[发明专利]一种控制单晶叶片荧光显示的工艺方法在审
| 申请号： | 202110980412.6 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113622032A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 乐献刚;张鸿;白景晨;黄秋;高力秋 | 申请（专利权）人： | 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C23F1/02;C23F1/16;G01N1/28;G01N21/64 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110043 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种控制单晶叶片荧光显示的工艺方法，步骤为：腐蚀前，对已完成热处理的单晶叶片表面进行干粉吹砂处理，去除凝固过程和热处理过程中形成的表面附着物；对单晶叶片的缘板部位进行局部封蜡保护；对单晶叶片进行晶粒度腐蚀，需要对腐蚀过程的时间进行控制；去除单晶叶片缘板部位的局部封蜡；对单晶叶片进行荧光检验，荧光检验前利用磨头对单晶叶片缘板部位表面进行打磨处理，用以提高一次荧光检验通过率。本发明的控制单晶叶片荧光显示的工艺方法，成功解决了困扰单晶叶片多年的荧光显示问题，一次荧光检验的通过率可达80％以上，二次荧光检验的通过率可达99％，大幅度提高了单晶叶片的生产效率，同时降低了劳动强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 叶片 荧光 显示 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司，未经中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110980412.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磁悬浮悬挂式单轨列车悬浮架
- 下一篇：一种烟用香精萃取分离装置和方法
- 同类专利
- 一种用于碳化硅晶锭的分离方法-202310839189.2
- 于大全;姜峰 - 厦门云天半导体科技有限公司
- 2023-07-10 - 2023-10-27 - C30B33/10
- 本发明提供了一种碳化硅晶锭分离的方法，夹持碳化硅晶锭以使得碳化硅晶锭的长度方向水平延伸；在碳化硅晶锭的圆柱表面上形成多个环绕圆柱表面的刻蚀阻挡图案，多个刻蚀阻挡图案之间分别具有间隔；用刻蚀气体同步进行刻蚀以使得形成多个单独的晶圆片。本发明通过在碳化硅晶锭表面形成刻蚀阻抗图案，对碳化硅晶锭进行干法刻蚀。在刻蚀过程中通过上下刻蚀气体同时进行双面，旋转晶锭使其刻蚀更加均匀，根据刻蚀深度不同，不断改变刻蚀的速率和旋转的速度，以达到碳化硅晶锭的利用率大幅提升，同时刻蚀后的表面均匀性更好，可以省去减薄步骤，同时降低CMP的工艺时间，成本更低。因为干法刻蚀的微损伤更少，所以产品的良率更佳。
- 氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质-202310933061.2
- 蔡德敏;徐锦海 - 苏州纳维科技有限公司
- 2023-07-27 - 2023-10-24 - C30B33/10
- 本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括：获取氮化镓单晶的初始状态信息，初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息；基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀，第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度，容器内盛装有浸没氮化镓单晶的腐蚀液；基于初始状态信息和/或第一参数信息，检测氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件；当满足第一结束条件时，基于预设的第二参数信息对氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的氮化镓单晶。腐蚀方法将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀，具有废品率低等优点。
