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[发明专利]一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法-CN202111350094.1在审
发明人：杨娜;胡于南;卢文斌 -专利权人：北京滨松光子技术股份有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法，涉及闪烁晶体生长技术领域。生长装置包括生长炉，生长炉由上炉膛和下炉膛组成，上炉膛和下炉膛之间连通，生长装置还包括生长炉支撑架、可移动的退火设备和升降装置，生长炉固定在生长炉支撑架上；退火设备包括退火炉腔，退火炉腔的腔体大于上炉膛的腔体，且退火设备移动到生长炉下方后，退火炉腔可与下炉膛连通；升降装置上可固定坩埚，并在退火炉腔与下炉膛连通后，带动坩埚在上炉膛、下炉膛和退火炉腔之间移动。本申请的方案解决了高温下移动晶体的难题，可有效减少晶体内部产生热应力开裂的现象，提高了晶体的完整性和冷加工性能，且提高了生产效率。
一种卤化物闪烁晶体生长装置生长方法

[实用新型]一种卤化物闪烁晶体生长装置-CN202122791971.0有效
发明人：杨娜;胡于南;卢文斌 -专利权人：北京滨松光子技术股份有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种卤化物闪烁晶体生长装置，涉及闪烁晶体生长技术领域。生长装置包括生长炉，生长炉由上炉膛和下炉膛组成，上炉膛和下炉膛之间连通，生长装置还包括生长炉支撑架、可移动的退火设备和升降装置，生长炉固定在生长炉支撑架上；退火设备包括退火炉腔，退火炉腔的腔体大于上炉膛的腔体，且退火设备移动到生长炉下方后，退火炉腔可与下炉膛连通；升降装置上可固定坩埚，并在退火炉腔与下炉膛连通后，带动坩埚在上炉膛、下炉膛和退火炉腔之间移动。本申请的方案解决了高温下移动晶体的难题，可有效减少晶体内部产生热应力开裂的现象，提高了晶体的完整性和冷加工性能，且提高了生产效率。
一种卤化物闪烁晶体生长装置