“C30B11/00”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1185个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法-CN202310506625.4在审
发明人：刘博宇;马欣金;郑芮;李玖章;单智伟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法，涉及单晶生长技术领域。本发明提供的镁单晶生长装置包括加热炉、置料管、控流滤杂板和坩埚，加热炉包括界定密封炉腔的炉体和加热室的炉管，炉体内沿炉管设温度调控系统，炉体上设气氛调控系统和水冷循环系统；坩埚和置料管置于炉管中，控流滤杂板设在坩埚内壁和置料管内壁交界处。该镁单晶生长装置可以使多晶镁原料在熔化区受热熔化为熔融液体，以熔滴的形式滴落在坩埚中形核、结晶并沿着稳定的液相薄层生长。该镁单晶生长方法通过对关键过程进行针对性控制，解决了现有技术中生长高纯度大尺寸镁单晶面临的周期长、能耗大、成本高等问题，具有极大的推广价值和广阔的应用前景。
一种纯度尺寸镁单晶生长装置方法

[发明专利]离心超重力熔铸与定向凝固系统-CN202010259713.5有效
发明人：韦华;张泽;陈云敏;林伟岸 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离心超重力熔铸与定向凝固系统。转子系统和下驱式主轴复合体安装在实验腔内，实验腔底部缓冲装在装置底座上，离心主机装在实验腔上并下驱式主轴复合体连接，下驱式主轴复合体和转子系统连接，升降系统位于实验腔上方，升降系统和实验腔盖连接；挂杯中装有定向熔铸系统，挂杯中装保温装置，保温装置装有加热装置，加热装置中装坩埚装置，挂杯通过两侧的吊耳铰接地悬挂在超重力离心机的旋转臂端部上。本发明通过搭载高温熔铸炉或定向熔铸炉，实现在离心超重力环境下，利用功率降低法实现超重力定向凝固功能，解决了超重力定向凝固过程中温度梯度难控制的关键难题，操作方便且安全可靠。
离心重力熔铸定向凝固系统

[发明专利]一种螺旋选晶结构及选晶方法-CN202310912881.3在审
发明人：赵金乾 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种螺旋选晶结构及选晶方法，该螺旋选晶结构包括：选晶段，用于与单晶叶片连通；引晶段，引晶段包括竖直段和连接在竖直段上的弯折段，弯折段为长方形薄板结构，以使得热量可沿弯折段的长边方向传递，且弯折段与选晶段连通，竖直段用于筛选第一方向上生长的晶粒，弯折段用于筛选第二方向上生长的晶粒。本发明提供的螺旋选晶结构，利用单晶高温合金定向凝固过程中固液界面热量主要通过已凝固的固相传导出去的特点及面心立方晶体总是沿着001族晶向分枝的原理，通过设置长方形薄板结构的弯折段，对晶粒生长进行二次择优取向，保证了螺旋选晶工艺中二次取向的可控性。
一种螺旋结构方法

[发明专利]一种PBN坩埚维修装置及方法-CN202210445033.1有效
发明人：王金灵;刘火阳;周铁军 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种PBN坩埚维修装置及方法。通过公开的PBN坩埚维修装置，能够根据不同直径的PBN坩埚调节支撑架的支撑直径大小，进而能够对不同直径的PBN坩埚的筒体部位的内壁进行修复，且在修复时，只需要使PBN坩埚套在PBN坩埚维修装置，并使PBN坩埚的筒体部位的内部与多个第一叶片的外侧贴合，然后固定PBN坩埚，使外部动力带动传动件转动，进而使贴于PBN坩埚维修装置的砂纸对PBN坩埚的筒体部位进行修复，本申请相较于现有人工修复方式，由于PBN坩埚维修装置转动时多个第一叶片同时PBN坩埚的筒体部位的内壁接触，因此，能够对整个PBN坩埚的筒体部位的内壁修复，因此，本发明通过PBN坩埚维修装置采用PBN坩埚维修方法的维修效率更高，且能有效提升修复质量。
一种 pbn 坩埚维修装置方法

[实用新型]一种移动加热器法生长晶体的坩埚装置-CN202320261607.X有效
发明人：高绪彬;吴召平;刘柱 -专利权人：苏州哥地光子技术有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动加热器法生长晶体的坩埚装置，属于供水设备技术领域，包括：石英坩埚、真空密封件、电阻炉，所述真空密封件设置在石英坩埚上方，所述电阻炉设置在石英坩埚外壁中间位置，所述石英坩埚内部中间设有一组石英槽，所述石英槽上方设有倒扣在石英槽上的石英杯，所述石英槽内添加有一种低熔点低蒸汽压的颗粒惰性物料。电阻炉局部加热石英槽，使得惰性物料融化成液态，冷却凝固后惰性物料将石英杯和石英坩埚连接在一起，避免了氢气的使用，降低了氢气泄漏爆炸的风险，且无需敲碎石英坩埚取出晶体，可反复使用石英坩埚，降低生产成本。
一种移动加热器生长晶体坩埚装置