- 一种适用于湿法制绒的槽体-202320043998.8
- 张力;朱伟;夏光林;崔洋 - 一道新能源科技股份有限公司
- 2023-01-05 - 2023-10-20 - C30B33/10
- 本实用新型实施例提供了一种适用于湿法制绒的槽体，包括：主槽、副槽以及匀流管；所述副槽环绕设置于所述主槽的侧部；所述主槽的侧部开设有与所述副槽连通的连通口；所述主槽以及所述副槽分别设置有至少一个匀流管，所述主槽的匀流管以及所述副槽的匀流管通过一循环管路连通，所述循环管路上设置有循环泵；所述主槽的槽底为下凹的曲面结构。主槽槽底为下凹的曲面结构，制绒反应产生的副产物以及碎片流入到排液管中后，将直接排放至制绒槽的外部，既减少了槽内的副产物，又减少了槽底的碎片量，进一步地，主槽与副槽之间设置有过滤网，避免碎片进入到副槽中堆积，延长了介质使用寿命，节约了成本，同时使硅片制绒的良率及效率得到显著提升。
- 一种用于硅片表面绒面制备的添加剂及制备方法-202310853453.8
- 李绍元;魏永强;马文会;陈秀华;马亮;席风硕;魏奎先;吕国强;伍继君 - 昆明理工大学
- 2023-07-12 - 2023-10-13 - C30B33/10
- 本发明公开的一种用于硅片表面绒面制备的添加剂及制备方法，包括形核剂5～500μmol/L(μM)，金属离子分散剂2～200μM，消泡剂1～10mM；形核剂含有季铵盐类化合物，促使其他物质在特定条件下形成晶核；金属离子分散剂与金属离子形成稳定的络合物，从而分散和稳定金属离子；消泡剂含有不同化学结构的表面活性剂或醇类化合物。通过S1、硅片清洗；S2、去氧化层与非晶层；S3、刻蚀；S4、去金属颗粒；制备获得。本发明提供一种复合型添加剂，改善固液界面反应活性和提升物质传输速率，加快刻蚀反应速率，且能有效控制刻蚀的均匀发生；另外通过调整添加剂的用量，可分别获得倒金字塔结构、类船结构和V型槽结构。
- 一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂-202310217775.3
- 彭奎庆;徐晓玲 - 北京师范大学
- 2023-03-03 - 2023-10-10 - C30B33/10
- 本发明公开了一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，所述制绒添加剂由如下质量百分比含量的各组分：消泡剂1～10％、乳化剂0.5～1％、分散剂1～10％，余量为去离子水。本发明的制绒添加剂能够将制绒时间缩短至360秒，可以提高产业化效率。
- 磷酸蚀刻液回收方法及蚀刻方法-202311107559.X
- 刘苏涛;杨少华;林士闵 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 2023-08-31 - 2023-10-03 - C30B33/10
- 本发明提供了一种磷酸蚀刻液回收方法及蚀刻方法，所述磷酸蚀刻液回收方法包括：提供一蚀刻槽，所述蚀刻槽中装有多次蚀刻后的磷酸蚀刻液，所述磷酸蚀刻液中溶解有第一浓度的含硅化合物，所述磷酸蚀刻液具有第一温度；将载板放置于所述磷酸蚀刻液中；将所述磷酸蚀刻液降温至第二温度，以使得所述磷酸蚀刻液中溶解的所述含硅化合物析出附着在所述载板表面；将所述载板从所述磷酸蚀刻液中移出；将所述磷酸蚀刻液重新加热至所述第一温度，且所述磷酸蚀刻液中溶解的所述含硅化合物的浓度降低至第二浓度。本发明的技术方案能够提高磷酸蚀刻液的使用寿命，进而降低工艺成本及废酸排放。
- 一种晶片的位错腐蚀液及位错腐蚀方法-202311101563.5
- 练小正;高洁;胡萍;许照原 - 苏州燎塬半导体有限公司
- 2023-08-30 - 2023-09-29 - C30B33/10
