专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]使粘合剂层内的磁性薄片定向-CN202111213454.3在审
  • M·R·维茨曼 - VIAVI科技有限公司
  • 2021-10-19 - 2022-09-30 - H01F41/14
  • 本公开内容涉及使粘合剂层内的磁性薄片定向。沉积装置可以在基底上沉积粘合剂层,该粘合剂层包括第一组磁性薄片和第二组磁性薄片,并且当粘合剂层的温度满足温度阈值(例如,第一组磁性薄片的居里温度)时,沉积装置可以使磁场施加至粘合剂层,以使第一组磁性薄片和第二组磁性薄片根据磁场定向。当粘合剂层的温度不再满足温度阈值时,沉积装置可以使另一磁场施加至粘合剂层,以仅使第二组磁性薄片根据该另一磁场定向。
  • 粘合剂磁性薄片定向
  • [发明专利]一种界面失配应变提升SrFeO2.0-CN202210330809.5在审
  • 黄传威;仪亚卓;张逸豪 - 深圳大学
  • 2022-03-30 - 2022-07-22 - H01F41/14
  • 本发明公开了一种界面失配应变提升SrFeO2.0薄膜磁学性能的方法及应用,涉及材料技术应用领域。所述方法包括以下步骤:(1)用脉冲激光在单晶衬底上轰击SrFeO3靶材制备SrFeO2.5薄膜,单晶衬底与SrFeO2.5薄膜间产生界面失配应变;所述单晶衬底包括KTaO3、(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7、LaAlO3、YAlO3中的一种,所述界面失配应变的范围为‑8.0%至2.0%;所述SrFeO2.5薄膜厚度为10nm‑50nm;(2)将CaH2粉体和SrFeO2.5薄膜在高真空状态下进行密封和烧结,得到SrFeO2.0薄膜。本发明利用脉冲激光沉积和软化学拓扑结构相变的方法在不同单晶衬底制备具有001取向的SrFeO2.0/SrTiO3两层薄膜体系,其中上盖层SrTiO3薄膜为结构保护层。衬底与薄膜间的界面失配应变效应可显著改善SrFeO2.0薄膜的磁性,为高温铁磁绝缘氧化物薄膜相关的基础与应用研究提供思路。
  • 一种界面失配应变提升srfeobasesub2.0
  • [发明专利]无支撑铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用-CN202011060968.5有效
  • 金立川;张磊;武剑;张怀武;钟智勇;唐晓莉 - 电子科技大学
  • 2020-09-30 - 2022-03-15 - H01F41/14
  • 一种无支撑铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用,属于新材料技术领域。采用铜箔或镍箔作为牺牲层,通过生长致密耐高温氧化保护层,防止铁氧体薄膜生长过程中的铜箔或镍箔的高温氧化,在防氧化晶体择优取向的铜箔或镍箔上生长铁氧体磁性薄膜,最后通过化学法将铜箔或镍箔牺牲层去掉,获得了无支撑铁氧体磁性薄膜。本发明方法可以生长超大面积的高品质铁氧体薄膜,薄膜厚度可以实现纳米级到微米级变化,并且无需昂贵的提拉法生长单晶衬底,具有较高的经济效能;制得的无支撑铁氧体磁性薄膜可以转移至任意柔性衬底或半导体衬底上,得到铁氧体微波器件、磁光器件和自旋波器件。
  • 支撑铁氧体磁性薄膜制备方法及其应用
  • [发明专利]电感器的制造方法-CN202110837352.2在审
  • 奥村圭佑;古川佳宏 - 日东电工株式会社
  • 2021-07-23 - 2022-01-28 - H01F41/14
  • 本发明制造熔融固化物较少的电感器。电感器(1)的制造方法依次具备第1工序和第2工序。在第1工序中,制作具备布线(2)和磁性层(3)的磁性层叠体(20),该磁性层(3)将布线(2)埋起来并含有磁性颗粒。磁性层(3)具有第1主表面(6)和第2主表面(7),该第1主表面(6)以与布线(2)隔开间隔的方式相对于布线(2)配置在厚度方向一侧,该第2主表面(7)与第1主表面(6)隔开间隔,该第2主表面(7)相对于布线(2)配置于第1主表面(6)的相反侧。在第2工序中,通过喷砂法在磁性层(3)形成从第1主表面(6)朝向第2主表面(7)凹陷的导通孔(10)。
