[发明专利]一种用于半导体器件生产中的金属层膜厚的测量方法在审
| 申请号： | 202210306862.1 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114664684A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王超 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3205;H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610299 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体器件生产中的金属层膜厚的测量方法，属于半导体技术领域，所述包括：在晶圆表面的部分区域粘贴胶带，让胶带遮挡住不需要生长金属层的区域；对没有胶带遮挡的晶圆表面进行金属层生长的制程；金属层生长完成后从晶圆表面取下胶带；使用台阶仪进行测量有胶带遮挡的晶圆表面与生长了金属层的晶圆表面的台阶高度差，得到生长的金属层膜厚。本发明通过在生长金属层前用胶带粘贴在晶圆表面，在生长金属层后去除胶带的方式，提高了金属层厚度测量的准确性，具有成本低、操作简单的特点，同时配合台阶仪适用于不同尺寸的晶圆，且不用限制金属层生长机台及方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 生产 中的 金属 层膜厚 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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