专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于区块链的信息处理方法、装置、存储介质和设备-CN201910888454.X有效
  • 蔡弋戈;秦青;杨晨;王乐庆;李琴 - 腾讯科技(深圳)有限公司
  • 2019-09-19 - 2023-10-27 - G06F16/22
  • 本申请涉及一种基于区块链的信息处理方法、装置、存储介质和设备,所述方法包括:获取待处理信息;将所述待处理信息存入所述第一区块链的目标区块,并获得所述目标区块的目标区块特征值;基于所述目标区块特征值生成第一信息存储请求,向第二区块链的节点发送所述第一信息存储请求;所述第一信息存储请求用于使所述第二区块链的节点将所述目标区块特征值存入所述第二区块链。上述基于区块链的信息处理方法,通过将信息存储至第一区块链的区块中,并将该区块的特征值存入第二区块链的区块;通过第二区块链中存储的区块特征值可验证第一区块链中存储的信息是否被篡改,提高篡改区块链中已存信息的难度,从而提高了信息的公信力。
  • 基于区块信息处理方法装置存储介质设备
  • [实用新型]一种燃气管道防护装置-CN202320412458.2有效
  • 秦青 - 清远新奥燃气有限公司
  • 2023-03-07 - 2023-10-27 - F16L57/00
  • 本实用新型涉及一种燃气管道防护装置,包括管道和用于支撑管道的支撑架,所述管道的外侧设置有防护架,所述防护架的数量为两个,两个所述防护架之间通过连接轴转动连接,所述防护架内部设置有隔离支杆,所述连接轴的两端设置有锁紧螺杆。该燃气管道防护装置,设备可竖直设置,架设于出土处立管外侧,对其进行保护,还可将两个防护架进行弯折,用以适配转角处架设的管道,同时还可适配不同角度的夹角处,在调节完成后,则可通过旋紧锁紧螺杆,从而实现对两个防护架的锁紧,具体为驱动锁紧片将两个防护架的铰接处进行锁紧,从而对两个防护架进行固定。
  • 一种燃气管道防护装置
  • [发明专利]一种近距离煤层开采顶板控制方法-CN202310974044.3在审
  • 田军;秦青;宋方奇 - 山东省三河口矿业有限责任公司
  • 2023-08-04 - 2023-09-29 - E21C41/18
  • 一种近距离煤层开采顶板控制方法,通过对上煤层超前支撑压力分布的计算、上煤层开采底板破坏深度的计算,以及通过创建模型对三上煤层对三下煤层开采影响数值分析,最后确定下煤层回采巷道支护参数可以合理的选择上煤层的内错距离以及下煤层回采巷道位置布置,从而进一步得出下煤层回采巷道支护参数,即顶板锚杆长度、帮锚杆长度、锚杆间排距、锚杆直径、锚索线长度、锚索锚固长度和锚索间排距的计算,本发明对于近距离煤层开采顶板控制、保证矿井安全高效生产具有极其重要的指导意义。
  • 一种近距离煤层开采顶板控制方法
  • [发明专利]相变存储器及其制造方法-CN202180091680.0在审
  • 周雪;秦青;焦慧芳 - 华为技术有限公司
  • 2021-05-18 - 2023-09-12 - H10B63/10
  • 本公开涉及一种相变存储器及其制造方法。相变存储器(PCM)可以包括多个相变存储单元,每一个相变存储单元包括上电极、下电极以及位于上电极和下电极之间的两个相变层。上电极的截面面积小于下电极的截面面积。靠近上电极的相变层的熔融温度低于靠近下电极的相变层的熔融温度,并且靠近上电极的相变层的截面面积小于或等于靠近下电极的相变层的截面面积。这种相变存储器可以加速结晶过程,提高相变速度,加速写入操作。
  • 相变存储器及其制造方法
  • [发明专利]一种存储器及电子设备-CN202180088614.8在审
  • 秦青;周雪;刘熹 - 华为技术有限公司
  • 2021-03-31 - 2023-09-05 - H10N50/80
  • 本申请实施例提供一种存储器及电子设备,涉及存储器技术领域,可以解决稀土过渡金属合金的热稳定性差,钉扎层易失去垂直磁各向异性的问题。该存储器包括阵列分布的多个存储单元,所述存储单元包括晶体管和与所述晶体管电连接的磁隧道结MTJ元件;所述MTJ元件包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的MTJ;所述MTJ包括依次层叠设置的第一固定层、第一隧穿层和自由层;其中,所述第一固定层的材料包括第一稀土过渡金属合金以及掺杂在所述第一稀土过渡金属合金中的第一掺杂元素。
  • 一种存储器电子设备
  • [发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN202180037278.4在审
  • 刘希夏;周雪;王校杰;秦青;焦慧芳 - 华为技术有限公司
  • 2021-12-21 - 2023-08-25 - H10N70/20
  • 本公开涉及一种阻变存储器及其制造方法。阻变存储器包括三明治结构的第一电极层、第二电极层和位于第一电极层和第二电极层之间的阻变介电层。第二电极层中包括多个贯通孔并且在多个贯通孔中填充电极材料,可以形成环状电极或锯齿电极。由于在目标位置设置目标尺寸的电极,因此第二电极规则、均匀、平整并且具有相对较小的导电丝形成面积,从而可以有效控制电流提供位置,最大限度地控制金属阳离子或氧缺陷空位的产生位点。进而降低导电丝的产生随机性以及提升导电丝的形状均一性,从而提升阻变存储器的性能一致性,例如D2D和C2C的一致性。
  • 存储器及其制造方法
  • [发明专利]一种具有TFET的存储器-CN202180086888.3在审
  • 焦慧芳;周雪;秦青;范鲁明;王校杰 - 华为技术有限公司
  • 2021-04-29 - 2023-08-25 - H10B69/00
  • 本申请实施例提供一种包含有隧穿场效应晶体管的存储器和电子设备,涉及半导体技术领域,该存储器可以提高工作效率,以及可以降低操作电压,降低功耗。该存储器包括具有掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区的衬底,衬底上具有存储单元,该存储单元不仅包括存储部分,还包括位于存储部分两侧的选通管和隧穿场效应晶体管TFET,且存储部分和隧穿场效应晶体管TFET共用控制栅。这样的话,该存储器是基于热空穴注入(Hot hole injection,HHI)擦除方式实现擦除,另外,在TFET的调控下,可以降低擦除电压,降低存储器功耗。
  • 一种具有tfet存储器

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