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[发明专利]晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202210398540.4在审
发明人：张珂豪;黄伟川;刘熹;刘旭;陈磊;叶约翰;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于改善因半导体器件尺寸减小，所带来的晶体管的栅结构中各个膜层厚度受限的问题。晶体管包括鳍、栅介质层、栅金属层、源极和漏极。鳍包括源极区、漏极区，以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。栅介质层跨设在沟道区上。栅介质层含有铝原子，且铝原子靠近栅介质层远离沟道区的表面。栅金属层位于栅介质层上。源极位于源极区上，漏极位于漏极区上。上述晶体管应用于半导体器件中，以提高半导体器件的性能。
晶体管及其制备方法半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制备方法、电子设备-CN202210284461.0在审
发明人：雷电;刘熹;王洪娟;许耀文 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于半导体器件在平坦化工艺后表面高低不平的问题，以提高半导体器件的良率。半导体器件的制备方法包括，在衬底上形成多条鳍；形成位于第一区域的多条第一牺牲栅和位于第二区域的多条第二牺牲栅；形成层间介质层。平坦化所述层间介质层，以暴露所述多条第一牺牲栅和所述多条第二牺牲栅远离所述衬底的表面。形成隔离结构，所述隔离结构将所述鳍分割成位于所述多条第一牺牲栅下方的第一鳍和位于所述多条第二牺牲栅下方的第二鳍，所述隔离结构围绕多条所述第一鳍和所述多条第一牺牲栅。上述半导体器件应用于电子器件中，以提高电子器件的良率。
半导体器件及其制备方法电子设备

[发明专利]一种治疗增生性瘢痕的工程化改造外泌体及其制备方法和应用-CN202310793039.2在审
发明人：张翠萍;孟升;马奎;刘熹;付小兵 -专利权人：中国人民解放军总医院
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：本发明属于基因工程和生物治疗药物，涉及一种治疗增生性瘢痕的工程化改造外泌体及其制备方法和应用。本发明所述治疗增生性瘢痕的工程化改造外泌体为过表达miR‑141‑3p的间充质干细胞外泌体。本发明所述外泌体能够显著减少增生性瘢痕的形成。
一种治疗增生瘢痕工程改造外泌体及其制备方法应用

[发明专利]一种促进糖尿病创面愈合的自噬小体及其制备方法和应用-CN202310779646.3在审
发明人：张翠萍;崔胜楠;刘熹;马奎;付小兵 -专利权人：中国人民解放军总医院
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：本发明公开了一种促进糖尿病创面愈合的自噬小体及其制备方法和应用，属于生物医药技术领域。本发明提供了所述自噬小体的制备方法，从饥饿处理的血管内皮细胞中提取所述自噬小体，所述自噬小体的产生无需额外的试剂进行诱导，且提取条件简单，不需要超高速离心机，在普通的实验室即可实验，且产量高于外泌体，为患有慢性难愈性创面的患者提供了一种无毒副作用的，易于生成，价格低廉的治疗方法。本发明所述自噬小体能够促进糖尿病创面的愈合，减轻糖尿病创面对患者造成的生理及心理负担。
一种促进糖尿病创面愈合小体及其制备方法应用

[实用新型]一种用于发电机氢气冷却器查漏装置-CN202321189550.3有效
发明人：王玉炯;刘熹;张文明;张晨;宋贵涛;张庆伟 -专利权人：华电国际电力股份有限公司邹县发电厂;华电邹县发电有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01M3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于发电机氢气冷却器查漏装置，包括安装管道，所述安装管道的前端固定连接有连接插管，所述连接插管表面的一侧固定连接有密封环，所述连接插管表面的另一侧开设有连接槽，所述连接槽表面的一侧转动连接有套接环，所述套接环表面的一侧固定连接有密封螺纹套管。本实用新型通过安装管道、连接插管、密封环、连接槽、套接环、密封螺纹套管、贴附环和密封垫的设置，通过连接插管插入到冷却器的连接管的内壁，通过密封环对其密封处理，在密封螺纹套管的内壁螺纹连接到冷却器连接管的表面，贴附环贴附于冷却器的表面，并通过贴附环表面的密封垫密切贴附，从而达到了对检测装置与冷却器连接管道多层密封连接处理的效果。
一种用于发电机氢气冷却器装置