[发明专利]一种基于光伏发电的单晶坩埚快速拆卸装置-CN202310844639.7在审
发明人：朱旦;陈治华;黄永辉;王吉祥 -专利权人：常州裕能石英科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光伏发电的单晶坩埚快速拆卸装置，涉及单晶炉设备技术领域，包括拆卸座，拆卸座的顶面上设置有冲击架，冲击架上设置有冲击组件，冲击组件的正下方设置有托架组件，托架组件包括固定设置在拆卸座顶面中心位置处的中间柱，中间柱的外周壁上沿周向均布多个托板座，托板座的顶面上设置有滑槽，滑槽内滑动设置有滑块，滑块的顶面上固定设置有弧形托板，中间柱的顶部固定设置有半球体，半球体的外周壁上沿周向均布多个与托板座一一对应的调节杆，相邻两个托板座之间还设置有辅助架组件，拆卸座的顶面上还设置有多个敲击组件。本发明具有减少作业时间、提高拆卸的效率等优点。
一种基于发电坩埚快速拆卸装置

[发明专利]一种单晶定向精密铸造炉自动保温盖板装置-CN201910541630.2有效
发明人：阮宁瑜;蒙玉湘;沈宝宏;高杰 -专利权人：合智熔炼装备（上海）有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶定向精密铸造炉自动保温盖板装置，在熔炼室的上方固定电动推杆装置；电动推杆装置一端插销活动连接底板，底板固定在熔炼室上方；电动推杆装置的另一端销轴活动连接上摆臂的一端；上摆臂的另一端固定连接在上轴套；在上轴套内长键槽连接上传动轴；上传动轴的一端通过上联轴器连接所述气缸的气缸轴的一端；上传动轴的另一端通过下联轴器连接下传动轴的一端；下传动轴穿过下轴套；下轴套的上、下两端各固定连接支板；支板固定在熔炼室上；下传动轴另一端固定连接保温盖板装置；能快速高效地移动保温盖板，减少坩埚包热量损失，降低能源消耗；且根据不同规格的坩埚包，能改变保温盖板在坩埚包的上方移动开度大小。
一种定向精密铸造自动保温盖板装置

[发明专利]碲化镉晶体生长装置及其生长方法-CN202011448699.X有效
发明人：狄聚青;朱刘;胡智向;苏湛;曾令康 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种碲化镉晶体生长装置及其生长方法。碲化镉晶体生长装置包括坩埚、封泡、炉体和温控装置。坩埚用于盛装碲原料和镉原料且具有第一端和第二端，坩埚的第一端封闭，坩埚的第二端通过封泡密封；炉体设置有炉腔，坩埚位于炉腔内，且炉腔由下至上依次设置有第一温区、第二温区和第三温区，温控装置设置于第一温区、第二温区和第三温区，用于加热第一温区、第二温区和第三温区并控制其温度；封泡设置于第一温区，坩埚的第一端设置于第三温区。本公开的碲化镉晶体生长方法使用碲化镉晶体生长装置进行碲化镉晶体生长，得到的碲化镉晶体具有高完整度、高品质，单晶比例高、红外透过性好。
碲化镉晶体生长装置及其生长方法

[发明专利]一种多工位单晶炉及单晶人体关节制备方法-CN202110264580.5有效
发明人：赵京晨 -专利权人：涿州新卓立航空精密科技有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多工位单晶炉及单晶人工关节制备方法，属于医用植入物技术领域，解决了现有的单晶炉生产效率低的问题。本发明的多工位单晶炉，包括铸造模壳、升降框架和恒温池；所述铸造模壳包括一个或多个，一个或多个所述铸造模壳(1)安装在升降框架上，升降框架能够带动所述铸造模壳上下移动；所述恒温池设在所述升降框架下方，所述铸造模壳能够在所述升降框架的带动下浸入恒温池内的第二合金熔液中。本发明采用低熔点金属作为冷却液，铸造模壳直接浸入低熔点金属熔液冷却，能够保证一定的温度梯度，且热传导效率高，生产效率较高。
一种多工位单晶炉人体关节制备方法

[实用新型]一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置-CN202221798787.7有效
发明人：吕利宁;代晓波;彭春文;彭海松;蒙泽志;粟誉 -专利权人：独山中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制备技术领域，且公开了一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置，包括生长管、底座、放置架、舟型器皿、籽晶，所述底座固定安装在生长管的内壁，所述放置架设置在底座的顶部，所述放置架分为上下两层，所述放置架的外部设置有固定装置。该水平砷化镓单晶双舟生长的装置，通过启动电机使绕绳辊和双螺纹螺杆转动，配合双螺纹螺杆分别与两个活动块正螺纹连接和反螺纹连接，使两个下夹块、上夹块互相靠近将两个舟型器皿的前后两侧夹紧固定，以及拉绳在绕绳辊上收紧，带动拉板向左移动，使两个挡杆向左移动，配合两个挡板将两个舟型器皿的左右两侧挡住，实现了防止两个舟型器皿发生晃动影响制备，提高舟型器皿稳定性的效果。
一种水平砷化镓单晶双舟生长装置

