专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种立式固定晶体退火炉-CN202320746701.4有效
  • 吴玉珍;刘家元;李明辉;姚吉勇 - 徐州宏晶新材料科技有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-08-11 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了退火炉技术领域的一种立式固定晶体退火炉,包括:退火炉总成,所述退火炉总成包括炉体;顶盖总成,所述顶盖总成包括设置在所述炉体顶部的顶盖;固定总成,所述固定总成包括设置在所述顶盖顶部边缘处的第一伸缩机构以及设置在所述第一伸缩机构的伸缩部件上并设置在所述顶盖下端且设置在所述炉体内腔的压块;支撑机构,所述支撑机构包括支撑组件,该种立式固定晶体退火炉,通过伸缩机构带动压块下压,将材料置于支撑块上,通过压块和支撑块对材料进行固定,使得材料竖直设置在炉体的内腔进行退火处理,由于材料竖直设置,材料的表面能够均匀的受热,保障材料的退火质量。
  • 一种立式固定晶体退火炉
  • [实用新型]一种高纯度晶体生长炉-CN202320744524.6有效
  • 吴玉珍;刘家元;李明辉;姚吉勇 - 徐州宏晶新材料科技有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-08-11 - C30B11/00
  • 本实用新型公开了晶体生长炉技术领域的一种高纯度晶体生长炉,包括:保温壳总成,所述保温壳总成包括保温壳;底盖总成,所述底盖总成包括设置在所述保温壳底部开口处的底盖以及同轴心设置在所述底盖顶部并设置在所述保温壳内腔的坩埚;顶盖总成,所述顶盖总成包括设置在所述保温壳顶部开口处的顶盖以及设置在所述顶盖顶部边缘处并贯穿所述顶盖底部且插接在所述坩埚内腔的抽吸管道,所述保温壳总成还包括设置在所述保温壳内腔侧壁顶部的高频感应加热以及相对称设置在所述保温壳圆周外侧壁底部的安装板,该种高纯度晶体生长炉,通过抽吸管道对坩埚内晶体杂质进行抽取,提高接近的纯度,避免单晶开裂,保障单晶的生长。
  • 一种纯度晶体生长
  • [发明专利]一种晶体生长炉反射加热器-CN202310362088.0在审
  • 吴玉珍;刘家元;李明辉;姚吉勇 - 徐州宏晶新材料科技有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-07-04 - C30B35/00
  • 本发明公开了晶体生长炉技术领域的一种体生长炉反射加热器,包括:保温壳总成,所述保温壳总成包括保温套总成,所述保温套总成包括保温套;底盖总成,所述底盖总成包括底盖组件,所述底盖组件包括设置在所述保温套底部开口处的底板以及呈环形设置在所述底板顶部并设置在所述保温套内腔的红外加热器;顶盖总成,所述顶盖总成包括设置在所述保温套顶部的顶盖,所述顶盖为弧形顶盖,该种晶体生长炉反射加热器,通过红外加热器发出热辐射,热辐射照射到反光镜上,通过反光镜将热辐射聚焦在坩埚的内部对晶体直接加热,由于直接对晶体进行加热而不需要通过坩埚对温度进行传递,提高了热量的传导率,节约了能源。
  • 一种晶体生长反射加热器

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