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[发明专利]一种酚醛树脂骨架碳层包覆纳米硅复合材料及其制备方法和应用-CN202311176213.5在审
发明人：刘剑洪;熊威;黎烈武;张黔玲;付龙强 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种酚醛树脂骨架碳层包覆纳米硅复合材料及其制备方法和应用，属于锂离子电池材料技术领域。本发明以纳米硅、间苯二酚和甲醛为原料，通过间苯二酚和甲醛在纳米硅表面液相原位聚合生成酚醛树脂完整包覆纳米硅颗粒的前驱体材料，再通过烧结裂解碳化酚醛树脂，酚醛树脂在纳米硅颗粒表面形成致密的碳包覆层，得到表面为树脂碳骨架均匀包覆的核‑壳结构复合材料。酚醛树脂原位包覆在纳米硅颗粒表面，阻止了硅颗粒的团聚，极大地增大了材料的比表面积，使硅表面更多的脱嵌锂活性位点暴露出来，改善纳米硅颗粒表面的缺陷，显著提升硅负极材料的电子电导率，从而提高复合材料在充放电过程中的电化学性能。
一种酚醛树脂骨架碳层包覆纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种碳包覆的硅氧化物的制备方法-CN202310977882.6在审
发明人：刘剑洪;黄少銮;黎烈武;张黔玲 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种碳包覆的硅氧化物的制备方法。本发明提供的碳包覆的硅氧化物的制备方法，包括以下步骤：将硅氧化物的乙醇溶液、液态聚丙烯腈和柠檬酸混合，得到混合物；将所述混合物进行烧结，得到所述碳包覆的硅氧化物。本发明所述制备方法流程简单，原料便宜，制备过程绿色，制备得到的碳包覆的硅氧化物具有较高的首次库伦效率和较好的循环稳定性。
一种碳包覆氧化物制备方法

[发明专利]MXene基修饰层改性的无枝晶锂金属负极及其制备方法与锂金属电池-CN202111608657.2有效
发明人：刘剑洪;黄涛;熊伟;张黔玲;黄少銮;熊威;陈文沛;陈超 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本发明公开MXene基修饰层改性的无枝晶锂金属负极及其制备方法与锂金属电池。所述方法包括步骤：提供单体溶液，其中单体为环醚；将MXene分散在所述单体溶液中，得到悬浮液；将引发剂加入所述悬浮液；将包含引发剂的悬浮液包覆在锂金属负极表面，进行原位聚合反应，得到MXene/聚合物修饰层改性的锂金属负极。本发明使用环醚作为聚合物单体，MXene作为内嵌修饰物，在引发剂的作用下，环醚发生开环和分子间的缩合反应，最终在锂金属负极表面原位形成了一层MXene/聚合物修饰层，克服了锂金属负极的枝晶生长难以控制的局限性，并优化了锂金属电池的界面接触。
mxene 修饰改性无枝晶锂金属负极及其制备方法电池

[发明专利]一种硅氧复合材料的制备方法-CN202310977909.1在审
发明人：刘剑洪;黄少銮;张黔玲;黎烈武;熊威 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种硅氧复合材料的制备方法。本发明提供了一种硅氧复合材料的制备方法，包括以下步骤：将纳米硅粉和纳米二氧化硅混合，进行湿法球磨，得到所述硅氧复合材料。所述制备方法工艺简单，同时制备得到的硅氧复合材料具有较好的电化学性能(循环性能和初始库伦效率)。
一种复合材料制备方法

[发明专利]一种类石墨烯包覆硅-碳纳米管复合材料及其制备方法和应用-CN202311013382.7在审
发明人：刘剑洪;黎烈武;余文伟;张黔玲 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种类石墨烯包覆硅‑碳纳米管复合材料及其制备方法和应用，属于锂电池技术领域。本发明采用液态聚丙烯腈低聚物(LPAN)原位包覆纳米硅(Si‑NPs)与碳纳米管(CNTs)，并烧结热解LPAN形成类石墨烯碳，得到表面以类石墨烯均匀包覆的硅‑碳复合材料。本发明所制备的Si/CNTs@C复合材料表现出极高的首次充放电比容量为1709.5/2227.1mAh/g，首次库伦效率为76.76%，具有优异的循环稳定性和倍率性能。在2A/g的大电流下循环700圈后仍表现出高达642.7mAh/g放电比容量，比容量保留率为62.4%。
种类石墨烯包覆硅纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种改性锂离子电池隔膜及其制备方法和应用-CN202310833908.X在审
发明人：刘剑洪;张黔玲;黎烈武;余文伟;熊威 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01M50/449 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种改性锂离子电池隔膜及其制备方法。本发明提供了一种改性锂离子电池隔膜，包括依次层叠设置的锂离子电池隔膜和设置在所述锂离子电池隔膜表面的具有三维网络多孔结构的改性层；所述改性层的材料包括氮掺杂石墨烯和粘结剂。所述改性锂离子电池隔膜可以提高锂离子电池的倍率性能和循环性能。
一种改性锂离子电池隔膜及其制备方法应用