  • 电感器制造方法
  • [发明专利]一种铁硅磁性薄膜及其制备方法-CN202010758025.3在审
  • 严鹏飞;李同奎;严彪 - 上海制驰智能科技有限公司
  • 2020-07-31 - 2020-11-03 - H01F41/14
  • 本发明涉及一种铁硅磁性薄膜及其制备方法,其成分质量百分比含量为:2.0~10.0wt.%Si,以及余量的Fe。其制备方法包含:将分别含有铁、硅元素的材料以粉末冶金的方法制备合金靶材;选择单晶硅作为基底材料;将基底材料加热至20‑200℃之间;进行磁场真空蒸镀,真空蒸镀在保护气中进行,所述真空蒸镀的参数为,背底真空度高于7×10‑5Pa,靶材加热功率为40‑80W,靶基距为45‑80mm,保护气体气压为0.3~2Pa,磁场通过高温磁铁产生,即获得铁硅磁性薄膜。与现有技术相比,本发明制备得到的铁硅磁性薄膜表面均匀,粗糙度低,具有优异的软磁性能,矫顽力低于2Oe,饱和磁感应强度高于9000Oe,且其制备方法的工艺可操作性强,制造成本低,对于磁性薄膜的应用发展前景有重要应用及意义。
  • 一种磁性薄膜及其制备方法
  • [发明专利]增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法-CN201810620121.4有效
  • 冯春;姚明可;王世如;唐晓磊;于广华 - 北京科技大学
  • 2018-06-15 - 2020-02-21 - H01F41/14
  • 一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法,属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理的硅Si基片上,沉积铬Cr/铁氮FeNx/氧化镁MgO/钽Ta多层膜,沉积完毕后进行热处理,促进N原子在间隙位置处的均匀占据。N原子能够改变Fe的配位环境,引起Fe/MgO界面处的电荷重新分布,有效地调节Fe的能带结构,大大增加dz2轨道上的电子占据,进而能够调节Fe 3dz2–O 2pz轨道杂化状态,使得薄膜的界面磁各向异性能显著增加。本发明只需要在制备Fe薄膜的过程中,通入氮气,就能够直接调节Fe‑O的轨道杂化强度,并增加界面磁各向异性能,不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置,具有制备简单、控制方便的特点;具有效率高、成本低等优点,适合应用于未来自旋电子学技术中。
  • 增加金属氧化物双层界面各向异性方法
  • [发明专利]一种多铁性异质结薄膜的制备方法-CN201711334411.4有效
  • 李静;彭晓领;杨艳婷;徐靖才;王攀峰;金红晓;金顶峰;洪波;王新庆;葛洪良 - 中国计量大学
  • 2017-12-14 - 2019-08-20 - H01F41/14
  • 一种多铁性异质结薄膜的制备方法,其特征在于具体步骤为:1)薄膜制备在结构稳定的铁电薄膜衬底上通过脉冲激光沉积、磁控溅射、或分子束外延等方法复合铁磁性薄膜,获得铁磁/铁电异质结薄膜;所述的铁电薄膜衬底为PMN‑PT、BFO、PZT、BTO、PTO、PZN‑PT中的一种;所述的铁磁性薄膜为Fe、Co、Ni、CoFe、CoFeB、FeNi、FeSi、FeSiAl、FeAl中的一种;2)界面调控将步骤1)制备的铁磁/铁电异质结薄膜放入热处理炉中,以恒定的速率通入含氮气体,在150~600℃温度下渗氮处理0.5~48h;降温,随炉冷却至室温,取出样品;所述的结构稳定的铁电薄膜在热处理过程中结构不受影响,而所述的铁磁性薄膜中会渗入氮原子,生成间隙固溶体或新相,导致晶格膨胀,在界面处产生应力;所述的含氮气体为氮气、氨气、氮气和氢气、氨气和氢气中的一种。
  • 一种多铁性异质结薄膜制备方法

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