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[发明专利]一种Si、Te元素共同掺杂FeSe超导体材料的方法-CN202111505836.3有效
发明人：刘禹彤;赵勇;秦佳佳;周大进 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si、Te元素共同掺杂FeSe超导体材料的方法。将铁粉、硅粉、硒粉和碲粉研磨压片，将所得坯体放在石英管中并封管，将封好的石英管放置在马弗炉中烧结，降温后取出，制备成FSST多晶，然后将FSST多晶研磨成粉末，与适量Fe2O3粉末混合，放入石英管中进行真空封管，将封好的石英管放置在设有自动升降旋转的机电系统的烧结炉中，设置烧结炉上下温区温度，使其形成具有温度梯度的高低温区环境，高温区在下，低温区在上，使FSST逐渐熔化在Fe2O3中，保温程序结束后，保持温度不变，将石英管提升且保持转动，最终获得大块单晶材料。本发明的优点是操作步骤简单，无毒，对环境要求低，材料成功率高，易重复，可以有效的提高Tc和Jc等超导性能。
一种 si te 元素共同掺杂 fese 超导体材料方法

[实用新型]一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构-CN202122554585.X有效
发明人：田野;顾跃;丁雨憧;杲星 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构，包括单晶炉、备料室和加料管，单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区，备料室斜向设于单晶炉炉外并与备料区相对应，备料室呈柱形壳状结构，且开口朝上，在备料室开口端密封安装有密封盖，备料室底部与加料管进料口相连通，加料管出料口斜向穿入单晶炉炉内且出料口位于备料区上方，以与单晶炉炉体形成相连通的密闭空间；在加料管上靠近备料室底部一端安装有进料阀门，以通过进料阀门开闭控制原料进入坩埚内。本实用新型能够对单晶炉实现重复加料和熔料，并保持需要的真空度，不影响产品成型质量。
一种基于水平定向凝固生长晶体加料结构

[实用新型]一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构-CN202021982905.0有效
发明人：张红梅;唐宏波;解永强;王宏杰;徐海涛 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构，解决了如何完成炉内温度场梯度分布的技术问题。在下炉体内腔（18）中，设置有沿上下竖直方向的下保温筒（20），在上保温筒支撑支架（10）上设置有沿上下竖直方向设置的上保温筒（11），在上保温筒（11）的顶端设置有盖板（12），下保温筒（20）与上保温筒（11）的底端对接在一起，下炉体（1）的炉底板、下保温筒（20）、上保温筒（11）和盖板组成一个封闭的炉内温度场空间，在该封闭的炉内温度场空间内设置有金属均温筒（14）、防爆裂石英筒（15），在驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚支架（22）和石英坩埚（16），实现了大直径碲化汞晶体的生长。
一种实现温度场梯度分布高压单晶炉炉体结构

[发明专利]化合物氯代硼锌酸铯和氯代硼锌酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201910944808.8在审
发明人：俞洪伟;周金杰;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：化合物氯代硼锌酸铯和氯代硼锌酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途，化合物氯代硼锌酸铯及氯代硼锌酸铯非线性光学晶体化学式均为CsZn2BO3Cl2，晶体属三方晶系，空间群R3m，晶胞参数为分子量393.36，其粉末倍频效应约为1.5倍KDP(KH2PO4)。化合物氯代硼锌酸铯采用固相反应法合成，氯代硼锌酸铯非线性光学晶体采用高温熔液法或者提拉法生长，该氯代硼锌酸铯非线性光学晶体紫外吸收截止边小于200nm。在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等紫外—深紫外非线性光学器件中得到广泛应用。
化合物氯代硼锌酸铯非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构-CN202010953798.7在审
发明人：张红梅;唐宏波;解永强;徐海涛 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构，解决了如何完成炉内温度场梯度分布的技术问题。在下炉体内腔（18）中，设置有沿上下竖直方向的下保温筒（20），在上保温筒支撑支架（10）上设置有沿上下竖直方向设置的上保温筒（11），在上保温筒（11）的顶端设置有盖板（12），下保温筒（20）与上保温筒（11）的底端对接在一起，下炉体（1）的炉底板、下保温筒（20）、上保温筒（11）和盖板组成一个封闭的炉内温度场空间，在该封闭的炉内温度场空间内设置有金属均温筒（14）、防爆裂石英筒（15），在驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚支架（22）和石英坩埚（16），实现了大直径碲化汞晶体的生长。
一种实现温度场梯度分布高压单晶炉炉体结构

[发明专利]一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺-CN201710019679.2有效
发明人：王强;尤敏;陈云;邓洁;朱海峰;章国安 -专利权人：南通大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段；(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段；(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。
一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺

[发明专利]一种凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法-CN201710019670.1有效
发明人：王强;林凡;朱海峰;陈云;邓洁;章国安 -专利权人：南通大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法，包括以下步骤：在石英坩埚内表面喷涂氮化硅粉末冷却，作为保护层；在石英坩埚底部铺设一层菜籽料；在菜籽料上铺设籽晶板或者籽晶块，作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层；使用小颗粒原生多晶硅料将铺设的籽晶板或者籽晶块之间的缝隙填满；在籽晶层上铺设菜籽料，作为缓冲层；在缓冲层上铺设晶砖，作为阻挡层,阻挡层的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构；在阻挡层上逐层码放硅料，直至达到所需的硅料要求。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免边侧籽晶层熔穿和在中心处的籽晶层未熔化的现象。
一种凹陷单晶硅籽晶熔化控制装料方法

