[发明专利]一种磁性随机存取存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210348973.9 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940214A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种磁性随机存取存储器(MRAM)及其制备方法，MRAM包括：基底；底电极，所述底电极设置在所述基底一侧；磁性隧道结，设置在所述底电极远离所述基底的一侧；硬掩膜层，设置在所述磁性隧道结远离所述基底的一侧；保护层，所述保护层包括多个带有通孔的第一盖帽，所述第一盖帽包裹所述底电极的侧壁、所述磁性隧道结的侧壁和所述硬掩膜层的侧壁，所述第一盖帽的通孔允许所述硬掩膜层顶部露出；磁屏蔽层，所述磁屏蔽层包括多个第二盖帽，所述第二盖帽包裹所述第一盖帽的侧壁和顶部。本申请实施例的MRAM采用位元级别的磁屏蔽保护，保护效果好，体积小、重量轻、运输方便、外围电路的工作不受影响，其制备方法工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机存取存储器 及其 制备 方法 | ||
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- 2023-01-10 - 2023-04-28 - H10N50/80
- 本发明公开一种范德瓦尔斯异质结型存储器件及其制备方法，属于微纳器件磁存储领域。异质结的下层为二维磁性拓扑绝缘体，上层为二维铁磁绝缘体。本发明基于Si/SiO
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