[实用新型]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 202121279416.3 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN215731696U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 金熙中;安濬爀;尹宰铉;李明东;李锡奂;韩成熙;许仁景 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
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