- 本发明属于半导体衬底材料缺陷检测技术领域，具体涉及一种晶片的位错腐蚀液及位错腐蚀方法，所述位错腐蚀液由浓盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液组成；所述浓盐酸、双氧水和去离子水的配比为：浓盐酸的体积为15‑25份，双氧水的体积为1‑2份，去离子水的体积为30‑50份。使用本发明提供的位错腐蚀液，位错腐蚀均匀，不仅能够均匀腐蚀大尺寸（≥2英寸）锑化铟晶片，而且腐蚀液稳定且可持续使用多次，同时腐蚀液安全环保。
- 制备梯田金字塔微结构硅片的添加剂和工艺及所得硅片-202210584582.7
- 张鹏伟;冯萍萍;张新鹏;章浩然;王婕 - 西安蓝桥新能源科技有限公司
- 2022-05-27 - 2023-09-29 - C30B33/10
- 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及制备梯田金字塔微结构硅片的添加剂和工艺及所得硅片。添加剂包括以下按质量百分比计算的组分：模板剂0.3‑0.7%，缓蚀剂0.1‑1%，以及余量的去离子水。使用方法为将所述添加剂与碱液混合，对常规制绒为金字塔结构的单晶硅片进行腐蚀，即可得到表面有微结构的金字塔绒面硅片，该微结构呈梯田状，金字塔表面由光滑的表面变为一层层梯田形貌的微结构，形成该微结构后可以有效降低硅片反射率至4‑7%。
- 盖体及具有该盖体的制绒清洗设备-202223189345.5
- 王毅;龚庆;陈贤刚 - 江苏启威星装备科技有限公司
- 2022-11-30 - 2023-09-29 - C30B33/10
- 本申请公开了一种盖体及具有该盖体的制绒清洗设备，涉及制绒清洗设备技术领域。一种盖体，用于制绒清洗设备，所述盖体包括：盖本体，及设置于盖本体的喷液机构和废液收集结构；其中，喷液机构包括泵体、管道和喷头，至少部分管道设置于所述盖本体上，位于盖本体上的管道连接有多个喷头，所述喷头的进口通过管道与所述泵体相连通，且喷头的出口朝向盖本体，用于向盖本体上喷冲洗液；所述废液收集结构设置于盖本体的侧端边缘，所述废液收集结构朝向盖本体的一侧设有供冲洗后的废液流入的开口。本申请可以实现对盖体上的碱结晶或其它污染物的自动清理，避免碱结晶或脏污腐蚀盖体或影响电池片的质量，有助于降低成本、提高产品的良率。
- 保护剂去除装置及应变计刻蚀分离方法-202310929778.X
- 李树成;刘逢添;梁敏茹 - 广东润宇传感器股份有限公司
- 2023-07-26 - 2023-09-19 - C30B33/10
- 本发明提供了一种保护剂去除装置及应变计刻蚀分离方法，该应变计刻蚀分离方法采用干法刻蚀的方式对晶圆的衬底硅进行去除，能够简化人工操作，同时避免操作人员接触危险溶液，并能够有效地提高刻蚀分离的良品率，有利于实现大规模的生产。利用保护剂去除装置对涂覆在晶圆上的保护剂进行去除，不仅能够实现应变计的分离，还能够实现溶剂的自动排入和反应后的废液的自动排出，从而实现对进液和排液的自动化的有效控制，提升应变计刻蚀分离作业的效率，并能够避免操作人员与危险溶剂的接触，进一步地提升生产的安全性。
- 一种用于高温合金腐蚀反应防止发黑的装置及其操作方法-202010020225.9
- 朱鑫涛;沈斌;朱玉棠 - 泰州市金鹰精密铸造有限公司
- 2020-01-09 - 2023-09-12 - C30B33/10
- 本发明属于机械加工产品检测应用技术领域，具体公开了一种用于高温合金腐蚀反应防止发黑的装置，由支撑框架组件，及与支撑框架组件相配合使用的腐蚀液存放组件、调节组件组成。本发明的一种用于高温合金腐蚀反应防止发黑的装置及其操作方法的有益效果在于：其结构设计合理，且便于操作，解决现有单晶叶片腐蚀检测所存在的问题，有效的提高检测效率和检测数据的精准性，保证单晶叶片的产品品质。
- 腐蚀法制备高强度锗的方法-202310411082.8
- 吴瑶;师晋海;毕宏岩;周铁军;许家龙 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2023-04-18 - 2023-08-01 - C30B33/10
