[发明专利]电力电子半导体器件

摘要

本发明公开了一种电力电子半导体器件，包括半导体基片，半导体基片上设置有活性区域和结终端区域；活性区域内设置有第一沟槽，活性区域与结终端区域的连接处设置第二沟槽，结终端区域内设置有第三沟槽；第一沟槽内设置有肖特基二极管半导体层；第二沟槽内设置有电场保护环，第三沟槽的内设有导电空间电荷层，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽采用肖特基二极管进行连接，本申请将肖特基二极管半导体层，活性区域以及结终端区域的交界面形成保护环与结终端区域侧面的残留导电空间电荷层通过一个桥连接成一个电回路，以阻止由于漏电电流源与部分电压平衡后使得半导体内部电场降低，从而使得雪崩击穿电压得到提高。