[发明专利]一种单层边缘氧化石墨烯及其制备方法-CN202310806922.0在审
发明人：刘剑洪;张黔玲;朴吉寿;张胜楠;周婷 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明提供了一种单层边缘氧化石墨烯及其制备方法，属于石墨烯材料技术领域。本发明以单层石墨烯作为原材料，通过施加超低频交流电、较低电流密度电解制备单层边缘氧化石墨烯，通过调节施加交流电的电流强度及频率来调控电解液生成的氧自由基的量，少量的氧自由基会从单层石墨烯边缘结合能较为活泼的部位进行反应，较低的电流强度和较短的电流时间导致生成的氧自由基不足以侵入到单层石墨烯的平面内部，从而构建单层边缘氧化的石墨烯。所制备的单层边缘氧化石墨烯在保留石墨烯优异的物理、化学性质的基础上增加其极性，大幅提高石墨烯在极性溶剂中的分散能力。
一种单层边缘氧化石墨及其制备方法

[发明专利]一种磷酸铁锂正极材料及其制备方法和应用-CN202310754083.2在审
发明人：刘剑洪;张黔玲;黎烈武;冯兴宇;熊威;梁健能 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种磷酸铁锂正极材料及其制备方法和应用。本发明所述制备方法包括：将磷酸铁、锂源和碳源混合后，进行烧结，得到所述磷酸铁锂正极材料；所述碳源包括液态聚丙烯腈；所述烧结的温度为750~810℃，且不为750℃。本发明引入液态聚丙烯腈作为碳源，可以实现在较低的烧结温度下产生磷化铁，进而制备得到含有磷化铁的磷酸铁锂正极材料；由于磷化铁具有较高的电导率，因此，在一定程度上可以降低碳源的用量，以减少磷酸铁锂材料中无定形碳的含量，从而提高磷酸铁锂材料的压实密度，进而提高其电化学比容量和电池的能量密度。同时，本发明所述制备方法简单，操作方便，性能优异，适合大规模量产。
一种磷酸正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种石墨电极片边角料的再生方法-CN202310759940.8在审
发明人：刘剑洪;黄少銮;黎烈武;杨一钊;张黔玲 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01M10/54 文献下载
摘要：本发明涉及电极材料回收再利用技术领域，尤其涉及一种石墨电极片边角料的再生方法。本发明提供了一种石墨电极片边角料的再生方法，包括以下步骤：将石墨电极片的边角料在热水中进行浸泡，得到复合物；所述热水的温度高于室温；将所述复合物进行焙烧，得到含导电剂的再生石墨。所述再生方法简单，得到的含导电剂的再生石墨再利用后具有优异的电化学性能。
一种石墨电极边角料再生方法

[发明专利]一种氮掺杂多孔碳包覆的二硒化钴复合材料的制备方法及其应用-CN202111296733.0有效
发明人：刘剑洪;扶勇欢;黎烈武;张黔玲;叶盛华;黄少銮;熊威;陈文沛;陈超 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮掺杂多孔碳包覆的二硒化钴复合材料的制备方法及其应用，所述制备方法包括步骤：将钴盐和硒粉分别溶解在溶剂中，进行第一次搅拌，分别得到钴盐溶液和硒粉溶液；将硒粉溶液倒入钴盐溶液中，再加入液态丙烯腈低聚物，进行第二次搅拌，搅拌后加入水合肼溶液，得到混合液；将所述混合液转移至水热反应釜中，进行水热反应，然后冷却、离心、干燥，得到沉淀物；将所述沉淀物进行煅烧处理，然后冷却，研磨过筛得到氮掺杂多孔碳包覆的二硒化钴复合材料。将制得的氮掺杂多孔碳包覆的二硒化钴复合材料制成锂离子电池负极，在0.2A/g的电流密度下经过300次充放电循环后仍具有644mAh/g的放电比容量。
一种掺杂多孔碳包覆二硒化钴复合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种Cu2-CN202310484472.8在审
发明人：刘剑洪;张黔玲;黎烈武 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B01J23/825 文献下载
摘要：本发明提供了一种Cu2O/In2O3双金属氧化物及其制备方法和应用，属于电化学二氧化碳还原技术领域。本发明利用溶剂热反应，由于原材料是原子级别的均匀混合，因此制备得到的Cu2O和In2O3能够达到纳米级的复合，Cu2O与In2O3复合后能够改变Cu2O的电子结构、同时增大了比表面积从而提高催化活性；复合后降低了Cu2O对CO的吸附力，生成的CO能够及时离开催化活性位点，提高CO产物选择性；此外，In2O3电子电导率更高，使得电子能够及时的传递给反应物，避免了Cu2O被还原成铜单质，提高了催化剂的稳定性。
一种 cu base sub