[实用新型]一种发电机氢气冷却器冷却水管查漏专用工具-CN202321189553.7有效
发明人：王玉炯;刘熹;张文明;张晨;宋贵涛;张庆伟 -专利权人：华电国际电力股份有限公司邹县发电厂;华电邹县发电有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01M3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发电机氢气冷却器冷却水管查漏专用工具，包括氢气冷却器，氢气冷却器的正前方设置有挤压板，挤压板的正前方设置有水压机，氢气冷却器的表面连接有弧形支撑块，固定套管的内部开设有插孔，延伸腔的内部贯穿有拉动杆，拉动杆的表面套接有第一压缩弹簧，拉动杆的表面固定连接有挤压块。本实用新型通过弧形支撑块、固定套管、拉动杆、挤压块、堵头、冷却水管、水压机和输水管的搭配使用，仅需工作人员将拉动杆拉动以及对固定杆的底端拉动即可使得挤压板将堵头固定在冷却水管的内部，保持其内部的密封性，同时能够对相应的冷却水管检测是否发生渗漏，以及在后续更换另一个冷却水管检测时能够快速取消挤压板对堵头的挤压。
一种发电机氢气冷却器冷却水管专用工具

[发明专利]一种存储器及电子设备-CN202180088614.8在审
发明人：秦青;周雪;刘熹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以解决稀土过渡金属合金的热稳定性差，钉扎层易失去垂直磁各向异性的问题。该存储器包括阵列分布的多个存储单元，所述存储单元包括晶体管和与所述晶体管电连接的磁隧道结MTJ元件；所述MTJ元件包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的MTJ；所述MTJ包括依次层叠设置的第一固定层、第一隧穿层和自由层；其中，所述第一固定层的材料包括第一稀土过渡金属合金以及掺杂在所述第一稀土过渡金属合金中的第一掺杂元素。
一种存储器电子设备

[发明专利]磁隧道结、磁随机存储器及其制作方法、存储设备-CN202180088015.6在审
发明人：周雪;秦青;刘熹;张立平 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁隧道结、磁随机存储器及其制作方法、存储设备，能够避免在制作MTJ时出现侧壁反溅导致的短路问题；该磁隧道结包括第一磁膜、隧穿层、第二磁膜；该第一磁膜包括钝化部与非钝化部，其中，钝化部形成于非钝化部的外围，非钝化部被钝化部包围(也即非钝化部位于钝化部所围成的区域中)；隧穿层设置于非钝化部的表面。
隧道随机存储器及其制作方法存储设备

[发明专利]集成电路及其制备方法、电子设备-CN202180044488.6在审
发明人：艾瑞克·吴;许耀文;雷电;王洪娟;刘熹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种集成电路及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决由于介电膜表面高度不一致影响器件性能的问题。集成电路包括衬底、设置在衬底上的多个虚设栅、电路模块和覆盖在衬底上的介电层。其中，虚设栅位于电路模块的外围。电路模块包括至少一个晶体管，且晶体管的栅极用于接收控制信号。介电层包裹虚设栅和栅极，介电层和虚设栅的材料不同。
集成电路及其制备方法电子设备

[发明专利]用于推荐内容的方法及系统-CN201811621052.5有效
发明人：杨闯亮;程晓澄;刘熹;周开拓 -专利权人：第四范式（北京）技术有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：提供一种用于推荐内容的方法及系统，所述方法包括：针对候选内容，生成与所述候选内容对应的预测样本；根据所述预测样本来预测所述候选内容在推荐给其所面向的用户之后被点击的概率，以作为所述候选内容的预估点击率；获取用于衡量所述候选内容值得被推荐的程度的优化指标信息；以及基于所述预估点击率连同所述优化指标信息来确定将所述候选内容推荐给所述用户的推荐指数。采用上述根据本发明示例性实施例的用于推荐内容的方法及系统，能够更为精准的为用户进行推荐，还可有助于提高内容提供方的收益。
用于推荐内容方法系统