- 本发明公开了一种腐蚀法制备高强度锗的方法，属于半导体技术领域，所述的腐蚀法制备高强度锗的方法，包括以下步骤：将锗片浸入酸性腐蚀液中进行酸腐蚀，清洗，干燥，再浸入碱性腐蚀液中进行碱腐蚀，干燥，得到高强度锗；所述酸性腐蚀液包括硝酸溶液、氢氟酸溶液、乙酸；所述碱性腐蚀液包括氨水溶液、过氧化氢溶液。本发明通过将锗片先进行酸腐蚀，再进行碱腐蚀，能够有效的提高锗片的强度，其中，酸腐蚀为非择优腐蚀，碱腐蚀为择优腐蚀，采用先酸后碱的腐蚀方法，其中，酸腐蚀能够有效的去除锗片表面杂质和疏松层，碱腐蚀能够有效的去除锗片亚表面损伤，在低总掉量的情况下就能得到高强度的锗片。
- 腐蚀法制备低粗糙度锗的方法-202310411080.9
- 吴瑶;师晋海;田玉莲;王金灵;许家龙;毕宏岩;周铁军 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2023-04-18 - 2023-07-28 - C30B33/10
- 本申请公开了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，属于半导体技术领域，所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低，在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液，使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定，提高腐蚀效率，同时，过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高，进一步提高腐蚀效果，降低粗糙度。
- 一种用于晶硅太阳能电池的制绒剂及其使用方法-202310158221.0
- 郑磊杰;倪玉凤;张婷;杨露;魏凯峰;张博;阮妙;石惠君 - 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
- 2023-02-23 - 2023-07-28 - C30B33/10
- 本发明公开了一种用于晶硅太阳能电池的制绒剂及其使用方法，所述制绒剂包括1％‑20％质量分数的有机碱溶液，所述有机碱溶液包括有机碱和有机溶剂，其中，所述有机碱包括，三乙胺，异丙胺，脂肪胺，芳香胺，1,8‑二氮杂二环十一碳‑7‑烯，吡啶，咔唑，1,5‑二氮杂双环[4.3.0]‑5‑壬烯中的一种；所述有机溶剂包括，2‑甲基四氢呋喃，4‑甲基四氢呋喃，环戊基甲醚中的一种。本发明减少工业废水的使用，预估计采用此方案后，每天废水可降为200吨。有机碱和有机溶剂体系可回收套用。避免金属离子对硅片和器件的影响。
- 制备多层金字塔单晶硅绒面的两步制绒添加剂及其应用-202110796329.3
- 李侠;张鹏伟;张新鹏;殷政;冯萍萍 - 西安蓝桥新能源科技有限公司
- 2021-07-14 - 2023-07-28 - C30B33/10
- 本发明属于太阳能电池单晶硅片表面处理技术领域。一种制备多层金字塔单晶硅绒面的两步制绒添加剂，包括添加剂A和添加剂B，所述添加剂A包括以下按质量百分比计算的组分：吐温0.02‑5%、苯甲酸钠0.1‑4.0%、硅酸钠0.12‑8.0%以及余量的水；所述添加剂B包括以下按质量百分比计算的组分：为蛋白胨0.01‑10%、葡萄糖0.01‑10.0%、月桂醇聚氧乙烯醚0.01‑10%、苯甲酸钠0.01‑10%、吡啶0.01‑10%以及余量的水。本发明两步制绒添加剂应用于单晶硅两步制绒工艺中，可形成更有利于吸收太阳光的多层金字塔结构单晶硅绒面，绒面具有更低的太阳光反射率值。
- 一种晶面微构化助剂及其制备方法-202210963493.3
- 殷政;田海莹;王婕;鱼亚楠;冯萍萍;张新鹏;张鹏伟 - 陕西科技大学
- 2022-08-11 - 2023-07-21 - C30B33/10