[发明专利]一种片状锰酸铒单晶的制备方法-CN201910391993.2在审
发明人：王学云;高子岩;洪家旺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状锰酸铒单晶的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明方法具有操作简单，设备要求简单，成本低，生长周期短，无需处理即可得到整块自然生长的高质量单晶等优点。经本发明方法生长的锰酸铒单晶，化学组成表达为：ErMnO₃，室温下晶体结构空间群为P6₃cm，形状呈薄片状，表面呈本征状态。本发明方法为ErMnO₃多铁性单晶的实际应用提供一种切实可行地便捷生长方法。
单晶锰酸制备材料制备技术高质量单晶化学组成晶体结构设备要求生长周期应用提供自然生长薄片状空间群生长本征铁性整块

[实用新型]高压原位合成多功能晶体生长系统-CN201420718788.5有效
发明人：孙聂枫;孙同年;王书杰;刘惠生;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压原位合成多功能晶体生长系统，涉及晶体生长装置技术领域。所述晶体生长系统包括压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、速度控制系统、炉内件清洗系统、磁场系统、真空密封系统、真空系统和炉体，所述炉体包括炉底座、炉腔和炉顶盖，所述晶体生长系统还包括籽晶杆升降机构、挥发性元素放置源升降旋转系统、挥发性元素放置源重量感应器、测温系统、坩埚杆旋转升降机构和炉体升降系统、带刻度的坩埚等系统。在所述系统适用于III-V和II-IV族化合物半导体的合成与晶体生长，尤其适用于含有挥发性元素的二元或者多元熔体的合成及成分的精确控制，可适用于多种不同的晶体生长方法，具有使用方便，控制精确度高的特点。
高压原位合成多功能晶体生长系统

[发明专利]高压原位合成多功能晶体生长系统-CN201410689495.3在审
发明人：孙聂枫;孙同年;王书杰;刘惠生;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压原位合成多功能晶体生长系统，涉及晶体生长装置技术领域。所述晶体生长系统包括压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、速度控制系统、炉内件清洗系统、磁场系统、真空密封系统、真空系统和炉体，所述炉体包括炉底座、炉腔和炉顶盖，所述晶体生长系统还包括籽晶杆升降机构、挥发性元素放置源升降旋转系统、挥发性元素放置源重量感应器、测温系统、坩埚杆旋转升降机构和炉体升降系统、带刻度的坩埚等系统。在所述系统适用于III-V和II-IV族化合物半导体的合成与晶体生长，尤其适用于含有挥发性元素的二元或者多元熔体的合成及成分的精确控制，可适用于多种不同的晶体生长方法，具有使用方便，控制精确度高的特点。
高压原位合成多功能晶体生长系统

[发明专利]用于掺杂半导体材料的方法-CN201180039656.9有效
发明人： M.福斯特;E.福尔蒙德;J.斯塔德勒;R.艾恩豪斯;H.劳夫雷 -专利权人：阿波朗.索拉尔公司;希尔特罗尼克斯公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：根据本发明，将半导体材料的进料(4)置于坩埚(1)中。将包含掺杂剂材料(6)的密封牺牲容器(5)置于所述坩埚(1)内。使所述坩埚(1)的内容物熔融，从而导致所述掺杂剂引入到熔融材料的浴中。在低压下进行升温。
用于掺杂半导体材料方法

[发明专利]生长半导体晶体的方法、装置和晶体产品及装置支撑方法-CN200810147519.7无效
发明人： X·G·刘;W·G·刘 -专利权人： AXT公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：一种生长半导体晶体的方法、装置和晶体产品及装置支撑方法。在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长III-V、II-VI族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
生长半导体晶体方法装置产品支撑

[发明专利]结晶制造方法以及装置-CN200580000866.1有效
发明人：笹浦正弘;香田扩树;藤浦和夫;小林隆;今井钦之;栗原隆 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶制造方法以及装置，能维持结晶品质，使结晶组成从成长初期至成长后期形成均一。在加热液化保持于炉内的坩埚(11)内的原料(12)，由坩埚的下方向上方，通过徐冷原料(12)使结晶(13)成长的结晶制造装置中，包括：供给补给原料的原料供给装置(18)；反射板(20)，其设置于坩埚(11)的上方，使从原料供给装置(18)供给的补给原料(19)液化，使之作为液体原料(21)落下到坩埚中。
结晶制造方法以及装置

[发明专利]以坚固支座、碳掺杂和电阻率控制及温度梯度控制来生长半导体晶体的方法和装置-CN02815865.2有效
发明人： X·G·刘;W·G·刘 -专利权人： AXT公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长III－V、II－VI族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
坚固支座掺杂电阻率控制温度梯度生长半导体晶体方法装置

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