[发明专利]半导体模块及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210597954.X 申请日: 2022-05-30
公开(公告)号: CN115602641A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 佐藤忠彦;梨子田典弘 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体模块及其制造方法。半导体模块具备:第1半导体芯片和第2半导体芯片,其分别包含第1主电极和第2主电极;第1连接端子和第2连接端子,其分别与第1主电极和第2电极电连接;以及绝缘性的绝缘片。第1连接端子具有:第1导体部,其包含第1周缘;以及第1端子部,其在俯视时自第1周缘伸出,第2连接端子具有第2导体部,该第2导体部包含第2周缘。第1导体部的一部分与第2导体部的一部分在俯视时重叠。绝缘片具有:绝缘部,其层叠于第1导体部与第2导体部之间;以及第1突出部,其在俯视时位于第1端子部的前端部与第2周缘之间,并相对于第1端子部的表面构成角度。
搜索关键词: 半导体 模块 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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