- 本发明属于单晶硅电池制造领域，涉及一种晶面微构化助剂，按质量百分比计，包括以下组分：绒面催化剂0.001％‑1.5％；绒面调节剂0.01％‑1.0％；消泡剂0.1％‑1.0％；表面活性剂0.05％‑1.5％；余量为去离子水。得益于大尺寸共轭奈环骨架绒面催化剂的强出绒能力，以及其他共存助剂分子的协同作用，该微构化助剂可按一定比例直接加入1％～2％浓度碱溶液中，在反应温度75‑85℃、制绒时间400～600s的近似产线条件下，获得塔基尺寸主要聚集于1～2μm尺寸且均匀、密集的金字塔结构，所得绒面结构单晶硅片平均反射率低至9.5％～10.5％，可用于单晶硅太阳能电池制绒工序。
- 一种快速的单晶硅片湿法制绒添加剂-202310200250.9
- 彭奎庆;徐晓玲 - 北京师范大学
- 2023-03-03 - 2023-07-18 - C30B33/10
- 本发明公开了一种快速的单晶硅片湿法制绒添加剂，所述制绒添加剂由如下质量百分比含量的各组分：减水剂2～5％、有机溶剂1.5～10％、乳化剂0.5～2％、分散剂0.5～3％、余量为去离子水。本发明的制绒添加剂能够将制绒时间缩短至360秒，可以提高产业化效率，并且起到降低反射率的作用。
- 多晶硅片酸制绒优化剂的化学组合物及其应用-201710358791.9
- 韩冰;蒋庆龙;丁晓辉;韩庚欣 - 湖州三峰能源科技有限公司
- 2017-05-19 - 2023-07-07 - C30B33/10
- 本发明提供的多晶硅片酸制绒优化剂的化学组合物，该组合物为水溶液，溶质为：(1)具有噻二唑嗡盐结构单元的聚合物；(2)多元醇或其衍生物。本发明还提供了上述多晶硅片酸制绒优化剂的化学组合物在砂浆线或金刚线切割多晶硅片酸制绒中的应用。该化学组合物制备和使用方法简单、容易实施、重复性好，其用于砂浆线或金刚线切割多晶硅制绒时，制绒效果明显的提高，制得的硅片容面均匀并且反射率低，硅片镀膜后的外观颜色均匀，与未加入辅助化学组合物时相比绒面的均匀性得到明显提高。
- 一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法-202310326805.4
- 霍晨亮 - 北京师范大学珠海校区
- 2023-03-29 - 2023-06-30 - C30B33/10
- 本发明属于新材料与太阳能技术领域，提出了一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法，与传统的酸性金属催化腐蚀不同在于，该方法无需使用金属离子，可以在单晶硅的表面制备大面积的微纳米倒金字塔阵列结构，这种倒金字塔结构能够有效的吸收光线，进而改善光伏器件的光反射特性，提高太阳能电池的光电转化效率。本方法制备的微纳米结构倒金字塔阵列具有体积小等优点，且制备工艺简单，成本低廉，安全无污染，可大规模用于太阳能电池的制备。
- 硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法-202111579473.8
- 钟观发;吴坚;蒋方丹 - 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
- 2021-12-22 - 2023-06-27 - C30B33/10
- 本发明提供一种硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法，所述硅片单面制绒方法，包括如下步骤：在硅片的非制绒面沉积P型掺杂非晶硅作为掩膜；制绒。相较于现有技术，选用P型掺杂非晶硅作为掩膜，P型掺杂非晶硅为硼掺杂，掺入硼后更耐碱液腐蚀，保护效果好；且沉积温度低，对设备要求低，成本也低；薄膜均匀性好，厚度薄，节约材料和沉积成本；另一面绕度少，无需刻意去除。
- 一种单晶硅片表面微纳米复合结构的制备方法-202210359610.5
- 王冰;潘连胜;商剑;何翠翠;秦朗;齐锦刚;赵作福;刘亮 - 锦州神工半导体股份有限公司;辽宁工业大学
- 2022-04-07 - 2023-06-27 - C30B33/10
- 本发明公开了一种单晶硅片表面微纳米复合结构的制备方法，包括：步骤一、将单晶硅片进行清洗；步骤二、对所述单晶硅片进行表面去损伤；步骤三、将所述单晶硅片放入质量分数为3.5％的NaOH溶液和体积分数为5％的正丁醇的混合溶液中，75℃水浴40min后，冲洗；步骤四、将所述单晶硅片放入质量分数为40％的H
- 一种用于单晶硅或准单晶硅表面正金字塔湿法制绒方法-202310326700.9
