒（一般不低于40%），具体的，在本工艺条件下，部分颗粒尺寸还可达6mm以上，其中，3mm颗粒占比可以达到70％，因此有效的改善SiC粉料的粒径影响生长气氛中的Si/C比以及生长的速度。
一种颗粒 sic 合成装置以及工艺

[发明专利]一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装及方法-CN202310514297.2有效
发明人：盛永江;欧阳鹏根;吴瑶瑶;胡建荣;汪传勇;黄俊;唐永刚 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装及方法，属于碳化硅晶片氢气刻蚀技术领域，包括外壳，以及位于外壳内的刻蚀组件。刻蚀组件包括气体管道和基座，气体管道穿过外壳，并与基座呈相对设置，基座上设有固定座，固定座具有第一状态和第二状态，在第一状态下，固定座的上端面为一微凸界面，以支持翘曲的碳化硅晶片，在第二状态下，固定座逐渐软化，且支持和引导随固定座软化而趋于平坦的碳化硅晶片，其中，固定座与气体管道之间设有预定距离，以配置为对固定座上的晶片进行刻蚀。该工装能够保证晶片在刻蚀过程中平整度，而且使晶片表面气流密度一致，减少产生温度梯度的情况，有效的提高晶片刻蚀的效果。
一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装方法

[发明专利]晶体生长炉断电保护方法及晶体生长炉-CN202211308199.5有效
发明人：曹建伟;朱亮;傅林坚;张俊;叶钢飞;欧阳鹏根 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长炉断电保护方法及晶体生长炉，该晶体生长炉包括与备用电源均电连接的第一升降组件和抽吸泵，以及坩埚和位于坩埚内的晶棒和熔融液；该晶体生长炉断电保护方法包括步骤：启用备用电源；驱动第一升降组件将吸管伸入至坩埚内，并使吸管的吸口位于熔融液的液面下方；启动抽吸泵，通过吸管抽走坩埚内的熔融液，以将晶棒与熔融液分离。本发明的优点在于：在晶体生长炉遇到断电情况后，备用电源为第一升降组件和抽吸泵供电，第一升降组件将抽吸泵的吸管伸入坩埚，从而利用抽吸泵将坩埚内的熔融液抽走，如此便实现了晶棒和熔融液的分离，避免晶棒与熔融液在晶体生长炉断电后凝结在一起，防止晶棒报废。
晶体生长断电保护方法

[发明专利]一种引晶方法-CN202310863980.7在审
发明人：曹建伟;欧阳鹏根;宋建军;石刚 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏鑫晶盛电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种引晶方法，包括：控制籽晶进行引晶以形成晶结；当所述晶结的底锥开始生长后，控制所述底锥在熔融液面处移动，以使所述底锥在所述熔融液面处的横截面半径变化；获取所述底锥在移动前位于所述熔融液面处的横截面半径、所述底锥在移动后位于所述熔融液面处的横截面半径、所述晶结的移动距离以及所述晶结在移动前后的称重值变化量中的三个数据；基于获得的三个数据，获得所述底锥的顶角值；基于所述底锥的顶角值调节引晶过程中的控制参数。本发明解决了底锥的顶角值在熔融液面下方无法被检测的问题。
一种方法

[发明专利]一种生产蓝宝石单晶的煮料工艺-CN202310684672.8在审
发明人：曹建伟;宋建军;欧阳鹏根;石刚 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏鑫晶盛电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种生产蓝宝石单晶的煮料工艺，属于蓝宝石单晶煮料技术领域，首先向设备中充入惰性气体，加热器工作，加热器功率升高至P1以融化原料，坩埚轴的水流量V1，在坩埚内原料出现融化塌料后，加热器的功率升高到P2，坩埚轴的水流量升高到V2，在坩埚内原料完全融化后进行排杂处理，加热器功率维持在P3，坩埚轴的水流量维持在V3，在排杂处理之后，降低加热器功率并维持在P4以稳定设备内温度，且坩埚轴的水流量提高至V4，并且一段时间后，坩埚轴的水流量降低至V5，其中，P1≤P2＜P3，且P3＞P4；V1≤V2≤V3＜V4，且V4＞V5，V5≤V2。通过充气和加大水流量操作，以此加强加快排杂作业。
一种生产蓝宝石工艺

