[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210375520.5 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936489A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周惠隆;杨清利;张志圣;林建廷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528;H01L21/56;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、第一介电层、第二介电层、密封环结构与保护层。第一介电层位于衬底上。第二介电层位于第一介电层上。密封环结构包括第一互连线结构与第二互连线结构。第一互连线结构位于第一介电层中。第二互连线结构位于第二介电层中且连接至第一互连线结构。保护层位于密封环结构与第二介电层上。保护层具有间隔件部。间隔件部覆盖第二介电层的侧壁与部分第一介电层。在保护层与第一介电层中具有沟槽。间隔件部位于沟槽与密封环结构之间。半导体结构可降低用以形成沟槽的蚀刻工艺的时间与功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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