- 霍晨亮 - 北京师范大学珠海校区
- 2023-03-29 - 2023-06-23 - C30B33/10
- 本发明的目的在于提供一种用于单晶硅或准单晶硅表面正金字塔湿法制绒方法。该方法通过金属离子参与化学反应，溶液成分从氢氟酸改变为氟化铵溶液，制备正金字塔结构的同时降低成本且安全性大幅提高，降低工业安全事故的发生，腐蚀的硅片表面无金属沉积，所腐蚀的微纳米正金字塔结构宏观均匀，通过改变不同的化学成分浓度可以对尺寸的大小进行调控，正金字塔结构微观形貌表面光滑、缺陷少，因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景，该方法同样适用于准单晶硅，既可以降低产业链硅片成本，又可以在电池端增加光电转换效率。
- 一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法-202210076630.1
- 陈天令;曹其伟;谢耀辉;曾玉婷;杨加俊;张鹏 - 江西中弘晶能科技有限公司
- 2022-01-24 - 2023-06-13 - C30B33/10
- 本发明公开了一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法，涉及硅片刻蚀领域，包括加装平板、安装感应器、调节涂液组件、感应器报警和硅片刻蚀，且涂液组件包括有开设于平板顶部的多个滑槽，滑槽的内部设置有滑块，滑块的顶部固定有涂液海绵。本发明通过设置有涂液组件，当将硅片放置于滚轮上后，使用者通过移动涂液海绵，涂液海绵移动会带动滑块在滑槽内部滑动，当涂液海绵与硅片的两侧相接触后，使用者将固定螺栓旋入至螺栓孔内部，以对滑块进行固定，防止滑块随意带动涂液海绵移动，而涂液海绵吸附溶液后，由于硅片移动时涂液海绵会将溶液涂至硅片的两侧，防止硅片两侧未被溶液刻蚀便被取走。
- 一种新型制绒装置-202320082590.1
- 陈实;周钦龙;周观 - 江苏龙恒新能源有限公司
- 2023-01-28 - 2023-06-06 - C30B33/10
- 本实用涉及制绒槽领域，且公开了一种新型制绒装置，其包括矩形的槽体，槽体的顶端开设有与其深度等同的滑槽，滑槽内放置有矩形的框架，框架的高度等于滑槽的深度；槽体的上方对称设置有两个固定在框架顶端的顶板，每个顶板的内侧均不超出槽体的开口，其外侧均位于槽体外；槽体上还设置有用于驱动顶板上下移动的驱动机构。本实用新型中，在驱动机构的作用下可驱动顶板带动框架沿滑槽上下移动，从而改变槽体的深度，这样，使得槽体的容量可进行适当的调节，更具实用性；另外，由于两个顶板的内侧不超过槽体的开口，所以，顶板不会影响槽体。
- 一种单硅片流水线式RENA制绒设备-201810376330.9
- 谢泰宏;周丹;谢毅;张冠纶;张忠文 - 通威太阳能（安徽）有限公司
- 2018-04-25 - 2023-06-02 - C30B33/10
- 本发明公开了一种单硅片流水线式RENA制绒设备，包括工作台、传送带以及流水制绒槽，所述工作台一侧开设有安装槽，所述传送带设置于安装槽中，所述传送带上活动连接有若干流水制绒槽；所述出液孔远离流水制绒槽一端连接有补液槽；所述流水制绒槽内腔中从上到下依次设置有活动板和固定板，所述活动板与流水制绒槽侧壁活动连接，所述固定板与流水制绒槽侧壁固定连接。本发明通过流水线式的制绒方式，每个流水制绒槽只针对一个硅片进行制绒，可避免由于制绒槽过大造成的制绒液浓度分布不均造成的制绒机各道之间的减重差异，还大大提高了制绒效率，而且取消了多根均流管的设置，十分方便，非常值得推广。
- 单晶硅片的两步制绒方法、制绒硅片及太阳电池-202310006871.3
- 杜俊霖;周旭;唐坤;范松港 - 中威新能源（成都）有限公司
- 2023-01-04 - 2023-05-30 - C30B33/10
- 本发明提供了一种单晶硅片的两步制绒方法，包括以下步骤：提供单晶硅片，并将所述单晶硅片置于含有碱性试剂和制绒添加剂的第一反应液中进行第一步制绒，以使所述单晶硅片的表面形成金字塔结构，得到单晶硅片中间体；以及将所述单晶硅片中间体直接转移至含有所述碱性试剂和所述制绒添加剂的第二反应液中进行第二步制绒，以降低所述金字塔结构绒面的反射率，其中，所述第二反应液中的所述碱性试剂的质量分数为所述第一反应液中的所述碱性试剂的质量分数的1％～10％。本发明能够提高太阳电池的转换效率。本发明还提供了一种制绒硅片和一种太阳电池。
