专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果24个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]磷酸蚀刻液回收方法及蚀刻方法-CN202311107559.X在审
  • 刘苏涛;杨少华;林士闵 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-03 - C30B33/10
  • 本发明提供了一种磷酸蚀刻液回收方法及蚀刻方法,所述磷酸蚀刻液回收方法包括:提供一蚀刻槽,所述蚀刻槽中装有多次蚀刻后的磷酸蚀刻液,所述磷酸蚀刻液中溶解有第一浓度的含硅化合物,所述磷酸蚀刻液具有第一温度;将载板放置于所述磷酸蚀刻液中;将所述磷酸蚀刻液降温至第二温度,以使得所述磷酸蚀刻液中溶解的所述含硅化合物析出附着在所述载板表面;将所述载板从所述磷酸蚀刻液中移出;将所述磷酸蚀刻液重新加热至所述第一温度,且所述磷酸蚀刻液中溶解的所述含硅化合物的浓度降低至第二浓度。本发明的技术方案能够提高磷酸蚀刻液的使用寿命,进而降低工艺成本及废酸排放。
  • 磷酸蚀刻回收方法
  • [发明专利]一种数字化三轴TMR磁传感系统-CN202011459206.2有效
  • 黄玉;刘苏涛;武立华;吴迪;朱传龙;陈东亮 - 哈尔滨工程大学
  • 2020-12-11 - 2023-09-29 - G01R33/02
  • 本发明公开了一种数字化三轴TMR磁传感系统,包括三路结构相同的单轴传感结构,三路电单轴传感结构分别处理x轴、y轴和z轴的磁信号;所述单轴传感结构包括:单通道磁电阻平衡桥电路、差分放大模块、抗混叠低通滤波模块、A/D转换模块和微处理器;单通道磁电阻平衡桥电路将被测的低频磁场信号转换为电压信号,然后经过差分放大模块后输入至抗混叠低通滤波模块滤除信号频率高于A/D转换模块半采样率的信号;输出信号输入至A/D转换模块得到被测数字信号,数字信号输入至微处理器,微处理器执行正交锁相解调算法输出传感结果。本发明实现了一种数字化、结构简单、高信噪比以及易于信号调理算法设计的数字化三轴TMR磁传感系统。
  • 一种数字化tmr传感系统
  • [发明专利]半导体器件的刻蚀方法及制备方法-CN202310780992.3有效
  • 林士闵;刘苏涛 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-09-22 - H01L21/311
  • 本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件的制备方法,其中,半导体器件包括衬底、第一缓冲层、非晶硅层、侧壁叠层和氧化层,该氧化层位于非晶硅层上,且氧化层为非晶硅层在自然状态下于表面氧化形成的膜层,则半导体器件的刻蚀方法包括:通过混合APM溶液和四甲基氢氧化胺溶液配制刻蚀液,然后利用该刻蚀液对半导体器件进行刻蚀,以去除半导体器件的氧化层和非晶硅层,由于APM溶液对氧化层具有刻蚀性,但对侧壁叠层不具有刻蚀性,因此,利用刻蚀液对半导体器件进行刻蚀,能够有效地去除氧化层以及非晶硅层,而不会破坏半导体器件中的侧壁叠层,如此保证了半导体器件图形的完整性,还提高了半导体器件的制备效率。
  • 半导体器件刻蚀方法制备
  • [发明专利]金属硅化物的制备方法-CN202310781810.4有效
  • 刘苏涛;渠兴宇;林士闵 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-09-12 - H01L21/768
  • 本申请涉及一种金属硅化物的制备方法。该方法包括:提供衬底,衬底具有待处理的硅区域;于衬底具有硅区域一侧形成图形化掩膜层,图形化掩膜层具有显露硅区域的开口图形;形成分别覆盖硅区域以及图形化掩膜层的金属材料层;形成覆盖金属材料层表面的硅基材料层;金属材料层在硅基材料层和硅区域的硅化作用下形成初始金属硅化物层;去除残留的硅基材料层;去除图形化掩膜层以及位于图形化掩膜层上方的初始金属硅化物层,并保留剩余的初始金属硅化物层为目标金属硅化物层。本申请提供的金属硅化物的制备方法通过对工艺的优化,有效提高了所获得的金属硅化物的形貌质量,同时降低了制备难度及制备成本。
  • 金属硅制备方法
  • [发明专利]一种基于网状TiO2-CN202110615740.6有效
  • 刘苏涛;潘有春;张利利;王光应 - 安徽元琛环保科技股份有限公司
  • 2021-06-02 - 2023-07-18 - B01J21/06
  • 本发明公开一种基于网状TiO2载体的MnO2纳米线低温脱硝催化剂,该低温脱硝催化剂包括载体和活性物质,载体为形貌为网状的纳米TiO2,活性物质为具备微观线状结构的MnO2纳米线;网状的纳米TiO2负载于MnO2纳米线上;MnO2纳米线与网状的纳米TiO2的摩尔比为0.01‑0.1。本发明还提供上述低温脱硝催化剂的制备方法。本发明以网状纳米TiO2为载体,以具备微观线状结构的MnO2纳米线为活性物质,网状的纳米TiO2负载于MnO2纳米线上得到低温脱硝催化剂,避免了稀土元素的使用,降低了生产成本,且由于网状纳米TiO2具有比表面积大、孔道多等优点,有利于催化剂对气态NH3的吸附,MnO2纳米线具有大长径比、比表面积的优点,有利于活性物质与NH3发生反应,从而促进催化剂的脱硝性能。
