[发明专利]半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备在审
申请号: | 202210410373.0 | 申请日: | 2022-04-19 |
公开(公告)号: | CN116949425A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 陶珩;庞云玲;丛海;姜勇;尹志尧 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 包姝晴;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备,解决了半导体处理领域工艺气体均匀性、红外辐射透过率和承压能力的技术问题,主要通过一承压壳体覆盖处理腔的上盖,并形成一密闭空间,使用一调压装置对密闭空间的气压进行调节,进而调整半导体处理腔的上盖上下表面承受的气压,来优化上盖的结构设计,以达到在半导体工艺过程中,为了实现对基片表面更高均匀性、更高质量的处理,可以对上盖进行更大范围的改进,来获得更优化的处理空间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 处理 设备 外延 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的