[发明专利]具有辅助偏置电极的UMOSFET及其制作方法在审
| 申请号： | 202210346196.4 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936632A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;邢蓝天;王彦东;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种具有辅助偏置电极的UMOSFET及其制作方法，旨在缓解沟槽拐角处的电场集中，同时降低器件的比导通电阻。本发明包括兼作漏区的N |
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| 搜索关键词： | 具有 辅助 偏置 电极 umosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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