[发明专利]一种双向生长碳化硅晶体的装置-CN202310350285.0有效
发明人：曹建伟;欧阳鹏根;李哲;汪传勇;黄俊 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种双向生长碳化硅晶体的装置，属于晶体生长技术领域，该双向生长碳化硅晶体的装置包括下坩埚组件和上坩埚组件。其中，下坩埚组件中下坩埚体具有一向上开口的第一腔室，第一多孔石墨板设置于第一腔室，且第一多孔石墨板和第一腔室的下部配合构成第一容料腔；上坩埚组件中上坩埚体具有一向下开口的第二腔室，第二多孔石墨板设置于第二腔室，且第二多孔石墨板和第二腔室的上部配合构成第二容料腔，上坩埚体设置于下坩埚体上时，第一腔室和第二腔室连通，且第一容料腔和第二容料腔之间能够放置至少一块籽晶件，通过本装置的设置，使得籽晶可在双向进行生长，以获得较厚的晶体。
一种双向生长碳化硅晶体装置

[实用新型]一种SiC晶圆加工检测工装-CN202222854729.8有效
发明人：朱亮;曹建伟;欧阳鹏根;余炀阳;赵阳阳;朱春芬 -专利权人：浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请涉及晶圆加工技术领域，尤其是涉及一种SiC晶圆加工检测工装，载体组件包括：载体本体，载体本体转动连接于座体上，载体本体具有一平面，平面用于连接待检测晶圆；定位组件，定位组件包括：定位块，定位块具有两组，两组定位块分别位于载体本体的两侧，两组定位块滑移连接于座体上，两组定位块之间形成夹持空间，检测组件包括：投光器，投光器固定连接于检测座上，投光器位于夹持空间上方；受光器，受光器固定连接于座体上，受光器位于投光器的正下方。解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。
一种 sic 加工检测工装

[发明专利]一种用于大尺寸蓝宝石晶体生长制备装置-CN202310398638.4在审
发明人：曹建伟;朱亮;叶钢飞;欧阳鹏根;魏怡凡 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于大尺寸蓝宝石晶体生长制备装置，属于蓝宝石晶体生长制备技术领域，制备组件包括炉体以及用于承接晶体的坩埚，炉体的炉底板上具有托盘，托盘上连接有供坩埚升降的驱动件，加热组件包括加热器以及与加热器相连的第一电极，其中，炉底板的下方设有一升降结构，升降结构可驱动第一电极在炉底板上滑动，以推动加热器进行反复升降动作，第一电极与炉底板相交处设有密封座，密封座上设有易融结构，当坩埚泄露时，其熔融液体可将易融结构融穿，形成排液通道。该装置能够使得晶体内应力及开裂问题得到根本改善和解决，同时，当坩埚发生相应的开裂情况下，使其熔融状态的氧化铝液体排出，避免存储在炉体底壁上。
一种用于尺寸蓝宝石晶体生长制备装置

[发明专利]晶体生产设备-CN202211519116.7在审
发明人：曹建伟;朱亮;傅林坚;欧阳鹏根;叶钢飞;魏怡凡 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体生产设备，晶体生产设备包括可拆分的炉盖及炉体，还包括能够升降的提拉装置、限定提拉装置的升降方向的提拉导向单元、可动连接于提拉导向单元的同步移运单元；提拉装置包括提晶单元及提盖单元，提晶单元与提盖单元安装至同步移运单元，分别用以连接籽晶与炉盖；同步移运单元被配置为能够沿提拉导向单元升降，用以同步带动提晶单元与提盖单元相对炉体升降。
晶体生产设备

[发明专利]晶体生长炉的异常监测方法-CN202211545562.5有效
发明人：朱亮;傅林坚;张俊;叶钢飞;欧阳鹏根;曹建伟;阮文星 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长炉的异常监测方法，应用于晶体生长炉，晶体生长炉包括生长炉本体、坩埚及位于坩埚内的粉料，生长炉本体包括加热器，晶体生长炉的异常监测方法包括：测量坩埚的初始温度T1，并将坩埚放入生长炉本体内；晶体生长炉预热坩埚；停止晶体生长炉预热坩埚，测量坩埚的预热温度T2；判断温差X是否在正常温差波动范围X1至X2内，其中，X=T2‑T1；当X1≤X≤X2时，判定晶体生长炉正常；当XX1或XX2时，判定晶体生长炉异常。这样，就能够在长晶前监测到晶体生长炉是否存在异常，而不需要等长晶结束后通过晶体的质量再来判断晶体生长炉是否异常，避免影响晶体的生长质量，降低生产成本。
晶体生长异常监测方法