[发明专利]一种In单原子催化剂及其制备方法和应用-CN202310055379.5在审
发明人：刘剑洪;张黔玲;黄少銮;熊威;黎烈武 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C25B11/089 文献下载
摘要：本发明提供了一种In单原子催化剂及其制备方法和应用，涉及电催化二氧化碳还原技术领域。金属In有很高的甲酸选择性能，以掺杂的碳为基底能提高CO2RR反应中电子转移的速率，且本发明的碳基底为多孔二维片状结构，具有更大的比表面积，有利于更多In活性位点暴露在外，进而提高催化剂的催化活性；此外，掺杂的N元素(或N和S元素)会促进In单原子的分散，并且牢牢锚定In单原子，形成均匀的高度配位催化活性中心，提高催化剂的活性和稳定性。
一种 in 原子催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种片层状纳米羟基氧化钴及其制备方法、应用-CN202010896973.3有效
发明人：刘剑洪;黎烈武;扶勇欢;张黔玲;叶盛华 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种片层状纳米羟基氧化钴及其制备方法、应用，在油浴条件下，通过共沉淀法使六亚甲基四胺与六水合氯化钴发生反应生成氢氧化钴沉淀，将沉淀物洗涤、烘干；然后在氢氧化钠溶液中，利用过硫酸铵将氢氧化钴氧化，将沉淀物洗涤、烘干；研磨过筛即得。将制得的纳米羟基氧化钴制成锂离子电池负极，其首次库伦效率高达88％，先在不同的电流下充放电循环60次，然后在0.5C(1C＝890mA/g)的电流密度下再经过300次充放电循环后仍具有942mAh/g的放电比容量，该羟基氧化钴在锂离子电池负极材料方面具有较好的应用前景。
一种层状纳米羟基氧化钴及其制备方法应用

[发明专利]一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法-CN201910550217.2有效
发明人：刘剑洪;陈超;陈文沛;林文忠;杨明;刘彬;杨鹏刚;扶勇欢;孙学良;欧阳小平;吴奇 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01B32/97 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法，其中，所述高纯碳化硅的制备方法包括步骤：将天然硅石粉碎后进行第一次酸洗，得到硅石粉；将石墨烯粉碎后与硅石粉混匀，然后在保护气体气氛或提纯气体气氛下进行第一次烧结，然后将第一次烧结产物进行第二次酸洗，再在氧化气体气氛下进行第二次烧结，得到中间产物A；将中间产物A与硅石粉混匀，然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第三次烧结，然后将第三次烧结产物进行第三次酸性，得到中间产物B；将中间产物B与粉碎后的石墨烯混匀，然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第四次烧结，即得到高纯碳化硅。本发明解决了现有技术中高纯碳化硅制备工艺复杂、成本过高的问题。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[发明专利]一种二氧化硅及其制备方法-CN201910198429.9有效
发明人：刘剑洪;陈超;陈文沛;杨鹏钢;欧阳晓平;孙学良;吴奇 -专利权人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种二氧化硅及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：将天然石英砂粉末和石墨烯粉末混合并在惰性气氛或提纯气氛下进行第一次烧结，得到第一烧结产物；对所述第一烧结产物进行第一次酸洗和第一次氧化处理，得到中间产物；将所述中间产物与天然石英砂粉末混合并在惰性气氛或提纯气氛下进行第二次烧结，得到第二烧结产物；对所述第二烧结产物进行第二次酸洗后再在氧化气氛或还原性气氛下进行第三次烧结，制得二氧化硅。本发明提供的二氧化硅制备方法工艺简单，对原材料的品质要求较低，成本较低；且通过本发明制备的二氧化硅具有纯度极高（99.9999%），且密度均匀等特点。
一种二氧化硅及其制备方法

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