- 一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法-202211558792.5
- 熊国祥;张健伟 - 郑州恒昊光学科技有限公司
- 2022-12-06 - 2023-05-30 - C30B33/10
- 本发明公开一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法，制作方法包括以下步骤，将蓝宝石玻璃进行清洗，然后放入到饱和氢氧化钠溶液中密封煮沸，再放入由磷酸、氟铝酸钠、甘油、磷酸三钠和水组成的蚀刻乳浊液中，进行左右摆动蚀刻；最后从蚀刻液中取出，然后用纯水清洗干净并风干即可。根据蓝宝石玻璃的特性，选用碱性蚀刻工艺对蓝宝石玻璃进行蚀刻，采用强碱在高温状态下对蓝宝石玻璃进行蒸煮，让表层氧化铝结构受到侵蚀，生成氢氧化铝，然后在一定比例的氟铝酸钠与酸性物质及添加剂组成的蚀刻乳浊液的作用下，在蓝宝石玻璃表面形成微米级的蚀刻凹痕，这些凸凹不平的蚀刻凹痕层增加表面粗糙度，完成了对蓝宝石玻璃的蒙砂蚀刻效果。
- 一种添加剂补液装置-202221252124.5
- 华永云;杜雪峰;雷深皓 - 云南合义德新材料有限公司
- 2022-05-24 - 2023-05-30 - C30B33/10
- 本实用新型涉及一种添加剂补液装置，属于清洁能源制造技术领域。所述的电控柜前侧设有方便操作的倾斜的面板，控制面板安装在面板上，电控柜内设有将电控柜内分隔形成电器仓和储液仓的隔板，所述的plc控制器安装在隔板上，两个计量泵安装在隔板上，两个储液桶安装在储液仓内；能够根据制绒工艺需求，通过控制面板控制各计量泵加入各配比添加剂溶液，保证以所需的补液速率进行定量补液；多个储液桶分别储存不同配比的添加剂，分别通过计量泵实现精准补液，可根据需求对不同配比的添加剂分别补液或组合补液，无需人工补液，操作简单，省时省力，有利于提高生产效率；使得制绒时可准确的加入添加剂溶液量，避免浪费，同时保证制绒效果好。
- 一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法-202310027014.1
- 陈意桥;钱磊;孙维国 - 苏州焜原光电有限公司
- 2023-01-09 - 2023-05-26 - C30B33/10
- 本发明涉及一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法，属于半导体晶片抛光技术领域。本发明所述的处理方法包括以下步骤，利用中性去蜡液对化学机械抛光后的锑化镓晶片进行去蜡处理；后利用酸性腐蚀液对半产品进行腐蚀处理；所述酸性腐蚀液按体积分数计，包括以下组分：盐酸溶液20%‑30%、硝酸溶液1%‑10%、硫酸溶液0.5%‑1%、余量为有机酸溶液。本发明所述的方法对GaSb表面金属杂质、有机污染物、自然氧化物进行有效的清洁；提高了GaSb表态元素的稳定性，使GaSb表面自然氧化层得到有效控制。湿法化学处理具有可控性好、表面清洁和可重复性好的独特优点。
- 一种单晶硅片制绒装置-202223490040.8
- 褚俊杰 - 常州景佑微电子科技有限公司
- 2022-12-27 - 2023-05-26 - C30B33/10
- 本实用新型公开了一种单晶硅片制绒装置，属于单晶硅片制绒技术领域，包括反应箱，所述反应箱顶部的两端分别固定连接有升降架，两个所述升降架的内腔分别转动连接有丝杆，两个所述丝杆的外侧均螺纹套接有升降块，两个所述升降块的一端延伸至升降架的外部且固定连接有悬吊块，两个所述悬吊块之间放置有放置架，所述放置架的内壁开设有多个插槽，两个所述升降架的顶面均固定连接有第一电机。本实用新型中，利用放置架上开设的多个插槽对多块单晶硅片进行放置夹持，另外通过转动座、封板以及第二电机之间的配合对反应箱内腔的顶部进行封堵，避免制绒时腐蚀液出现飞溅，提高了该单晶硅片制绒装置的实用性。
- 专利分类