[实用新型]用于生长碳化硅晶体的组件以及碳化硅晶体生长的热系统-CN202223449652.2有效
发明人：曹建伟;盛永江;欧阳鹏根;汪传勇;黄俊;唐永刚 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于生长碳化硅晶体的组件以及碳化硅晶体生长的热系统，包括包括依次层叠设置的石墨籽晶托层、有机膜层和籽晶层，所述石墨籽晶托层与所述有机膜层的接触面为第一粗糙面，所述籽晶层与所述有机膜层的接触面为第二粗糙面，所述有机膜层嵌入到所述第一粗糙面以及所述第二粗糙面中。本实用新型的用于生长碳化硅晶体的组件通过设置接触面粗糙的石墨籽晶托层和籽晶层与有机膜层贴合，能使生长出的碳化硅晶体具有优异的质量及产率。
用于生长碳化硅晶体组件以及晶体生长系统

[发明专利]晶体生长炉-CN202211308619.X在审
发明人：朱亮;傅林坚;张俊;叶钢飞;欧阳鹏根;曹建伟;阮文星 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长炉，该晶体生长炉包括机架、提拉杆、操纵机构、炉室和密封机构，操纵机构设置于机架，提拉杆设置于操纵机构，操纵机构包括第一输出轴和第二输出轴，第一输出轴用于驱动提拉杆水平移动，第二输出轴用于驱动提拉杆沿着自身轴线转动；炉室包括具有腔体的炉体和盖合于炉体的炉盖，炉盖上设有避让通道，提拉杆穿过避让通道伸入腔体，且避让通道允许提拉杆水平移动；密封机构套设于提拉杆，用于盖封避让通道。本发明的优点在于：通过在炉盖上设置避让通道，从而允许提拉杆水平运动，实现偏心引晶。在晶体生长的过程中，密封机构将避让通道密封，防止外界空气中的氧气等杂质进入炉室，从而保证晶体的生长质量。
晶体生长

[发明专利]保温结构及晶体生长炉-CN202211459187.2有效
发明人：朱亮;傅林坚;张俊;叶钢飞;欧阳鹏根;曹建伟;阮文星 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种保温结构及晶体生长炉，晶体生长炉包括坩埚及籽晶轴，籽晶轴能够相对于坩埚沿水平预设方向移动。保温结构包括保温桶及第一保温组件，保温桶具有用于容纳坩埚的保温腔，保温桶的顶壁开设有用于穿设籽晶轴的第一开口；第一保温组件可活动地盖合于第一开口，第一保温组件设有用于穿设籽晶轴的第一通孔，第一保温组件能够在籽晶轴水平移动的过程中始终将第一开口密封，以使得保温腔密封。籽晶轴相对于坩埚沿水平预设方向移动时，籽晶轴能够带动第一保温组件与籽晶轴同步活动，在第一保温组件相对于保温桶活动的过程中，第一保温组件能够始终将第一开口密封，减少籽晶轴的移动对保温桶及炉室内的热场的影响。
保温结构晶体生长

[发明专利]晶体生长设备-CN202211442769.X在审
发明人：曹建伟;朱亮;欧阳鹏根;叶钢飞;蒲涛 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体生长设备，包括晶体炉以及提拉单元，提拉单元能够在到达晶体炉外与伸入晶体炉之间切换，晶体生长设备还包括可拆卸连接至晶体炉的密封件；密封件在提拉单元伸入晶体炉时密封连接晶体炉，并与晶体炉密封包围提拉单元，及密封件在提拉单元到达晶体炉外时与晶体炉分离，以允许截断籽晶。
晶体生长设备

[发明专利]晶体截断装置、晶体生长设备及晶体截断方法-CN202211442613.1有效
发明人：曹建伟;朱亮;张俊;傅林坚;石刚;欧阳鹏根;叶钢飞;魏怡凡 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体截断装置、晶体生长设备及晶体截断方法。晶体截断装置包括至少部分设置于晶体生长炉内的连接单元、安装于连接单元的截断单元，截断单元安装于连接单元位于晶体生长炉内的部分；截断单元包括可活动的断晶元件，晶体截断装置还包括连接断晶元件的动力单元，动力单元能够驱动断晶元件活动摩擦晶体，以使晶体接触断晶元件的部位断裂。
晶体截断装置晶体生长设备方法

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