[发明专利]一种坩埚下降法生长的氧化镓晶体-CN202310899807.2在审
发明人：罗毅;龚瑞;朱毅 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚下降法生长的氧化镓晶体，属于氧化镓晶体技术领域，将氧化镓粉末压制、烧结得到生长原料，装入铂铑合金坩埚中升温除水，抽真空后充入氧气维持生长炉内压力为1.5‑1.6MPa，在1810‑1820℃保温2‑3h，使生长炉内压力为1.1‑1.15MPa，在1770‑1780℃下进行晶体生长，得到晶体；将晶体在950‑1050℃的条件下退火1.5‑2h，降温至300‑350℃后自然冷却，得到坩埚下降法生长的氧化镓晶体；氧气流通过程中对铂铑合金坩埚外围的热量进行协调，有助于降低温差引起的应力收缩，便于维持铂铑合金坩埚的力学性能，同时可以避免熔体过冷，从而避免氧化镓晶体出现裂纹。
一种坩埚下降生长氧化晶体

[发明专利]熔融析出机理生长二维材料的制备装置及其使用方法-CN202210980697.8有效
发明人：宫勇吉;王兴国;张鹏;江华宁 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种熔融析出机理生长二维材料的制备装置，所述制备装置包括所述制备装置包括第一基体、第二基体、第一垫片、第二垫片和紧固装置，所述第一基体、所述第一垫片、所述第二垫片和所述第二基体依次层叠设置。本发明进一步提供一种熔融析出机理生长二维材料的制备装置的使用方法。
熔融析出机理生长二维材料制备装置及其使用方法

[发明专利]减少蓝宝石晶体长晶缺陷的方法及蓝宝石长晶炉-CN202111446119.8有效
发明人：翟虎;宋亚滨;秦俊 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司;北京远大信达科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及蓝宝石晶体制造，公开了一种减少蓝宝石晶体长晶缺陷的方法，包括以下方面：1)控制设置在坩埚底部的热交换器与设置在坩埚周边的加热器的相对位置，使得所述加热器的底端高度低于所述热交换器的顶部高度；2)控制坩埚中蓝宝石原料的装填方法，在坩埚的底部装填回收原料，其他部分的周边装填初始原料，中间装填回收原料；3)控制加热过程中坩埚内不同部位的蓝宝石液体的温度，提高坩埚底部与坩埚周边蓝宝石液体的温度梯度。所生产的蓝宝石晶体中出现气泡和空穴缺陷的概率更低。本发明还公开了一种蓝宝石生长炉。
减少蓝宝石晶体缺陷方法长晶炉

[实用新型]一种旋转接头、坩埚升降旋转机构及长晶炉-CN202320387767.9有效
发明人：高为正;顾彬彬;蒋陶鑫;陈佳伟;黄剑雄 -专利权人：无锡松瓷机电有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种旋转接头、坩埚升降旋转机构及长晶炉，其中旋转接头包括固定本体、旋转本体、通孔、冷却通道、冷却入口和冷却出口，其中：固定本体具有容纳旋转本体的安装腔，旋转本体穿过安装腔设置在固定本体内，旋转本体可相对于固定本体旋转；通孔沿第一方向贯穿旋转本体，用于为坩埚底部的温度测量提供测量通道；冷却通道设置在固定本体和旋转本体内部，冷却通道的接入端与冷却入口连通，冷却通道的接出端与冷却出口连通，冷却介质通过冷却入口进入冷却通道，经冷却出口离开冷却通道；冷却入口和冷却出口设置在固定本体上。通过在旋转接头上设置通孔，使得红外光能够穿过该通孔，便于对坩埚底部的温度进行测量。
一种旋转接头坩埚升降机构长晶炉

[发明专利]提高铸造单晶硅少子寿命的方法和应用-CN202310643728.5在审
发明人：陈红荣;汪晨;张华利;胡动力;孙庚昕;周洁 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了提高铸造单晶硅少子寿命的方法和应用，上述方法包括：(1)提供坩埚本体，坩埚本体包括相连接的坩埚底壁和坩埚筒状侧壁，通过粘结材料将高纯杂质阻挡层粘结在坩埚底壁的内侧面和/或坩埚筒状侧壁的至少部分内侧面；(2)将高纯氮化硅层形成在高纯杂质阻挡层的远离坩埚的一侧；(3)将单晶籽晶层形成在高纯氮化硅层的远离高纯杂质阻挡层的一侧，以得到高纯坩埚；(4)对装载在高纯坩埚的硅原料进行铸锭，以得到铸造单晶硅。由此，通过提高坩埚纯度，有利于减少金属杂质扩散进入单晶硅硅锭中，进而有利于提高铸造单晶硅底部的少子寿命，降低铸造单晶硅的底部红区高度。
提高铸造单晶硅少子寿命方法应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 1185 条