[发明专利]一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 202111350094.1 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN116136027A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 杨娜;胡于南;卢文斌 | 申请（专利权）人： | 北京滨松光子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100070 北京市丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法，涉及闪烁晶体生长技术领域。生长装置包括生长炉，生长炉由上炉膛和下炉膛组成，上炉膛和下炉膛之间连通，生长装置还包括生长炉支撑架、可移动的退火设备和升降装置，生长炉固定在生长炉支撑架上；退火设备包括退火炉腔，退火炉腔的腔体大于上炉膛的腔体，且退火设备移动到生长炉下方后，退火炉腔可与下炉膛连通；升降装置上可固定坩埚，并在退火炉腔与下炉膛连通后，带动坩埚在上炉膛、下炉膛和退火炉腔之间移动。本申请的方案解决了高温下移动晶体的难题，可有效减少晶体内部产生热应力开裂的现象，提高了晶体的完整性和冷加工性能，且提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤化物 闪烁 晶体生长 装置 生长 方法 | ||
【主权项】：
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- 本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260‑1250℃，所述晶体生长区的温度区间为1250‑1200℃，所述低温区的温度区间为1200‑780℃；所述晶体生长区的温度随高度的降低逐渐降低。本申请的制备方法具有提高砷化镓生长品质的优点。
- 一种高纯度晶体生长炉-202320744524.6
- 吴玉珍;刘家元;李明辉;姚吉勇 - 徐州宏晶新材料科技有限公司
- 2023-04-07 - 2023-08-11 - C30B11/00
- 本实用新型公开了晶体生长炉技术领域的一种高纯度晶体生长炉，包括：保温壳总成，所述保温壳总成包括保温壳；底盖总成，所述底盖总成包括设置在所述保温壳底部开口处的底盖以及同轴心设置在所述底盖顶部并设置在所述保温壳内腔的坩埚；顶盖总成，所述顶盖总成包括设置在所述保温壳顶部开口处的顶盖以及设置在所述顶盖顶部边缘处并贯穿所述顶盖底部且插接在所述坩埚内腔的抽吸管道，所述保温壳总成还包括设置在所述保温壳内腔侧壁顶部的高频感应加热以及相对称设置在所述保温壳圆周外侧壁底部的安装板，该种高纯度晶体生长炉，通过抽吸管道对坩埚内晶体杂质进行抽取，提高接近的纯度，避免单晶开裂，保障单晶的生长。
- 一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法-202310536092.4
- 徐明霞;郝国凯;孙洵;张立松;刘宝安;任宏凯 - 山东大学
- 2023-05-12 - 2023-08-08 - C30B11/00
- 本发明涉及一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法，包括恒温供液装置、蠕动泵和晶体生长装置，所述晶体生长装置包括外壳，外壳内部设置有恒温水槽，恒温水槽的底部设置有控温装置Ⅱ，外壳的顶部设置有生长槽架，生长槽架上方竖直设置有电机，电机下方驱动连接有竖直的旋转轴，旋转轴底部向下延伸入外壳内，旋转轴的底端设置有晶架，在恒温水槽中设置有生长槽，晶架位于生长槽内，在晶体生长时，通过蠕动泵连续不断加入水或重水，当晶体在圆柱形玻璃管内定向生长时，生长溶液的氘含量是均匀变化的，形成了一定氘浓度梯度，使氘含量沿晶体生长方向变化，可以准确计算晶体生长量，从而控制蠕动泵传输速率，使氘含量变化均匀。
- 一种溴化铊半导体单晶的生长方法及设备-202310339849.0
- 韩永飞;范凯;王明军 - 北京滨松光子技术股份有限公司
- 2018-11-22 - 2023-08-01 - C30B11/00
- 本发明公开了一种溴化铊半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs‑137放射源的能量分辨率为1.87％，Co‑57放射源的能量分辨率为4.62％。
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