[发明专利]多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器在审
| 申请号： | 202111040979.1 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113764153A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王开友;曹易;张晓敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F41/14;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器，其中，上述多层磁性薄膜器件包括从下至上依次设置的如下结构：衬底、第一磁性层、非磁层、第二磁性层；上述第一磁性层的居里温度高于上述第二磁性层；上述非磁层用于实现上述第一磁性层与上述第二磁性层之间的层间交换磁耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 磁性 薄膜 器件 及其 制备 方法 磁存储器 | ||
【主权项】：
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- 2007-10-30 - 2009-05-06 - H01F10/32
- 本发明涉及一种巨磁致伸缩纳米多层膜及其制备方法和应用，该纳米多层膜是在单晶硅表面上磁控溅射巨磁致伸缩性能的多层膜材料，所述的纳米多层膜包括FeAl、TbFe2和NdFeB材料层，所述的单晶硅具有(100)取向。与现有技术相比，本发明制备的多层膜材料结构简单，具有较小的饱和磁场强度、矫顽力，优良的低场磁致伸缩性能，且性能稳定，可适合大规模工业化生产。
- 一种具有垂直磁各向异性的自旋阀-200810035234.4
- 张宗芝;赵慧;李振亚;马斌;金庆原 - 复旦大学
- 2008-03-27 - 2008-12-10 - H01F10/32
- 本发明属于磁记录技术领域，具体为一种具有垂直磁各向异性的自旋阀。本发明中上下铁磁层采用Co/Ni多层膜结构，利用磁控溅射的方法在常温下沉积而成。Co/Ni多层膜由于其较大的表面和界面各向异性而具有易磁化方向垂直于膜面的特性，且其磁垂直各向异性常数，矫顽力等性质可以通过Co，Ni层的厚度，周期数和缓冲层来调制。另外，Co，Ni都是磁性材料，有较大的自旋极化率。本发明中的完整自旋阀和赝自旋阀GMR信号可达5.4－7.7％，完整自旋阀的交换偏置场可达450Oe以上，热稳定性可达250℃。本发明在计算机硬盘读头，MRAM和其它自旋电子器件中有重大的应用价值。
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