[发明专利]一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210013551.6 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114520145A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 侯斌;牛雪锐;王博麟;杨凌;武玫;张濛;王冲;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法，该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底表面生长外延结构；在p‑GaN层远离AlGaN势垒层一侧的表面刻蚀第一凹槽，并沉积SiN层；在SiN层远离p‑GaN层一侧的表面键合第二衬底；翻转样品后，刻蚀掉第一衬底、GaN缓冲层及GaN层，并在AlGaN势垒层的第一预设区域、第二预设区域制作源、漏电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面刻蚀第二凹槽，并制作栅电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面生长SiN保护层，并在SiN保护层上光刻金属互联层开孔区后引出电极。该方法能够改善空穴的迁移率，进而使制得的p沟道GaN器件的性能得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 gan 沟道 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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