[发明专利]铁电存储器及其制备方法、电子设备-CN202180030983.1在审
发明人：黄伟川;刘熹;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种铁电存储器，该铁电存储器包括衬底和位于衬底上的至少一个铁电隧道结组，每个铁电隧道结组包括叠设的N个铁电隧道结单元和N+1层导电金属层，N个铁电隧道结单元和N+1层导电金属层交替设置，每个铁电隧道结单元均包括依次叠设的第一导电氧化物层、铁电层和第二导电氧化物层，其中，N为大于或等于1的整数。本申请还提供了该铁电存储器的制备方法及电子设备。本申请的铁电存储器通过导电金属层与导电氧化物层的复合，有助于提高开关比，同时铁电隧道结组具有优良的铁电/电极界面，有利于提升存储器的铁电性能、降低存储器发生铁电疲劳的风险，以提高写入的循环次数和可靠性。
存储器及其制备方法电子设备

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202180044006.7在审
发明人：张珂豪;刘熹;叶约翰;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够降低等效氧化物厚度(EOT)。该半导体器件包括采用高介电常数金属栅结构(HKMG)的晶体管。其中，高介电常数金属栅结构包括介电层，高介电常数氧化物层，复合层。高介电常数氧化物层覆盖在介电层上。复合层覆盖在高介电常数氧化物层上，复合层中包括依次层叠设置的第一金属氧化物层、第一金属层、第二金属氧化物层。第一金属氧化物层和第二金属氧化物层均包括导电的金属氧化物，且第一金属氧化物层、第一金属层、第二金属氧化物层中包含的金属元素相同。
半导体器件及其制作方法电子设备

[发明专利]半导体芯片、其制备方法及电子设备-CN202180037295.8在审
发明人：张珂豪;刘熹;叶约翰;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片、其制备方法及电子设备。其中，该半导体芯片，包括衬底和位于衬底上的Fin FET；Fin FET包括：鳍部、横跨鳍部且相对设置的两个侧墙以及位于两个侧墙所限定的沟槽中的栅极结构；栅极结构包括依次层叠设置的栅介电层和栅金属层，栅金属层包括TiSiN层。即采用TiSiN材料进行空隙的填充，在填充TiSiN的过程中，由于Si的掺杂可以破坏TiN的晶格结构，从而使形成的TiSiN薄膜成为非晶化薄膜，不会因为晶粒过大使空隙提前封口，因此本申请提供的栅极结构中TiSiN层具有优异的空隙填充能力，能够实现高深宽比的无缝填充。且低硅浓度的TiSiN具有与TiN相仿甚至更低的电阻率，因此可以实现低电阻率的栅极结构。
半导体芯片制备方法电子设备

[实用新型]一种用于箱梁在运梁车运输的减震稳定装置-CN202320371940.6有效
发明人：齐宏;李志文;刘熹 -专利权人：中交路桥建设有限公司;中交路桥南方工程有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B60P7/135 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于箱梁在运梁车运输的减震稳定装置，属于箱梁运输技术领域，包括在运梁车和枕木，枕木布置在运梁车的车板上，箱梁放置在枕木上，在运梁车的车板上布置贴于箱梁底部的多个电子遥控液压起升器，且多个电子遥控液压起升器在箱梁长度方向的两侧布置，还包括与多个电子遥控液压起升器通信连接的控制器。本实用新型提及的减震稳定装置能够保持箱梁在运输过程中的稳定和预防落梁。
一种用于运梁车运输减震稳定装置

[发明专利]一种存储器及电子设备-CN202080105271.7在审
发明人：秦青;周雪;刘熹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以解决MTJ中自由层翻转需要的电流大以及MTJ翻转不对称的问题。该存储器包括设置于存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元，所述存储单元包括晶体管和与所述晶体管连接的磁隧道结MTJ元件；所述MTJ元件包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的MTJ，所述第二电极与所述晶体管的漏电极电连接；所述MTJ包括依次层叠设置的第一钉扎层、第一参考层、第一隧穿层和自由层；其中，所述第一钉扎层为具有磁各向异性的亚铁磁或反铁磁材料，且所述第一钉扎层在所述自由层所在的空间产生的静磁场小于所述自由层的矫顽磁场。
一种存储器电子设备

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