[发明专利]一种高稳定性氧化物TFT结构在审
| 申请号： | 202211082829.1 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115360242A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林云娇 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高稳定性氧化物TFT结构，其基板上设有第一金属层，第一金属层包括栅极和栅极驱动线；第一金属层之上设有第一绝缘层；第一绝缘层之上设有有源层，有源层之上设置第二金属层，第二金属层包括源极、漏极，源极包括相互连接的第一中间导电层和源极金属层，漏极包括相互连接的第二中间导电层和漏极金属层；源极金属层通过第一中间导电层与有源层一端连接，漏极金属层通过第二中间导电层与有源层另一端连接；源极金属层和漏极金属层属于同一金属层，第一中间导电层和第二中间导电层属于同一金属层。本发明通过结构优化以减少源漏极金属离子对沟道区的扩散效果，同时氧化物TFT有源层沟道上下界面间的薄膜应力差异，从而提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 氧化物 tft 结构 | ||
【主权项】：
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