[发明专利]高压MOS器件的制作方法有效
| 申请号： | 202210376511.8 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114446793B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 卢云芊 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压MOS器件的制作方法。所述制作方法包括：提供包括有源区的半导体基底，半导体基底上形成有栅氧化层和硬掩模层，栅氧化层和硬掩模层依次覆盖有源区的上表面，位于有源区的边缘区域上的栅氧化层的厚度大于位于有源区的中心区域上的栅氧化层的厚度；以硬掩模层为掩膜，执行第一离子注入工艺，倾斜地向有源区的边缘区域注入掺杂物质；以及去除硬掩模层，执行第二离子注入工艺，向有源区注入掺杂物质，在有源区的顶部形成高压注入阱。如此通过第一离子注入工艺来补偿第二离子注入工艺中有源区的边缘区域的注入剂量较少的问题，从而可以提高形成的高压注入阱的掺杂浓度的均匀性，提高高压MOS器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