  • 一种基于网状tiobasesub
  • [发明专利]脱硝协同CO2吸附材料的制备方法及制备的吸附材料-CN202110832508.8有效
  • 潘有春;王光应;赵羽;梁燕;刘苏涛 - 安徽元琛环保科技股份有限公司
  • 2021-07-22 - 2023-01-06 - B01J20/22
  • 一种脱硝协同CO2吸附材料的制备方法及制备的材料,包括:将氧化石墨烯在搅拌中分散于去离子水中,加入HCl调节pH得溶液A;将硅酸四已脂加入无水乙醇溶液中得到溶液B;搅拌条件下将A缓慢的滴入B中,得到混合液C;将C水浴,滴加氨水乙醇溶液,调节pH至7,然后水浴至凝胶;往凝胶中加入乙醇老化,加入正己烷置换;将置换好的样品取出,冷冻干燥获得干SiO2‑石墨烯气凝胶;将催化剂活性组分前驱体、催化剂助剂、助溶剂草酸溶于去离子水中,得到溶液D;将D加入SiO2‑石墨烯气凝胶中,浸渍烘干煅烧得复合物E;将E加入γ-氨基丙基三乙氧基硅烷的甲苯溶液中浸渍烘干。本发明合成的材料具有脱硝协同CO2吸附性能,可在实现烟气NOx治理的同时实现CO2的捕集。
  • 协同co2吸附材料制备方法
  • [实用新型]一种湿法刻蚀机-CN202222291466.4有效
  • 刘苏涛;苏财宝;林士闵 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-12-09 - H01L21/67
  • 本实用新型提供一种湿法刻蚀机,包括腔室和传输单元,以及设置在所述腔室和/或所述传输单元内的离子分离装置;其中,所述离子分离装置用于向放置在所述腔室和/或所述传输单元内的晶圆发射预设波长的光波,并利用所述光波将空气离子分离为正离子和负离子,且所述正离子将与所述晶圆表面负电荷中和,和/或所述负离子将与所述晶圆表面正电荷中和。本实用新型提供的所述湿法刻蚀机,通过电荷的中和反应消除了所述晶圆表面的正电荷和/或负电荷,避免了所述晶圆表面因静电电荷的累积而发生静电放电反应并损害晶圆表面的问题,从而提高了晶圆的产品良率。
  • 一种湿法刻蚀
  • [发明专利]选择性蚀刻方法及装置-CN202211322315.9在审
  • 刘苏涛;苏财宝;林士闵;渠兴宇 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2022-10-27 - 2022-11-22 - H01L21/311
  • 本申请涉及一种选择性蚀刻方法及装置,用于对反应槽密封腔体内的待刻蚀物进行刻蚀。方法包括控制密封腔体的内部涌入预设体积的目标蚀刻剂,目标蚀刻剂包括第一含量的蒸馏水及第二含量的酸性物质,第一含量大于第二含量;根据获取的温度压力控制指令控制设置于密闭腔体的侧壁的加热装置加热,利用目标蚀刻剂选择性刻蚀并去除待刻蚀物上的待刻蚀层。上述选择性蚀刻方法的目标蚀刻剂第一含量水大于第二含量酸性物质且刻蚀全过程是在同一个反应槽体内,降低了成本,避免了化学污染与浪费,提高了效率,节约了机台占地空间。
  • 选择性蚀刻方法装置
  • [发明专利]一种基于磁梯度张量缩并量之比的测距定位方法-CN202010837023.3有效
  • 黄玉;武立华;刘苏涛;张涛;王洋;张剑;秦洋 - 哈尔滨工程大学
  • 2020-08-19 - 2022-11-18 - G01C21/00
  • 本发明公开了一种基于磁梯度张量缩并量之比的测距定位方法,属于磁探测与定位技术领域。所述定位方法包括以下步骤:将十个同类型三轴磁强计构成三轴磁强计平面阵列并将它们的各个敏感轴相互对齐;采集平面阵列的十个三轴磁强计输出;计算阵列四个面心处的磁性体磁梯度张量的独立分量值;由每两面心与磁性体之间的距离值的平方比为固定数值构成关于磁性体位置坐标的线性方程组,计算方程组得出磁性体位置坐标值。本发明相比于三轴磁强计阵列的空间立体结构,平面结构易于多个三轴磁强计组阵,特别是对于芯片化的微型三轴磁强计更具优势,也减少了阵列的安放空间。
  • 一种基于梯度张量测距定位方法
  • [发明专利]一种磁偶极子目标测距测向方法-CN202011461502.6有效
  • 黄玉;武立华;刘苏涛;张涛;王洋;秦洋 - 哈尔滨工程大学
  • 2020-12-11 - 2022-09-27 - G01B7/004
  • 本发明公开了一种磁偶极子目标测距测向方法,使用测量轴对称配置的三轴磁强计十字阵列测量阵列中心处的磁偶极子磁梯度张量,依据磁矩大小与磁性目标姿态无关的特点可以得到被探测目标的磁矩大小范围,由该点磁梯度张量的比值以及目标磁矩大小范围反演出被探测目标与十字阵列中心的距离和十字阵列测量坐标系下的磁偶极子目标的方位角。本发明所提的方法无需磁梯度张量测量系统对磁性目标的磁场矢量的测量,也无需磁梯度张量测量系统移动以测量空间多个点的磁梯度张量值;本发明所提的方法能使用三轴磁强计十字阵列作为磁梯度张量测量系统,所使用的三轴磁强计相对较少,降低了测量系统的复杂性和重量,便于轻型平台搭载使用。
  • 一种偶极子目标测距测向方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top