[发明专利]一种以复合绝缘子制备碳化硅的方法在审

专利信息
申请号: 202210831502.3 申请日: 2022-07-15
公开(公告)号: CN115196633A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 马存仁;詹路;范圣平;许振明;李林勇;于大恒;王一凡;邹庄磊 申请(专利权)人: 广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: C01B32/97 分类号: C01B32/97;B09B3/35;B09B3/40;B02C17/04
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 王姣
地址: 510000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种以复合绝缘子制备碳化硅的方法,涉及碳化硅领域。包括以下步骤:(1)将复合绝缘子热降解固相产物、石墨和催化剂进行混合,随后放入球磨设备中,设定球磨时间在12h以上,球磨转速在400r/min以上,进行球磨,得到球磨混合料;(2)将球磨混合料在隔氧气体氛围中进行热反应,热反应温度为1000℃‑1200℃,保温时间为30min‑90min,待反应结束后得到碳化硅粉末。本申请将碳化硅合成反应温度降低到了1200℃以下,采取退役复合绝缘子热解产物作为原料,降低了反应温度和原料要求,经济效益显著提高,可推广应用到其他环氧树脂基复合材料的资源化高值化回收。
搜索关键词: 一种 复合 绝缘子 制备 碳化硅 方法
【主权项】:
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  • 本发明提供了一种利用硅片废料制备SiC纤维的方法,首先通过醇洗和水洗去除硅片废料中的有机物,再与市售石英粉混合,在高温反应器中生成气相SiO,与通入的CH4反应生成SiC纤维;随后在高温、H2气氛中焙烧去除纤维中的富余游离碳;冷却后收集到低碳含量的高质量SiC纤维。本发明所使用的原料为光伏产业中金刚线切割硅片废料,来源广泛,价格便宜,且不含有毒有害物质;在解决金刚线切割硅片废料回收利用问题的同时提供了一种高质量SiC纤维的制备方法,将固体废弃资源回收利用朝着绿色、高效、高收益的方向发展。
  • 一种SiC纳米粉体的制备方法-202210861950.8
  • 董顺;王轶源;张幸红;韩杰才;杜善义 - 哈尔滨工业大学
  • 2022-07-20 - 2022-11-01 - C01B32/97
  • 一种SiC纳米粉体的制备方法,本发明属于纳米材料合成技术领域,具体涉及一种SiC纳米粉体的制备方法。本发明是为了解决目前制备SiC纳米粉体过程较为复杂、成本高、产物粉体分散性差以及污染严重等问题。本发明的主要制备过程包括:一、制备SiO2@糖碳壳层纳米复合粉体;二、制备SiC纳米粉体初产物;三、产物除杂。本发明具有制备工艺简单、成本低、产物粉体分散性好、对环境污染小等优点,并且可以制得粒径均匀、形貌近球形的β‑SiC纳米粉体。本发明用于大规模生产SiC纳米粉体。
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