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[发明专利]自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法-CN202310193300.5在审
发明人：王开友;兰修凯;阿贝贝;雷坤 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁随机存储器，包括多个存储单元，每个存储单元包括：轨道霍尔层，适用于在面内电流的作用下产生轨道极化流；磁隧道结，从下而上依次包括：磁自由层，适用于在扩散至磁自由层的面内电流和轨道极化流的作用下产生沿第一自旋方向的自旋极化流和沿与第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋极化流；磁自由层具有垂直各向异性；隧穿绝缘层；磁钉扎层；反铁磁层或人工反铁磁层；其中，沿第一自旋方向的自旋极化流和与第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋极化流产生竞争自旋流效应，诱导磁自由层的磁化方向发生确定性翻转，以向存储单元存储信息。
自旋轨道随机存储器及其操作方法

[发明专利]自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法-CN202310212574.4在审
发明人：王开友;雷坤;阿贝贝;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁随机存储器，包括多个存储单元，每个存储单元包括：轨道霍尔层，适用于在面内电流的作用下产生轨道极化流；合金材料层，包括具有相反极性的自旋轨道转换系数的合金材料，适用于在流经合金材料层的面内电流和轨道极化流的作用下产生沿第一自旋方向的自旋极化流和沿与第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋极化流；磁隧道结，自下而上依次包括：磁自由层，隧穿绝缘层，磁钉扎层，反铁磁层或者人工反铁磁层；保护层；其中，沿第一自旋方向的自旋极化流和与第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋极化流产生竞争自旋流效应，诱导磁自由层的磁矩发生定向翻转，以向存储单元存储信息。
自旋轨道随机存储器及其操作方法